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1. 发明专利

TWI570556B 記憶體系統及記憶體控制方法有权
简体标题：内存系统及内存控制方法
公开(公告)号：TWI570556B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104103609
申请日：2015-02-03
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西西安尼杭柏托 , SICILIANI, UMBERTO , 瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 迪法蘭西斯可瓦特 , DI-FRANCESCO, WALTER , 摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE , 沙曼尼奧圖安德利亞 , SMANIOTTO, ANDREA
IPC分类号： G06F12/02 , G06F9/06
CPC分类号： G06F9/328 , G06F9/321

2. 发明专利

TW201617881A 用於同時存取記憶體之不同記憶體平面之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于同时存取内存之不同内存平面之设备及方法
公开(公告)号：TW201617881A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104124149
申请日：2015-07-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 索塔安德利亞吉凡尼 , XOTTA, ANDREA GIOVANNI , 西西蘭尼溫伯特 , SICILANI, UMBERTO , 德薩帝斯魯卡 , DESANTIS, LUCA , 印卡納提米契爾 , INCARNATI, MICHELE
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0646 , G06F12/023 , G06F12/0238 , G06F2212/1016 , G06F2212/251 , G06F2212/7208
摘要：在本文中揭示用於同時存取不同記憶體平面之裝置及方法。一例示性裝置可包含一控制器，該控制器相關聯於一佇列，該佇列經組態以維持相關聯於複數個記憶體命令及位址對之各者之各自資訊。該控制器經組態以基於藉由該佇列維持之該資訊而從該複數個記憶體命令及位址對選擇記憶體命令及位址對之一群組。該例示性裝置進一步包含一記憶體，該記憶體經組態以接收記憶體命令及位址對之該群組。該記憶體經組態以同時執行相關聯於記憶體命令及位址對之該群組之記憶體存取操作。
简体摘要：在本文中揭示用于同时存取不同内存平面之设备及方法。一例示性设备可包含一控制器，该控制器相关联于一队列，该队列经组态以维持相关联于复数个内存命令及位址对之各者之各自信息。该控制器经组态以基于借由该队列维持之该信息而从该复数个内存命令及位址对选择内存命令及位址对之一群组。该例示性设备进一步包含一内存，该内存经组态以接收内存命令及位址对之该群组。该内存经组态以同时运行相关联于内存命令及位址对之该群组之内存存取操作。

3. 发明专利

TWI512736B 記憶體中的閾值電壓補償有权
简体标题：内存中的阈值电压补偿
公开(公告)号：TWI512736B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW101130887
申请日：2012-08-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE , 瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 納索吉凡尼 , NASO, GIOVANNI , 沙林維索 , SARIN, VISHAL , 瑞德凱威廉亨利 , RADKE, WILLIAM HENRY , 皮克尼西歐多T , PEKNY, THEODORE T.
IPC分类号： G11C16/26
CPC分类号： G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C2211/5641

4. 发明专利

TW201543213A 記憶體系統及記憶體控制方法审中-公开
简体标题：内存系统及内存控制方法
公开(公告)号：TW201543213A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104103609
申请日：2015-02-03
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：西西安尼杭柏托 , SICILIANI, UMBERTO , 瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 迪法蘭西斯可瓦特 , DI-FRANCESCO, WALTER , 摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE , 沙曼尼奧圖安德利亞 , SMANIOTTO, ANDREA
IPC分类号： G06F12/02 , G06F9/06
CPC分类号： G06F9/328 , G06F9/321
摘要：本發明描述記憶體系統及記憶體控制方法。根據一態樣，一記憶體系統包含：經組態儲存資料之數個記憶體胞；經組態儲存根據第一指令序列而排序之數個第一可執行指令及根據第二指令序列而排序之數個第二可執行指令之程式記憶體；經組態使用置換可執行指令來替換第一可執行指令之一之置換電路；經組態執行第一可執行指令及第二可執行指令以控制記憶體資料讀取及寫入之控制單元，其中控制單元經組態依第一指令序列而執行第一可執行指令，在執行第一可執行指令後執行置換可執行指令，因執行置換可執行指令而根據第二指令序列執行第二可執行指令。
简体摘要：本发明描述内存系统及内存控制方法。根据一态样，一内存系统包含：经组态存储数据之数个内存胞；经组态存储根据第一指令串行而排序之数个第一可运行指令及根据第二指令串行而排序之数个第二可运行指令之进程内存；经组态使用置换可运行指令来替换第一可运行指令之一之置换电路；经组态运行第一可运行指令及第二可运行指令以控制内存数据读取及写入之控制单元，其中控制单元经组态依第一指令串行而运行第一可运行指令，在运行第一可运行指令后运行置换可运行指令，因运行置换可运行指令而根据第二指令串行运行第二可运行指令。

5. 发明专利

TWI508076B 記憶體及程式化記憶體之方法有权
简体标题：内存及进程化内存之方法
公开(公告)号：TWI508076B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW101100972
申请日：2012-01-10
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡拉德普拉那 , KALAVADE, PRANAV , 合田晃 , GODA, AKIRA , 瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3454 , G11C16/3459

6. 发明专利

TW201324517A 記憶體中的閾值電壓補償审中-公开
简体标题：内存中的阈值电压补偿
公开(公告)号：TW201324517A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101130887
申请日：2012-08-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE , 瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 納索吉凡尼 , NASO, GIOVANNI , 沙林維索 , SARIN, VISHAL , 瑞德凱威廉亨利 , RADKE, WILLIAM HENRY , 皮克尼西歐多T , PEKNY, THEODORE T.
IPC分类号： G11C16/26
CPC分类号： G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C2211/5641
摘要：藉由閾值電壓佈局控制電荷儲存記憶體中之閾值電壓，以諸如提供更可靠操作及減小諸如鄰近電荷儲存元件及寄生耦合之因素之影響。鄰近程式化「侵略者」記憶體單元之閾值電壓之預補償或後補償減小一快閃記憶體系統中之閾值電壓不確定性。使用具有一資料結構(諸如一查詢表)之一緩衝器來提供可程式化閾值電壓分佈以能夠調適一多位階記憶體單元快閃記憶體中之資料狀態之分佈以諸如提供更可靠操作。
简体摘要：借由阈值电压布局控制电荷存储内存中之阈值电压，以诸如提供更可靠操作及减小诸如邻近电荷存储组件及寄生耦合之因素之影响。邻近进程化“侵略者”内存单元之阈值电压之预补偿或后补偿减小一闪存系统中之阈值电压不确定性。使用具有一数据结构(诸如一查找表)之一缓冲器来提供可进程化阈值电压分布以能够调适一多位阶内存单元闪存中之数据状态之分布以诸如提供更可靠操作。

7. 发明专利

TWI666646B 判定記憶體單元之資料狀態有权
简体标题：判定内存单元之数据状态
公开(公告)号：TWI666646B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107127535
申请日：2018-08-08
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 德薩帝斯魯卡 , DE SANTIS, LUCA , 葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C7/10 , G06F9/30

8. 发明专利

TW201921344A 判定記憶體單元之資料狀態审中-公开
简体标题：判定内存单元之数据状态
公开(公告)号：TW201921344A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107127535
申请日：2018-08-08
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 德薩帝斯魯卡 , DE SANTIS, LUCA , 葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C7/10 , G06F9/30
摘要：操作一記憶體之方法包含：針對複數個記憶體單元中之各記憶體單元判定一各別原始資料值；判定具有各原始資料值作為其各別原始資料值的該複數個記憶體單元之一第一子組之記憶體單元之數目；回應於針對各原始資料值而判定的該複數個記憶體單元之該第一子組之記憶體單元之該等數目而判定表示各對毗鄰資料狀態之間的轉變之一各別原始資料值；及針對該複數個記憶體單元之一第二子組之各記憶體單元，回應於其各別原始資料值且回應於表示毗鄰資料狀態之間的該等轉變之該等所判定原始資料值而判定該複數種資料狀態中之一各別資料狀態。
简体摘要：操作一内存之方法包含：针对复数个内存单元中之各内存单元判定一各别原始数据值；判定具有各原始数据值作为其各别原始数据值的该复数个内存单元之一第一子组之内存单元之数目；回应于针对各原始数据值而判定的该复数个内存单元之该第一子组之内存单元之该等数目而判定表示各对毗邻数据状态之间的转变之一各别原始数据值；及针对该复数个内存单元之一第二子组之各内存单元，回应于其各别原始数据值且回应于表示毗邻数据状态之间的该等转变之该等所判定原始数据值而判定该复数种数据状态中之一各别数据状态。

9. 发明专利

TWI582589B 用於同時存取記憶體之不同記憶體平面之裝置及方法有权
简体标题：用于同时存取内存之不同内存平面之设备及方法
公开(公告)号：TWI582589B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104124149
申请日：2015-07-24
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 索塔安德利亞吉凡尼 , XOTTA, ANDREA GIOVANNI , 西西蘭尼溫伯特 , SICILANI, UMBERTO , 德薩帝斯魯卡 , DESANTIS, LUCA , 印卡納提米契爾 , INCARNATI, MICHELE
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0646 , G06F12/023 , G06F12/0238 , G06F2212/1016 , G06F2212/251 , G06F2212/7208

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