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1. 发明专利

TWI616554B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI616554B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105131144
申请日：2016-09-29
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 早野貴憲 , HAYANO, TAKANORI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L22/00

2. 发明专利

TWI540233B 基座處理方法及基座處理用板有权
简体标题：基座处理方法及基座处理用板
公开(公告)号：TWI540233B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104111361
申请日：2015-04-09
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彦 , ITO, MASAHIKO , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 鈴木克己 , SUZUKI, KATSUMI , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C30B23/02 , C30B25/12 , C30B29/36
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C30B23/063 , C30B25/10 , C30B29/36

3. 发明专利

TW201518536A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201518536A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103132791
申请日：2014-09-23
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 鈴木邦彥 , SUZUKI, KUNIHIKO , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彥 , ITO, MASAHIKO , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 內藤正美 , NAITO, MASAMI , 安達步 , ADACHI, AYUMU , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/325 , C23C16/45519 , C23C16/45565 , C23C16/4586 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B29/36
摘要：成膜裝置係具備：成膜室，其係於基板上進行成膜；圓筒型的襯裏，其係設在前述成膜室的側壁內側；製程氣體供給部，其係設在前述成膜室的上部，具有對前述襯裏的內側供給製程氣體的第1氣體噴出孔；第1加熱器，其係於前述成膜室內設在前述襯裏的外側，由上方加熱前述基板；第2加熱器，其係由下方加熱前述基板；及屏蔽氣體供給部，其係具有在比前述第1氣體噴出孔更靠前述成膜室的側壁側供給屏蔽氣體之複數的第2氣體噴出孔。
简体摘要：成膜设备系具备：成膜室，其系于基板上进行成膜；圆筒型的衬里，其系设在前述成膜室的侧壁内侧；制程气体供给部，其系设在前述成膜室的上部，具有对前述衬里的内侧供给制程气体的第1气体喷出孔；第1加热器，其系于前述成膜室内设在前述衬里的外侧，由上方加热前述基板；第2加热器，其系由下方加热前述基板；及屏蔽气体供给部，其系具有在比前述第1气体喷出孔更靠前述成膜室的侧壁侧供给屏蔽气体之复数的第2气体喷出孔。

4. 发明专利

TWI479585B 氣相成長裝置及氣相成長方法有权
简体标题：气相成长设备及气相成长方法
公开(公告)号：TWI479585B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW097117575
申请日：2008-05-13
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 平田博信 , HIRATA, HIRONOBU , 三谷慎一 , MITANI, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/205

5. 发明专利

TW201920762A 氣相成長裝置以及氣相成長方法审中-公开
简体标题：气相成长设备以及气相成长方法
公开(公告)号：TW201920762A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128907
申请日：2018-08-20
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI , 石黒暁夫 , ISHIGURO, AKIO , 伊藤英樹 , ITO, HIDEKI
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/20
摘要：實施方式的氣相成長裝置包括：反應室；基板保持部，設於反應室之中，能夠載置基板，具有含有規定的間隙而能夠對基板的外周進行保持的保持壁；製程氣體供給部，設於反應室之上，具有能夠將第1製程氣體供給至反應室的第1區域及設於第1區域的周圍能夠將與第1製程氣體相比碳/矽原子比更高的第2製程氣體供給至反應室的第2區域，第2區域的內周直徑為保持壁的直徑的75%以上且130%以下；側壁，設於反應室之中製程氣體供給部與基板保持部之間的區域，內周直徑為第2區域的外周直徑的110%以上且200%以下；第1加熱器，設於基板保持部之下；第2加熱器，設於側壁與反應室的內壁之間；以及旋轉驅動機構，使基板保持部旋轉。
简体摘要：实施方式的气相成长设备包括：反应室；基板保持部，设于反应室之中，能够载置基板，具有含有规定的间隙而能够对基板的外周进行保持的保持壁；制程气体供给部，设于反应室之上，具有能够将第1制程气体供给至反应室的第1区域及设于第1区域的周围能够将与第1制程气体相比碳/硅原子比更高的第2制程气体供给至反应室的第2区域，第2区域的内周直径为保持壁的直径的75%以上且130%以下；侧壁，设于反应室之中制程气体供给部与基板保持部之间的区域，内周直径为第2区域的外周直径的110%以上且200%以下；第1加热器，设于基板保持部之下；第2加热器，设于侧壁与反应室的内壁之间；以及旋转驱动机构，使基板保持部旋转。

6. 发明专利

TWI626331B 氣相成長裝置以及異常檢測方法有权
简体标题：气相成长设备以及异常检测方法
公开(公告)号：TWI626331B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105132122
申请日：2016-10-05
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：早野貴憲 , HAYANO, TAKANORI , 伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 飯島達彦 , IIJIMA, TATSUHIKO
IPC分类号： C23C16/46 , H01L21/205

7. 发明专利

TWI480927B 氣相成長裝置及氣相成長方法有权
简体标题：气相成长设备及气相成长方法
公开(公告)号：TWI480927B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW097117574
申请日：2008-05-13
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 平田博信 , HIRATA, HIRONOBU , 三谷慎一 , MITANI, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/00

8. 发明专利

TWI396250B 晶座、半導體製造裝置及半導體製造方法有权
简体标题：晶座、半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TWI396250B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW098114433
申请日：2009-04-30
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/46 , C30B25/12 , H01L21/68735 , H01L21/6875

9. 发明专利

TWI583822B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI583822B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW103132791
申请日：2014-09-23
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 鈴木邦彥 , SUZUKI, KUNIHIKO , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彥 , ITO, MASAHIKO , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 內藤正美 , NAITO, MASAMI , 安達步 , ADACHI, AYUMU , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/325 , C23C16/45519 , C23C16/45565 , C23C16/4586 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B29/36

10. 发明专利

TWI561663B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI561663B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103109917
申请日：2014-03-17
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC. , 電裝股份有限公司 , DENSO CORPORATION
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彦 , ITO, MASAHIKO , 內藤正美 , NAITO, MASAMI , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 安達步 , ADACHI, AYUMU , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C23C14/52 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/68785 , C23C16/4408 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B25/16 , H01L21/67109

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