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    • 2. 发明专利
    • 判定記憶體單元之資料狀態
    • 判定内存单元之数据状态
    • TW201921344A
    • 2019-06-01
    • TW107127535
    • 2018-08-08
    • 美商美光科技公司MICRON TECHNOLOGY, INC.
    • 瓦力 托馬索VALI, TOMMASO德 薩帝斯 魯卡DE SANTIS, LUCA葛德西 雷敏GHODSI, RAMIN
    • G11C7/10G06F9/30
    • 操作一記憶體之方法包含:針對複數個記憶體單元中之各記憶體單元判定一各別原始資料值;判定具有各原始資料值作為其各別原始資料值的該複數個記憶體單元之一第一子組之記憶體單元之數目;回應於針對各原始資料值而判定的該複數個記憶體單元之該第一子組之記憶體單元之該等數目而判定表示各對毗鄰資料狀態之間的轉變之一各別原始資料值;及針對該複數個記憶體單元之一第二子組之各記憶體單元,回應於其各別原始資料值且回應於表示毗鄰資料狀態之間的該等轉變之該等所判定原始資料值而判定該複數種資料狀態中之一各別資料狀態。
    • 操作一内存之方法包含:针对复数个内存单元中之各内存单元判定一各别原始数据值;判定具有各原始数据值作为其各别原始数据值的该复数个内存单元之一第一子组之内存单元之数目;回应于针对各原始数据值而判定的该复数个内存单元之该第一子组之内存单元之该等数目而判定表示各对毗邻数据状态之间的转变之一各别原始数据值;及针对该复数个内存单元之一第二子组之各内存单元,回应于其各别原始数据值且回应于表示毗邻数据状态之间的该等转变之该等所判定原始数据值而判定该复数种数据状态中之一各别数据状态。