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1. 发明专利

TWI666646B 判定記憶體單元之資料狀態有权
简体标题：判定内存单元之数据状态
公开(公告)号：TWI666646B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107127535
申请日：2018-08-08
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 德薩帝斯魯卡 , DE SANTIS, LUCA , 葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C7/10 , G06F9/30

2. 发明专利

TW201921344A 判定記憶體單元之資料狀態审中-公开
简体标题：判定内存单元之数据状态
公开(公告)号：TW201921344A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107127535
申请日：2018-08-08
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瓦力托馬索 , VALI, TOMMASO , 德薩帝斯魯卡 , DE SANTIS, LUCA , 葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C7/10 , G06F9/30
摘要：操作一記憶體之方法包含：針對複數個記憶體單元中之各記憶體單元判定一各別原始資料值；判定具有各原始資料值作為其各別原始資料值的該複數個記憶體單元之一第一子組之記憶體單元之數目；回應於針對各原始資料值而判定的該複數個記憶體單元之該第一子組之記憶體單元之該等數目而判定表示各對毗鄰資料狀態之間的轉變之一各別原始資料值；及針對該複數個記憶體單元之一第二子組之各記憶體單元，回應於其各別原始資料值且回應於表示毗鄰資料狀態之間的該等轉變之該等所判定原始資料值而判定該複數種資料狀態中之一各別資料狀態。
简体摘要：操作一内存之方法包含：针对复数个内存单元中之各内存单元判定一各别原始数据值；判定具有各原始数据值作为其各别原始数据值的该复数个内存单元之一第一子组之内存单元之数目；回应于针对各原始数据值而判定的该复数个内存单元之该第一子组之内存单元之该等数目而判定表示各对毗邻数据状态之间的转变之一各别原始数据值；及针对该复数个内存单元之一第二子组之各内存单元，回应于其各别原始数据值且回应于表示毗邻数据状态之间的该等转变之该等所判定原始数据值而判定该复数种数据状态中之一各别数据状态。

3. 发明专利

TW201511009A 使用新興非揮發性記憶體元件及快閃記憶體审中-公开
简体标题：使用新兴非挥发性内存组件及闪存
公开(公告)号：TW201511009A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103143556
申请日：2010-06-15
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/26 , G11C11/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C16/10 , G11C16/26
摘要：本發明提供記憶體裝置及操作記憶體裝置之方法，諸如涉及以新興非揮發性記憶體(NV)元件取代典型靜態及/或動態組件之一記憶體架構的彼等記憶體裝圖；該等新興NV記憶體元件可取代習用鎖存器、可充當一快閃記憶體陣列與若干個外部裝置之間之一高速介面，且亦可用作一快閃記憶體陣列之高效能快取記憶體。
简体摘要：本发明提供内存设备及操作内存设备之方法，诸如涉及以新兴非挥发性内存(NV)组件取代典型静态及/或动态组件之一内存架构的彼等内存装图；该等新兴NV内存组件可取代习用锁存器、可充当一闪存数组与若干个外部设备之间之一高速界面，且亦可用作一闪存数组之高性能高速缓存。

4. 发明专利

TWI601140B 使用新興非揮發性記憶體元件及快閃記憶體有权
简体标题：使用新兴非挥发性内存组件及闪存
公开(公告)号：TWI601140B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103143556
申请日：2010-06-15
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/26 , G11C11/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C16/10 , G11C16/26

5. 发明专利

TWI476772B 使用新興非揮發性記憶體元件及快閃記憶體有权
简体标题：使用新兴非挥发性内存组件及闪存
公开(公告)号：TWI476772B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW099119540
申请日：2010-06-15
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C11/005 , G11C13/0002 , G11C16/10 , G11C16/26

6. 发明专利

TWI590251B 用於經劃分之選擇閘源線之裝置及方法有权
简体标题：用于经划分之选择闸源线之设备及方法
公开(公告)号：TWI590251B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104134252
申请日：2015-10-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：潘芬 , PAN, FENG , 朴在寬 , PARK, JAEKWAN , 葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C8/12 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26

7. 发明专利

TW201626392A 用於經劃分之選擇閘源線之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于经划分之选择闸源线之设备及方法
公开(公告)号：TW201626392A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134252
申请日：2015-10-19
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：潘芬 , PAN, FENG , 朴在寬 , PARK, JAEKWAN , 葛德西雷敏 , GHODSI, RAMIN
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C8/12 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26
摘要：本案關於經劃分之選擇閘源線之裝置及方法。例示性裝置包含記憶體區塊之第一及第二複數個記憶體子區塊。該裝置包含與第一複數個記憶體子區塊相關之第一選擇閘控制線，及與第二複數個記憶體子區塊相關之第二選擇閘控制線。第一選擇閘控制線經耦合至第一複數個記憶體子區塊之第一複數個選擇閘開關。第二選擇閘控制線經耦合至第二複數個記憶體子區塊之第二複數個選擇閘開關。第一及第二複數個選擇閘開關經耦合至源極。該裝置包含與第一及第二複數個記憶體子區塊之各者相關的複數個記憶體存取線。
简体摘要：本案关于经划分之选择闸源线之设备及方法。例示性设备包含内存区块之第一及第二复数个内存子区块。该设备包含与第一复数个内存子区块相关之第一选择闸控制线，及与第二复数个内存子区块相关之第二选择闸控制线。第一选择闸控制线经耦合至第一复数个内存子区块之第一复数个选择闸开关。第二选择闸控制线经耦合至第二复数个内存子区块之第二复数个选择闸开关。第一及第二复数个选择闸开关经耦合至源极。该设备包含与第一及第二复数个内存子区块之各者相关的复数个内存存取线。

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