基本信息:
- 专利标题： 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置
- 专利标题（英）：Data reading method, and control circuit, memory module and memory storage apparatus and memory module using the same
- 专利标题（中）：数据读取方法、控制电路、内存模块与内存存储设备
- 申请号：TW102110698 申请日：2013-03-26
- 公开(公告)号：TW201438015A 公开(公告)日：2014-10-01
- 发明人： 林緯 , LIN, WEI , 王天慶 , WANG, TIEN CHING , 賴國欣 , LAI, KUO HSIN , 許祐誠 , HSU, YU CHENG , 鄭國義 , CHENG, KUO YI
- 申请人： 群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
- 申请人地址： 苗栗縣
- 专利权人： 群聯電子股份有限公司,PHISON ELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人： 群聯電子股份有限公司,PHISON ELECTRONICS CORP.
- 当前专利权人地址： 苗栗縣
- 代理人： 詹銘文; 葉璟宗
- 主分类号： G11C16/26
- IPC分类号： G11C16/26 ; G11C16/12 ; G11C29/44
A data reading method for a rewritable non-volatile memory module is provided. The method includes applying a test voltage to a word line of the rewritable non-volatile memory module to read a plurality of verification bit data. The method also includes calculating an increment of bit data identified as a first status among the verification bit data, obtaining a new read voltage value set based on the increment, and updating a threshold voltage set for the word line with the new read voltage value set. The method further includes using the updated threshold voltage set to read data from a physical page formed by memory cells connected to the word line. Accordingly, storage statuses of memory cells in the rewritable non-volatile memory module can be identified correctly, thereby preventing data stored in the memory cells from losing.
公开/授权文献:
- TWI489469B 資料讀取方法、控制電路、記憶體模組與記憶體儲存裝置 公开/授权日：2015-06-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/26 | ...读出或读电路；数据输出电路 |