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1. 发明专利

TWI692554B 氧化銅粉體、鍍覆基板的方法、以及管理鍍覆液的方法有权
简体标题：氧化铜粉体、镀覆基板的方法、以及管理镀覆液的方法
公开(公告)号：TWI692554B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW106133118
申请日：2017-09-27
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：下山正 , SHIMOYAMA, MASASHI , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI , 西浦文敏 , NISHIURA, FUMITOSHI , 岸貴士 , KISHI, TAKASHI
IPC分类号： C25D21/14 , C25D3/38 , C01G3/02

2. 发明专利

TW201835582A 鍍覆裝置、鍍覆方法、基板架、電阻測定模組以及檢查基板架的方法审中-公开
简体标题：镀覆设备、镀覆方法、基板架、电阻测定模块以及检查基板架的方法
公开(公告)号：TW201835582A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107102217
申请日：2018-01-22
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：長井瑞樹 , NAGAI, MIZUKI , 辻一仁 , TSUJI, KAZUHITO , 岸貴士 , KISHI, TAKASHI , 宮川俊樹 , MIYAKAWA, TOSHIKI , 下山正 , SHIMOYAMA, MASASHI , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI
IPC分类号： G01R27/16 , G01R1/067 , H01L21/67
摘要：為了能夠檢測一基板架的原因而導致的電阻異常，提供一種用於測定基板架的電阻的電阻測定模組，所述基板架具有用於向被固持基板供給電流的、能夠與該基板接觸的一電接點，所述基板架能夠固持用於測定所述基板架的該電阻的檢查用基板，所述基板架構成為在固持檢查用基板的狀態下，所述電接點與所述檢查用基板接觸，所述電阻測定模組具有：能夠與固持於所述基板架的該檢查用基板接觸的一檢查探測器；以及用於對經由該檢查用基板而在所述電接點與所述探測器之間流動的電流的一電阻值進行測定的一電阻測定器。根據該電阻測定模組，能夠測定該基板架的電阻，能夠檢測該基板架的該電接點或一電路徑的異常。
简体摘要：为了能够检测一基板架的原因而导致的电阻异常，提供一种用于测定基板架的电阻的电阻测定模块，所述基板架具有用于向被固持基板供给电流的、能够与该基板接触的一电接点，所述基板架能够固持用于测定所述基板架的该电阻的检查用基板，所述基板架构成为在固持检查用基板的状态下，所述电接点与所述检查用基板接触，所述电阻测定模块具有：能够与固持于所述基板架的该检查用基板接触的一检查探测器；以及用于对经由该检查用基板而在所述电接点与所述探测器之间流动的电流的一电阻值进行测定的一电阻测定器。根据该电阻测定模块，能够测定该基板架的电阻，能够检测该基板架的该电接点或一电路径的异常。

3. 发明专利

TW201741505A 鍍覆裝置及鍍覆方法审中-公开
简体标题：镀覆设备及镀覆方法
公开(公告)号：TW201741505A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106112212
申请日：2017-04-12
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：向山佳孝 , MUKAIYAMA, YOSHITAKA , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI , 青山英治 , AOYAMA, HIDEHARU
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/06 , C25D21/00
CPC分类号： C25D17/28 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/007 , C25D17/06
摘要：本發明提供一種鍍覆裝置和鍍覆方法，在將儲料器從鍍覆裝置拉出來的期間也能夠連續運轉。該鍍覆裝置具有：鍍覆處理部，其對基板進行鍍覆；以及複數個儲料器，其構成能夠收納保持件，該保持件構成為保持基板或陽極，上述複數個儲料器中的至少一個構成為能夠向上述鍍覆裝置的內外移動。
简体摘要：本发明提供一种镀覆设备和镀覆方法，在将储料器从镀覆设备拉出来的期间也能够连续运转。该镀覆设备具有：镀覆处理部，其对基板进行镀覆；以及复数个储料器，其构成能够收纳保持件，该保持件构成为保持基板或阳极，上述复数个储料器中的至少一个构成为能够向上述镀覆设备的内外移动。

4. 发明专利

TW201739973A 用以供給鍍覆液至鍍覆槽之裝置及方法、鍍覆系統、粉體容器、及鍍覆方法审中-公开
简体标题：用以供给镀覆液至镀覆槽之设备及方法、镀覆系统、粉体容器、及镀覆方法
公开(公告)号：TW201739973A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106103945
申请日：2017-02-07
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：竇春暉 , DOU, CHUNHUI , 向山佳孝 , MUKAIYAMA, YOSHITAKA , 荒木裕二 , ARAKI, YUJI , 下山正 , SHIMOYAMA, MASASHI , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI
IPC分类号： C25D21/14 , C25D17/00 , C25D3/38 , C25D7/12
摘要：本發明提供一種用以供給鍍覆液至鍍覆槽的裝置及方法、鍍覆系統、粉體容器、及鍍覆方法。改良後的該裝置用於將氧化銅粉體向鍍覆液添加，將該鍍覆液向鍍覆槽供給。用於向鍍覆槽(2)供給使至少含有銅的粉體溶解後的鍍覆液的裝置(20)具備：料斗(27)，其具有投入口(26)，該投入口(26)可連結於收容有粉體的粉體容器(21)的粉體導管(46)；送料器(30)，其與料斗(27)的下部開口連通；電動機(31)，其與送料器(30)連結；鍍覆液箱(35)，其與送料器(30)的出口(30b)連結，使粉體溶解於鍍覆液。
简体摘要：本发明提供一种用以供给镀覆液至镀覆槽的设备及方法、镀覆系统、粉体容器、及镀覆方法。改良后的该设备用于将氧化铜粉体向镀覆液添加，将该镀覆液向镀覆槽供给。用于向镀覆槽(2)供给使至少含有铜的粉体溶解后的镀覆液的设备(20)具备：料斗(27)，其具有投入口(26)，该投入口(26)可链接于收容有粉体的粉体容器(21)的粉体导管(46)；送料器(30)，其与料斗(27)的下部开口连通；电动机(31)，其与送料器(30)链接；镀覆液箱(35)，其与送料器(30)的出口(30b)链接，使粉体溶解于镀覆液。

5. 外观设计

TWD167926S 電鍍裝置用電氣接點有权
简体标题：电镀设备用电气接点
公开(公告)号：TWD167926S
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW103300312D05
申请日：2014-03-28
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
设计人：藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI , 荒木裕二 , ARAKI, YUJI

6. 发明专利

TW201435147A Ｓｎ合金鍍敷裝置及方法审中-公开
简体标题：Ｓｎ合金镀敷设备及方法
公开(公告)号：TW201435147A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102145935
申请日：2013-12-12
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：下山正 , SHIMOYAMA, MASASHI , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI , 荒木裕二 , ARAKI, YUJI , 田村昌道 , TAMURA, MASAMICHI , 宮川俊樹 , MIYAKAWA, TOSHIKI
IPC分类号： C25B9/00 , C25B9/10 , C25D3/30 , C25C7/04 , C22C13/00
CPC分类号： C25D21/14 , C25D3/30 , C25D5/003 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008 , C25D21/10 , C25D21/18
摘要： Sn合金鍍敷裝置具有：陰離子交換膜，係將鍍敷槽之內部隔離成陰極室與陽極室，該陰極室是保持Sn合金鍍敷液，使基板浸漬於該Sn合金鍍敷液而配置，且該陽極室是保持包含Sn離子及與2價Sn離子形成錯合物之酸的陽極液，使Sn陽極浸漬於前述陽極液而配置；及電解液供給管線，將包含前述酸之電解液朝陽極室內供給；電解液供給管線，是以使陽極室內之陽極液之Sn離子濃度在預定值以上且前述酸之濃度不低於容許值的方式，朝陽極室內供給電解液，且將伴隨該電解液之供給而增加之陽極室內之陽極液供給至Sn合金鍍敷液。
简体摘要： Sn合金镀敷设备具有：阴离子交换膜，系将镀敷槽之内部隔离成阴极室与阳极室，该阴极室是保持Sn合金镀敷液，使基板浸渍于该Sn合金镀敷液而配置，且该阳极室是保持包含Sn离子及与2价Sn离子形成错合物之酸的阳极液，使Sn阳极浸渍于前述阳极液而配置；及电解液供给管线，将包含前述酸之电解液朝阳极室内供给；电解液供给管线，是以使阳极室内之阳极液之Sn离子浓度在预定值以上且前述酸之浓度不低于容许值的方式，朝阳极室内供给电解液，且将伴随该电解液之供给而增加之阳极室内之阳极液供给至Sn合金镀敷液。

7. 发明专利

TW201414388A 通孔的電鍍方法及電鍍裝置审中-公开
简体标题：通孔的电镀方法及电镀设备
公开(公告)号：TW201414388A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102128085
申请日：2013-08-06
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：下山正 , SHIMOYAMA, MASASHI , 荒木裕二 , ARAKI, YUJI , 栗山文夫 , KURIYAMA, FUMIO , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI
IPC分类号： H05K3/42
CPC分类号： C25D5/18 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D17/001 , C25D21/10 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76898
摘要：【課題】本發明是提供一種即使直徑為150~300μm左右比較大的通孔，也可在更短時間將於內部無孔隙之金屬膜確實地埋入通孔內部的電鍍方法。【解決手段】連續進行第1段鍍覆、第2段鍍覆及第3段鍍覆，前述第1鍍覆是藉由在通孔的內部形成均勻厚度的金屬膜，而實質地使通孔的直徑較小，前述第2鍍覆是使用PR脈衝電流，以形成於通孔的內部之金屬膜使通孔的中央部閉塞，前述PR脈衝電流是將正向電流與反向電流交替地反覆的PR脈衝電流，且是使正向電流值較在第1段鍍覆使用於金屬析出之鍍覆電流的電流值小者，前述第3段鍍覆是與使用於第2段鍍覆之PR脈衝的正向電流值相同，或是較其提高使用於金屬析出之鍍覆電流的電流值，使金屬膜之朝通孔內的埋入完成。
简体摘要：【课题】本发明是提供一种即使直径为150~300μm左右比较大的通孔，也可在更短时间将于内部无孔隙之金属膜确实地埋入通孔内部的电镀方法。【解决手段】连续进行第1段镀覆、第2段镀覆及第3段镀覆，前述第1镀覆是借由在通孔的内部形成均匀厚度的金属膜，而实质地使通孔的直径较小，前述第2镀覆是使用PR脉冲电流，以形成于通孔的内部之金属膜使通孔的中央部闭塞，前述PR脉冲电流是将正向电流与反向电流交替地反复的PR脉冲电流，且是使正向电流值较在第1段镀覆使用于金属析出之镀复电流的电流值小者，前述第3段镀覆是与使用于第2段镀覆之PR脉冲的正向电流值相同，或是较其提高使用于金属析出之镀复电流的电流值，使金属膜之朝通孔内的埋入完成。

8. 发明专利

TW201351517A 鍍覆方法及鍍覆裝置审中-公开
简体标题：镀覆方法及镀覆设备
公开(公告)号：TW201351517A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102110625
申请日：2013-03-26
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：南吉夫 , MINAMI, YOSHIO , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI , 岸貴士 , KISHI, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： C25D17/06 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D21/12
摘要：本發明之課題係迅速且確實地發現有關密封構件之密封性的重大不良，且即使是對於極微量之滲漏也可在事前或事後確實地發現。解決手段係一邊以密封構件66、68密封基板外周部，一邊將基板W以基板保持器18保持，並實施第1階段滲漏測試，該測試係在以基板保持器18保持基板時，以密封構件密封並在該基板保持器內部形成內部空間R，將該內部空間R真空抽氣並測試該內部空間在一定時間後是否達到特定真空壓力；並對保持第1階段滲漏測試合格之基板的基板保持器實施第2階段滲漏測試，該測試係密封內部空間並測試該內部空間之壓力在預定時間內是否有預定值以上之變化。
简体摘要：本发明之课题系迅速且确实地发现有关密封构件之密封性的重大不良，且即使是对于极微量之渗漏也可在事前或事后确实地发现。解决手段系一边以密封构件66、68密封基板外周部，一边将基板W以基板保持器18保持，并实施第1阶段渗漏测试，该测试系在以基板保持器18保持基板时，以密封构件密封并在该基板保持器内部形成内部空间R，将该内部空间R真空抽气并测试该内部空间在一定时间后是否达到特定真空压力；并对保持第1阶段渗漏测试合格之基板的基板保持器实施第2阶段渗漏测试，该测试系密封内部空间并测试该内部空间之压力在预定时间内是否有预定值以上之变化。

9. 发明专利

TWI687556B 調節板及具備該調節板的鍍覆裝置及鍍覆方法有权
简体标题：调节板及具备该调节板的镀覆设备及镀覆方法
公开(公告)号：TWI687556B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105140222
申请日：2016-12-06
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：中川洋一 , NAKAGAWA, YOICHI , 藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI
IPC分类号： C25D17/10 , H01L21/288

10. 发明专利

TW201842428A 半導體製造裝置、半導體製造裝置之故障預測方法、及半導體製造之故障預測程序审中-公开
简体标题：半导体制造设备、半导体制造设备之故障预测方法、及半导体制造之故障预测进程
公开(公告)号：TW201842428A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107108544
申请日：2018-03-14
申请人：日商荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：藤方淳平 , FUJIKATA, JUMPEI , 荒木裕二 , ARAKI, YUJI , 佐藤天星 , SATO, TENSEI , 小泉竜也 , KOIZUMI, RYUYA
IPC分类号： G05B19/418 , G05B19/406 , H01L21/67
摘要：預測為提高半導體製造裝置的故障預測精度。半導體製造裝置包含：一第一裝置；一個或多個感測器，檢測表示該第一裝置的狀態物理量；一第一計算電路，根據所檢測出的物理量計算該第一裝置的一個或多個特徵量；以及一故障預測電路，將由第一計算電路計算的一個或多個特徵量與直至第一裝置發生故障為止的一個或多個特徵量的經時變化的多個模型資料進行比較，決定多個模型資料中的與所計算的一個或多個特徵量的差為最小的模型資料，根據在該模型資料中與所計算的一個或多個特徵量的差成為最小的時刻與故障時刻的差計算故障預測時間，在故障預測時間小於預定的閾值的情況下，停止一新基板的接收。
简体摘要：预测为提高半导体制造设备的故障预测精度。半导体制造设备包含：一第一设备；一个或多个传感器，检测表示该第一设备的状态物理量；一第一计算电路，根据所检测出的物理量计算该第一设备的一个或多个特征量；以及一故障预测电路，将由第一计算电路计算的一个或多个特征量与直至第一设备发生故障为止的一个或多个特征量的经时变化的多个模型数据进行比较，决定多个模型数据中的与所计算的一个或多个特征量的差为最小的模型数据，根据在该模型数据中与所计算的一个或多个特征量的差成为最小的时刻与故障时刻的差计算故障预测时间，在故障预测时间小于预定的阈值的情况下，停止一新基板的接收。

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