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2. 发明专利

TW201920762A 氣相成長裝置以及氣相成長方法审中-公开
简体标题：气相成长设备以及气相成长方法
公开(公告)号：TW201920762A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128907
申请日：2018-08-20
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI , 石黒暁夫 , ISHIGURO, AKIO , 伊藤英樹 , ITO, HIDEKI
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/20
摘要：實施方式的氣相成長裝置包括：反應室；基板保持部，設於反應室之中，能夠載置基板，具有含有規定的間隙而能夠對基板的外周進行保持的保持壁；製程氣體供給部，設於反應室之上，具有能夠將第1製程氣體供給至反應室的第1區域及設於第1區域的周圍能夠將與第1製程氣體相比碳/矽原子比更高的第2製程氣體供給至反應室的第2區域，第2區域的內周直徑為保持壁的直徑的75%以上且130%以下；側壁，設於反應室之中製程氣體供給部與基板保持部之間的區域，內周直徑為第2區域的外周直徑的110%以上且200%以下；第1加熱器，設於基板保持部之下；第2加熱器，設於側壁與反應室的內壁之間；以及旋轉驅動機構，使基板保持部旋轉。
简体摘要：实施方式的气相成长设备包括：反应室；基板保持部，设于反应室之中，能够载置基板，具有含有规定的间隙而能够对基板的外周进行保持的保持壁；制程气体供给部，设于反应室之上，具有能够将第1制程气体供给至反应室的第1区域及设于第1区域的周围能够将与第1制程气体相比碳/硅原子比更高的第2制程气体供给至反应室的第2区域，第2区域的内周直径为保持壁的直径的75%以上且130%以下；侧壁，设于反应室之中制程气体供给部与基板保持部之间的区域，内周直径为第2区域的外周直径的110%以上且200%以下；第1加热器，设于基板保持部之下；第2加热器，设于侧壁与反应室的内壁之间；以及旋转驱动机构，使基板保持部旋转。

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