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1. 发明专利

TW201721435A 資料讀取方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：数据读取方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TW201721435A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW104141895
申请日：2015-12-14
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN-CHING , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G06F12/00 , G06F11/08
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1012 , G11C29/52
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的資料讀取方法。此方法包括依據此錯誤檢查與校正碼對使用者資料串執行錯誤校正解碼操作以產生第一已解碼資料串；搜尋第一已解碼資料串的已解碼子資料單元之中的多個無法校正子資料單元，從此些無法校正子資料單元之中選出至少一目標子資料單元，在第一已解碼資料串中調整此目標子資料單元以產生已調整使用者資料串，並且對已調整使用者資料串重新執行錯誤校正解碼操作以產生第二已解碼資料串；以及若在第二已解碼資料串中已無錯誤位元時，將第二已解碼資料串作為已校正資料串以傳送給主機系統。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的数据读取方法。此方法包括依据此错误检查与校正码对用户数据串运行错误校正译码操作以产生第一已译码数据串；搜索第一已译码数据串的已译码子数据单元之中的多个无法校正子数据单元，从此些无法校正子数据单元之中选出至少一目标子数据单元，在第一已译码数据串中调整此目标子数据单元以产生已调整用户数据串，并且对已调整用户数据串重新运行错误校正译码操作以产生第二已译码数据串；以及若在第二已译码数据串中已无错误比特时，将第二已译码数据串作为已校正数据串以发送给主机系统。

2. 发明专利

TWI561981B 資料讀取方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据读取方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TWI561981B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104141895
申请日：2015-12-14
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN-CHING , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G06F12/00 , G06F11/08
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1012 , G11C29/52

3. 发明专利

TWI670715B 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI670715B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106111497
申请日：2017-04-06
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 楊政哲 , YANG, CHENG-CHE , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C16/08 , G11C29/38

4. 发明专利

TW201805951A 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201805951A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105125706
申请日：2016-08-12
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 楊政哲 , YANG, CHENG-CHE , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/42 , G11C8/10
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0611 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G11C29/52 , H03M13/1575
摘要：一種解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元。此解碼方法包括：從可複寫式非揮發性記憶體模組的多個第一記憶胞讀取第一資料；基於第一解碼條件對所述第一資料執行第一解碼操作；以及若所述第一解碼操作符合第一預設狀態，基於第二解碼條件對所述第一資料執行第二解碼操作，其中基於所述第二解碼條件定位所述第一資料中的錯誤位元之嚴謹度高於基於所述第一解碼條件定位所述第一資料中的所述錯誤位元之嚴謹度。藉此，可提升記憶體儲存裝置的解碼效率。
简体摘要：一种译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元。此译码方法包括：从可复写式非挥发性内存模块的多个第一记忆胞读取第一数据；基于第一译码条件对所述第一数据运行第一译码操作；以及若所述第一译码操作符合第一默认状态，基于第二译码条件对所述第一数据运行第二译码操作，其中基于所述第二译码条件定位所述第一数据中的错误比特之严谨度高于基于所述第一译码条件定位所述第一数据中的所述错误比特之严谨度。借此，可提升内存存储设备的译码效率。

5. 发明专利

TWI612527B 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI612527B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105111130
申请日：2016-04-08
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 楊政哲 , YANG, HENG-JHE , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/14
CPC分类号： G11C7/00 , G06F11/1012 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411

6. 发明专利

TWI606333B 資料處理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：数据处理方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI606333B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105111796
申请日：2016-04-15
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 楊政哲 , YANG, HENG-JHE , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G06F11/10 , G06F3/06 , H03M13/11
CPC分类号： H03M13/2906 , G06F11/1012 , G06F11/1068 , G11C29/52 , G11C29/702 , H03M13/1102 , H03M13/2927 , H03M13/3776

7. 发明专利

TW201732834A 解碼方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：译码方法、内存控制电路单元及内存存储设备
公开(公告)号：TW201732834A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106303
申请日：2016-03-02
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN-CHING , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要：一種用於可複寫式非揮發性記憶體模組的解碼方法。此方法包括根據第一電壓從可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶胞中讀取資料，其中該資料包括使用者資料串與錯誤檢查與校正碼組。此方法也包括根據第一解碼演算法對使用者資料串中至少部分的子資料單元進行解碼以獲取已解碼子資料單元。此方法還包括倘若已解碼子資料單元中的已校正位元符合一可靠度條件，將已校正位元的值回復為原始位元值。
简体摘要：一种用于可复写式非挥发性内存模块的译码方法。此方法包括根据第一电压从可复写式非挥发性内存模块的记忆胞中读取数据，其中该数据报括用户数据串与错误检查与校正码组。此方法也包括根据第一译码算法对用户数据串中至少部分的子数据单元进行译码以获取已译码子数据单元。此方法还包括倘若已译码子数据单元中的已校正比特符合一可靠度条件，将已校正比特的值回复为原始比特值。

8. 发明专利

TWI691962B 解碼方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置有权
简体标题：译码方法、内存控制电路单元与内存存储设备
公开(公告)号：TWI691962B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108102585
申请日：2019-01-23
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 楊政哲 , YANG, CHENG-CHE , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/26

9. 发明专利

TW201837916A 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201837916A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106111497
申请日：2017-04-06
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 楊政哲 , YANG, CHENG-CHE , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C16/08 , G11C29/38
摘要：一種解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元，所述方法包括：從多個第一記憶胞讀取多個位元；根據第一可靠度資訊對所述位元執行第一解碼操作；以及若第一解碼操作失敗且符合預設條件，根據第二可靠度資訊對所述位元執行第二解碼操作，其中第二可靠度資訊不同於第一可靠度資訊，且第二可靠度資訊對於所述位元中的第一類錯誤的更正能力高於第一可靠度資訊對於所述第一類錯誤的更正能力。此外，所述第一類錯誤是基於錯誤資料對第一記憶胞執行特定程式化操作而產生的。
简体摘要：一种译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元，所述方法包括：从多个第一记忆胞读取多个比特；根据第一可靠度信息对所述比特运行第一译码操作；以及若第一译码操作失败且符合默认条件，根据第二可靠度信息对所述比特运行第二译码操作，其中第二可靠度信息不同于第一可靠度信息，且第二可靠度信息对于所述比特中的第一类错误的更正能力高于第一可靠度信息对于所述第一类错误的更正能力。此外，所述第一类错误是基于错误数据对第一记忆胞运行特定进程化操作而产生的。

10. 发明专利

TWI607452B 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元有权
简体标题：译码方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TWI607452B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105125706
申请日：2016-08-12
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林玉祥 , LIN, YU-HSIANG , 嚴紹維 , YEN, SHAO-WEI , 楊政哲 , YANG, CHENG-CHE , 賴國欣 , LAI, KUO-HSIN
IPC分类号： G11C29/42 , G11C8/10
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0611 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G11C29/52 , H03M13/1575

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