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1. 发明专利

TWI681074B 氣相成長裝置以及氣相成長方法有权
简体标题：气相成长设备以及气相成长方法
公开(公告)号：TWI681074B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107128907
申请日：2018-08-20
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI , 石黒暁夫 , ISHIGURO, AKIO , 伊藤英樹 , ITO, HIDEKI
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/20

2. 发明专利

TW201920762A 氣相成長裝置以及氣相成長方法审中-公开
简体标题：气相成长设备以及气相成长方法
公开(公告)号：TW201920762A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128907
申请日：2018-08-20
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI , 石黒暁夫 , ISHIGURO, AKIO , 伊藤英樹 , ITO, HIDEKI
IPC分类号： C23C16/54 , H01L21/20
摘要：實施方式的氣相成長裝置包括：反應室；基板保持部，設於反應室之中，能夠載置基板，具有含有規定的間隙而能夠對基板的外周進行保持的保持壁；製程氣體供給部，設於反應室之上，具有能夠將第1製程氣體供給至反應室的第1區域及設於第1區域的周圍能夠將與第1製程氣體相比碳/矽原子比更高的第2製程氣體供給至反應室的第2區域，第2區域的內周直徑為保持壁的直徑的75%以上且130%以下；側壁，設於反應室之中製程氣體供給部與基板保持部之間的區域，內周直徑為第2區域的外周直徑的110%以上且200%以下；第1加熱器，設於基板保持部之下；第2加熱器，設於側壁與反應室的內壁之間；以及旋轉驅動機構，使基板保持部旋轉。
简体摘要：实施方式的气相成长设备包括：反应室；基板保持部，设于反应室之中，能够载置基板，具有含有规定的间隙而能够对基板的外周进行保持的保持壁；制程气体供给部，设于反应室之上，具有能够将第1制程气体供给至反应室的第1区域及设于第1区域的周围能够将与第1制程气体相比碳/硅原子比更高的第2制程气体供给至反应室的第2区域，第2区域的内周直径为保持壁的直径的75%以上且130%以下；侧壁，设于反应室之中制程气体供给部与基板保持部之间的区域，内周直径为第2区域的外周直径的110%以上且200%以下；第1加热器，设于基板保持部之下；第2加热器，设于侧壁与反应室的内壁之间；以及旋转驱动机构，使基板保持部旋转。

3. 发明专利

TW202027138A 氣相成長裝置审中-公开
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TW202027138A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138659
申请日：2019-10-25
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/67 , C23C16/455
摘要：本發明的實施形態的氣相成長裝置包括：n（n為2以上的整數）個反應室；主氣體供給路徑，對所述n個反應室供給第一氣體與第二氣體的混合氣體；n條副氣體供給路徑，自所述主氣體供給路徑分支，連接於所述反應室各者，且包含1條第一副氣體供給路徑與（n-1）條第二副氣體供給路徑；第一壓力計，測定所述主氣體供給路徑中的壓力；1個第一流量控制器，設置於所述第一副氣體供給路徑；（n-1）個第二流量控制器，設置於所述第二副氣體供給路徑各者；第一控制電路，基於所述第一壓力計的測定結果，對所述第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制電路，算出由所述第一流量控制器測定的流量值與由所述第二流量控制器測定的流量值的總和的n分之一即第二流量值，並對所述第二流量控制器各者指示所述第二流量值。
简体摘要：本发明的实施形态的气相成长设备包括：n（n为2以上的整数）个反应室；主气体供给路径，对所述n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；n条副气体供给路径，自所述主气体供给路径分支，连接于所述反应室各者，且包含1条第一副气体供给路径与（n-1）条第二副气体供给路径；第一压力计，测定所述主气体供给路径中的压力；1个第一流量控制器，设置于所述第一副气体供给路径；（n-1）个第二流量控制器，设置于所述第二副气体供给路径各者；第一控制电路，基于所述第一压力计的测定结果，对所述第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，算出由所述第一流量控制器测定的流量值与由所述第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，并对所述第二流量控制器各者指示所述第二流量值。

4. 发明专利

TWI616554B 氣相成長裝置有权
简体标题：气相成长设备
公开(公告)号：TWI616554B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105131144
申请日：2016-09-29
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 早野貴憲 , HAYANO, TAKANORI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L22/00

5. 发明专利

TWI540233B 基座處理方法及基座處理用板有权
简体标题：基座处理方法及基座处理用板
公开(公告)号：TWI540233B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104111361
申请日：2015-04-09
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彦 , ITO, MASAHIKO , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 鈴木克己 , SUZUKI, KATSUMI , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C30B23/02 , C30B25/12 , C30B29/36
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C30B23/063 , C30B25/10 , C30B29/36

6. 发明专利

TW201518536A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201518536A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103132791
申请日：2014-09-23
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 鈴木邦彥 , SUZUKI, KUNIHIKO , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彥 , ITO, MASAHIKO , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 內藤正美 , NAITO, MASAMI , 安達步 , ADACHI, AYUMU , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L29/739
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/325 , C23C16/45519 , C23C16/45565 , C23C16/4586 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B29/36
摘要：成膜裝置係具備：成膜室，其係於基板上進行成膜；圓筒型的襯裏，其係設在前述成膜室的側壁內側；製程氣體供給部，其係設在前述成膜室的上部，具有對前述襯裏的內側供給製程氣體的第1氣體噴出孔；第1加熱器，其係於前述成膜室內設在前述襯裏的外側，由上方加熱前述基板；第2加熱器，其係由下方加熱前述基板；及屏蔽氣體供給部，其係具有在比前述第1氣體噴出孔更靠前述成膜室的側壁側供給屏蔽氣體之複數的第2氣體噴出孔。
简体摘要：成膜设备系具备：成膜室，其系于基板上进行成膜；圆筒型的衬里，其系设在前述成膜室的侧壁内侧；制程气体供给部，其系设在前述成膜室的上部，具有对前述衬里的内侧供给制程气体的第1气体喷出孔；第1加热器，其系于前述成膜室内设在前述衬里的外侧，由上方加热前述基板；第2加热器，其系由下方加热前述基板；及屏蔽气体供给部，其系具有在比前述第1气体喷出孔更靠前述成膜室的侧壁侧供给屏蔽气体之复数的第2气体喷出孔。

7. 发明专利

TWI479585B 氣相成長裝置及氣相成長方法有权
简体标题：气相成长设备及气相成长方法
公开(公告)号：TWI479585B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW097117575
申请日：2008-05-13
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 平田博信 , HIRATA, HIRONOBU , 三谷慎一 , MITANI, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/205

8. 发明专利

TW201723217A 位置偏移檢測裝置、氣相成長裝置以及位置偏移檢測方法审中-公开
简体标题：位置偏移检测设备、气相成长设备以及位置偏移检测方法
公开(公告)号：TW201723217A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105131144
申请日：2016-09-29
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 早野貴憲 , HAYANO, TAKANORI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L22/00
摘要：本發明的實施形態提供一種可精度良好地對晶圓等測定對象物的位置偏移進行檢測的位置偏移檢測裝置、氣相成長裝置以及位置偏移檢測方法。實施形態的位置偏移檢測裝置包括：照射部，對測定對象物射出光信號；光接收部，接收測定對象物所反射的光信號；第1光接收範圍判定部，判定光接收部中的光信號的光接收位置是否偏離預定的第1光接收範圍；以及位置偏移檢測部，在藉由第1光接收範圍判定部判定為已偏離之後，判斷為測定對象物已引起位置偏移。
简体摘要：本发明的实施形态提供一种可精度良好地对晶圆等测定对象物的位置偏移进行检测的位置偏移检测设备、气相成长设备以及位置偏移检测方法。实施形态的位置偏移检测设备包括：照射部，对测定对象物射出光信号；光接收部，接收测定对象物所反射的光信号；第1光接收范围判定部，判定光接收部中的光信号的光接收位置是否偏离预定的第1光接收范围；以及位置偏移检测部，在借由第1光接收范围判定部判定为已偏离之后，判断为测定对象物已引起位置偏移。

9. 发明专利

TWI570265B 成膜裝置，基座，及成膜方法有权
简体标题：成膜设备，基座，及成膜方法
公开(公告)号：TWI570265B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104120947
申请日：2015-06-29
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穂 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彦 , ITO, MASAHIKO , 內藤正美 , NAITO, MASAMI , 藤林裕明 , FUJIBAYASHI, HIROAKI , 鈴木克己 , SUZUKI, KATSUMI , 西川恒一 , NISHIKAWA, KOICHI
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/32
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4588 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/36

10. 发明专利

TWI543230B 碳化矽的成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：碳化硅的成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI543230B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102109225
申请日：2013-03-15
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：鈴木邦彥 , SUZUKI, KUNIHIKO , 佐藤裕輔 , SATO, YUUSUKE , 伊藤英樹 , ITO, HIDEKI , 土田秀一 , TSUCHIDA, HIDEKAZU , 鎌田功穗 , KAMATA, ISAHO , 伊藤雅彦 , ITO, MASAHIKO , 內藤正美 , NAITO, MASAMI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36

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