专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201732834A 解碼方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：译码方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TW201732834A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106303
申请日：2016-03-02
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN-CHING , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的解碼方法。此方法包括根據第一電壓從可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞中讀取資料，其中該資料包括使用者資料串與錯誤檢查與校正碼組。此方法也包括根據第一解碼演算法對使用者資料串中至少部分的子資料單元進行解碼以獲取已解碼子資料單元。此方法還包括倘若已解碼子資料單元中的已校正位元符合一可靠度條件，將已校正位元的值回復為原始位元值。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的译码方法。此方法包括根据第一电压从可复写式非挥发性内存模块的记忆胞中读取数据，其中该数据报括用户数据串与错误检查与校正码组。此方法也包括根据第一译码算法对用户数据串中至少部分的子数据单元进行译码以获取已译码子数据单元。此方法还包括倘若已译码子数据单元中的已校正比特符合一可靠度条件，将已校正比特的值回复为原始比特值。

2. 发明专利

TW201438015A 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据读取方法、控制电路、内存模块与内存存储设备
公开(公告)号：TW201438015A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102110698
申请日：2013-03-26
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN , 許祐誠 , HSU, YU CHENG , 鄭國義 , CHENG, KUO YI
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/12 , G11C29/44
CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3436 , G11C16/349
摘要：一種資料讀取方法，用於可複寫式非揮發性記憶體模組。本方法包括施予檢測電壓至可複寫式非揮發性記憶體模組的一字元線以讀取多個驗證位元資料。本方法還包括：計算此些驗證位元資料之中被識別為第一狀態的位元資料的增加量；根據此增加量來獲取新的讀取電壓值組；並且以讀取電壓值組來更新對應此字元線的門檻電壓組。本方法更包括使用更新後的門檻電壓組從電性連接至此字元線之記憶胞所形成的實體頁面中讀取資料。基此，記憶胞中的儲存狀態能夠正確地被識別，以避免其所儲存的資料遺失。
简体摘要：一种数据读取方法，用于可复写式非挥发性内存模块。本方法包括施予检测电压至可复写式非挥发性内存模块的一字符线以读取多个验证比特数据。本方法还包括：计算此些验证比特数据之中被识别为第一状态的比特数据的增加量；根据此增加量来获取新的读取电压值组；并且以读取电压值组来更新对应此字符线的门槛电压组。本方法更包括使用更新后的门槛电压组从电性连接至此字符线之记忆胞所形成的实体页面中读取数据。基此，记忆胞中的存储状态能够正确地被识别，以避免其所存储的数据遗失。

3. 发明专利

TWI575532B 解碼方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置有权
简体标题：译码方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TWI575532B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW105106303
申请日：2016-03-02
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN-CHING , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C29/52 , G11C2029/0411

4. 发明专利

TWI550612B 資料程式化方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：数据进程化方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI550612B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104109209
申请日：2015-03-23
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN , 許祐誠 , HSU, YU CHENG , 楊其衡 , YANG, CHI HENG
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/14 , G06F3/0604 , G06F3/0619 , G06F3/0629 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F12/0802 , G06F2212/1044 , G06F2212/7203 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/4401 , G11C2029/0409 , G11C2211/5648

5. 发明专利

TWI521528B 記憶體儲存裝置、其記憶體控制器與資料處理方法有权
简体标题：内存存储设备、其内存控制器与数据处理方法
公开(公告)号：TWI521528B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW101128618
申请日：2012-08-08
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：梁立群 , LIANG, LI CHUN , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN
IPC分类号： G11C29/42 , G11C16/26
CPC分类号： G06F11/1008 , G06F11/1044 , G06F11/1068 , G11C7/1006 , H03M13/1102 , H03M13/1515 , H03M13/19 , H03M13/271 , H03M13/2778 , H03M13/2906

6. 发明专利

TWI489469B 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据读取方法、控制电路、内存模块与内存存储设备
公开(公告)号：TWI489469B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102110698
申请日：2013-03-26
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN , 許祐誠 , HSU, YU CHENG , 鄭國義 , CHENG, KUO YI
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/12 , G11C29/44
CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3436 , G11C16/349

7. 发明专利

TWI562152B 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI562152B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104117466
申请日：2015-05-29
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/34
CPC分类号： G11C29/52 , G06F11/1012 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/42 , H03M13/1102 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/2909 , H03M13/2963

8. 发明专利

TW201637019A 讀取電壓準位估測方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：读取电压准位估测方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201637019A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104111851
申请日：2015-04-14
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/08
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/44 , G11C2029/5004
摘要：一種讀取電壓準位估測方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元。所述方法包括：根據第一讀取電壓準位來讀取可複寫式非揮發性記憶體模組中的第一區域，以獲得第一編碼單元，其中所述第一編碼單元屬於區塊碼；對所述第一編碼單元執行第一解碼程序並且記錄第一解碼資訊；根據第二讀取電壓準位來讀取所述第一區域，以獲得第二編碼單元，其中所述第二編碼單元屬於所述區塊碼；對所述第二編碼單元執行第二解碼程序並且記錄第二解碼資訊；以及根據所述第一解碼資訊與所述第二解碼資訊來估測並獲得第三讀取電壓準位。藉此，可提升對於使用區塊碼之可複寫式非揮發性記憶體模組的管理能力。
简体摘要：一种读取电压准位估测方法、内存存储设备及内存控制电路单元。所述方法包括：根据第一读取电压准位来读取可复写式非挥发性内存模块中的第一区域，以获得第一编码单元，其中所述第一编码单元属于区块码；对所述第一编码单元运行第一译码进程并且记录第一译码信息；根据第二读取电压准位来读取所述第一区域，以获得第二编码单元，其中所述第二编码单元属于所述区块码；对所述第二编码单元运行第二译码进程并且记录第二译码信息；以及根据所述第一译码信息与所述第二译码信息来估测并获得第三读取电压准位。借此，可提升对于使用区块码之可复写式非挥发性内存模块的管理能力。

9. 发明专利

TW201633314A 記憶體控制電路單元、記憶體儲存裝置及資料存取方法审中-公开
简体标题：内存控制电路单元、内存存储设备及数据存取方法
公开(公告)号：TW201633314A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107464
申请日：2015-03-09
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN , 王天慶 , WANG, TIEN CHING
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/14
CPC分类号： G06F3/0688 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G11C16/34
摘要：一種記憶體控制電路單元，其包括多個資料擾亂電路與資料選擇電路。當從主機系統接收第一資料時，第一資料會被輸入至此些資料擾亂電路以分別地輸出多個第二資料。資料選擇電路依據此些第二資料的內容，選擇其中一個第二資料作為第三資料，並且此第三資料會被程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組中。基此，寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組的資料可有效地被擾亂。
简体摘要：一种内存控制电路单元，其包括多个数据扰乱电路与数据选择电路。当从主机系统接收第一数据时，第一数据会被输入至此些数据扰乱电路以分别地输出多个第二数据。数据选择电路依据此些第二数据的内容，选择其中一个第二数据作为第三数据，并且此第三数据会被进程化至可复写式非挥发性内存模块中。基此，写入至可复写式非挥发性内存模块的数据可有效地被扰乱。

10. 发明专利

TW201614669A 錯誤處理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：错误处理方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201614669A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103134558
申请日：2014-10-03
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 許祐誠 , HSU, YU CHENG , 嚴紹維 , YEN, SHAO WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 林玉祥 , LIN, YU HSIANG , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN , 梁立群 , LIANG, LI CHUN
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/04
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1012 , G11C11/5642 , G11C16/349 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/52 , G11C2029/0409
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的錯誤處理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元，此可複寫式非揮發性記憶體模組包括多個記憶胞，此錯誤處理方法包括：發送第一讀取指令序列以從所述記憶胞中讀取多個位元；對所述位元執行第一解碼；若所述位元具有至少一錯誤，判斷每一所述錯誤是屬於第一類錯誤或第二類錯誤；若所述錯誤中的第一錯誤是屬於第一類錯誤，記錄下第一錯誤的相關資訊；以及若第一錯誤是屬於第二類錯誤，不記錄第一錯誤的相關資訊。藉此，可針對特定類型的錯誤進行適當的處理。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的错误处理方法、内存存储设备及内存控制电路单元，此可复写式非挥发性内存模块包括多个记忆胞，此错误处理方法包括：发送第一读取指令串行以从所述记忆胞中读取多个比特；对所述比特运行第一译码；若所述比特具有至少一错误，判断每一所述错误是属于第一类错误或第二类错误；若所述错误中的第一错误是属于第一类错误，记录下第一错误的相关信息；以及若第一错误是属于第二类错误，不记录第一错误的相关信息。借此，可针对特定类型的错误进行适当的处理。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式