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1. 发明专利

TWI590285B 具有蒸發器的離子源有权
简体标题：具有蒸发器的离子源
公开(公告)号：TWI590285B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104104302
申请日：2015-02-09
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：白曉 , BAI, XIAO , 胡扣霖 , HU, KOU-LIN , 荊澤 , JING, NEAL , 陳麗暖 , CHEN, LI-NUAN , 萬志民 , WAN, ZHI-MIN , 胡邵喻 , HU, SHAO-YU
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/08

2. 发明专利

TWI463519B 監測離子束的方法與離子佈植機有权
简体标题：监测离子束的方法与离子布植机
公开(公告)号：TWI463519B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102103685
申请日：2013-01-31
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI CHENG , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/304 , H01J37/317 , H01L21/265

3. 发明专利

TW201232595A 以彎曲棒狀磁鐵調整離子束的裝置 APPARATUS FOR ADJUSTING ION BEAM BY BENDED BAR MAGNETS 审中-公开
简体标题：以弯曲棒状磁铁调整离子束的设备 APPARATUS FOR ADJUSTING ION BEAM BY BENDED BAR MAGNETS
公开(公告)号：TW201232595A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100113423
申请日：2011-04-18
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：任克川 , 萬志民
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J2237/24542
摘要：本發明揭露一種於質量分析儀與基板載台之間調整離子束的裝置。設置一或更多彎曲例如拱形、曲線狀或Z字形棒狀磁鐵以施加一或更多磁場於離子束,以在離子束通過棒狀磁鐵圍繞的空間時調整其形狀或截面。相鄰彎曲棒狀磁鐵之間至少一間隙寬度、每一彎曲棒狀磁鐵的彎曲度或曲率以及通過每一彎曲棒狀磁鐵的電流均可固定或一併或個別地調整。因此沿不同方向施加於離子束的羅侖茲力可依需求改變,而離子束可因此被拉長、壓縮或形變以滿足製程需求。
简体摘要：本发明揭露一种于质量分析仪与基板载台之间调整离子束的设备。设置一或更多弯曲例如拱形、曲线状或Z字形棒状磁铁以施加一或更多磁场于离子束,以在离子束通过棒状磁铁围绕的空间时调整其形状或截面。相邻弯曲棒状磁铁之间至少一间隙宽度、每一弯曲棒状磁铁的弯曲度或曲率以及通过每一弯曲棒状磁铁的电流均可固定或一并或个别地调整。因此沿不同方向施加于离子束的罗仑兹力可依需求改变,而离子束可因此被拉长、压缩或形变以满足制程需求。

4. 发明专利

TW201225143A 用於帶狀與點狀離子束之減速裝置 DECELERATION APPARATUS FOR RIBBON AND SPOT BEAMS 审中-公开
简体标题：用于带状与点状离子束之减速设备 DECELERATION APPARATUS FOR RIBBON AND SPOT BEAMS
公开(公告)号：TW201225143A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100138322
申请日：2011-10-21
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：懷特尼可拉斯 , 萬志民 , 克洛艾瑞克
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/05 , H01J3/04 , H01J3/26 , H01J37/1472 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/04756 , H01J2237/053 , H01J2237/057 , H01J2237/151 , H01J2237/303 , H01J2237/31701
摘要：本發明揭露可減速點狀離子束或帶狀離子束之減速裝置。本發明可控制會破壞離子束輪廓之效應。本發明可用遮罩來遮蔽離子束以減少外部電位的影響。本發明也可用位於離子束相對側並可調整位置與電位之多數個電極,確保減速與偏轉電場的形狀不會顯著偏離最佳形狀,即使是具有顯著空間電荷且由重離子組成的高電流低能量離子束。
简体摘要：本发明揭露可减速点状离子束或带状离子束之减速设备。本发明可控制会破坏离子束轮廓之效应。本发明可用遮罩来屏蔽离子束以减少外部电位的影响。本发明也可用位于离子束相对侧并可调整位置与电位之多数个电极,确保减速与偏转电场的形状不会显着偏离最佳形状,即使是具有显着空间电荷且由重离子组成的高电流低能量离子束。

5. 发明专利

TW201637081A 在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法审中-公开
简体标题：在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法
公开(公告)号：TW201637081A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105110040
申请日：2016-03-30
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：鄧念濠 , TANG, DANIEL , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 李靜宜 , LI, CHING-I , 林哲平 , LIN, GER-PIN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/74 , H01L21/265 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/76237 , H01L29/1083
摘要：本發明揭露一種在鰭式場效電晶體中形成擊穿中止區域的方法，其中，基板可被蝕刻，以形成一對凹槽，以定義鰭片構造。一部份的第一劑離子可經由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一對第一摻雜區域，其中每一第一摻雜區域至少一部份延伸到鰭片構造的一通道區域之下。位於每一凹槽底壁的基板可被蝕刻以增加每一凹槽的深度。蝕刻位於每一凹槽底壁的基板會移除一部份在每一凹槽之下的每一第一摻雜區域。在鰭片構造之下，剩下來的該對第一摻雜區域至少定義出一部份鰭片場效電晶體擊穿中止區域。
简体摘要：本发明揭露一种在鳍式场效应管中形成击穿中止区域的方法，其中，基板可被蚀刻，以形成一对凹槽，以定义鳍片构造。一部份的第一剂离子可经由每一凹槽的底壁植入基板，以在基板形成一对第一掺杂区域，其中每一第一掺杂区域至少一部份延伸到鳍片构造的一信道区域之下。位于每一凹槽底壁的基板可被蚀刻以增加每一凹槽的深度。蚀刻位于每一凹槽底壁的基板会移除一部份在每一凹槽之下的每一第一掺杂区域。在鳍片构造之下，剩下来的该对第一掺杂区域至少定义出一部份鳍片场效应管击穿中止区域。

6. 发明专利

TWI452595B 用於加速或減速離子束之電極組、離子植入系統及減速點狀或帶狀離子束之方法有权
简体标题：用于加速或减速离子束之电极组、离子植入系统及减速点状或带状离子束之方法
公开(公告)号：TWI452595B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100138322
申请日：2011-10-21
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：懷特尼可拉斯 , WHITE, NICHOLAS , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 克洛艾瑞克 , COLLART, ERIK
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/05 , H01J3/04 , H01J3/26 , H01J37/1472 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/04756 , H01J2237/053 , H01J2237/057 , H01J2237/151 , H01J2237/303 , H01J2237/31701

7. 发明专利

TWI437605B 量測離子束電流的方法與裝置有权
简体标题：量测离子束电流的方法与设备
公开(公告)号：TWI437605B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100125245
申请日：2011-07-18
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：彼得M 寇帕利帝斯 , PETER M., KOPALIDIS , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/244 , H01J37/317
CPC分类号： G01N27/404

8. 发明专利

TWI420562B 離子佈植機與調整離子束的方法有权
简体标题：离子布植机与调整离子束的方法
公开(公告)号：TWI420562B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098144967
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：任克川 , JEN, KO CHUAN , 楊允儒 , YANG, YUN JU , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/24542

9. 发明专利

TW201312620A 量測離子束電流之儀器及方法有权
简体标题：量测离子束电流之仪器及方法
公开(公告)号：TW201312620A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101126117
申请日：2012-07-19
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：彼得M 寇帕利帝斯 , PETER M., KOPALIDIS , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： G01N27/62 , G01R19/0061
摘要：本發明揭露量測離子束電流的技術，特別是用於量測低能量離子束電流。此技術可藉由一具有至少一平面法拉第杯與一電壓裝置的離子束電流量測裝置予以實現。平面法拉第杯靠近一反應室內壁的一內表面，並與一離子束路徑相交。電壓裝置位於一具有反應室內壁的反應室之外。因此，藉由適當地調整由電壓裝置施加在平面法拉第杯的電壓，一些不需要的帶電粒子會被充分地抑制。此外，平面法拉第杯可圍繞可為任何傳統法拉第杯的一額外法拉第杯之一開口。因此，整個離子束可被離子束路徑上的平面法拉第杯的大截面面積接收與量測到。
简体摘要：本发明揭露量测离子束电流的技术，特别是用于量测低能量离子束电流。此技术可借由一具有至少一平面法拉第杯与一电压设备的离子束电流量测设备予以实现。平面法拉第杯靠近一反应室内壁的一内表面，并与一离子束路径相交。电压设备位于一具有反应室内壁的反应室之外。因此，借由适当地调整由电压设备施加在平面法拉第杯的电压，一些不需要的带电粒子会被充分地抑制。此外，平面法拉第杯可围绕可为任何传统法拉第杯的一额外法拉第杯之一开口。因此，整个离子束可被离子束路径上的平面法拉第杯的大截面面积接收与量测到。

10. 发明专利

TW201630024A 具有蒸發器的離子源审中-公开
简体标题：具有蒸发器的离子源
公开(公告)号：TW201630024A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104104302
申请日：2015-02-09
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：白曉 , BAI, XIAO , 胡扣霖 , HU, KOU-LIN , 荊澤 , JING, NEAL , 陳麗暖 , CHEN, LI-NUAN , 萬志民 , WAN, ZHI-MIN , 胡邵喻 , HU, SHAO-YU
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/08
摘要：離子源可具有一蒸發器並使用以下之一或更多方式減少蒸發器內的溫差。首先，至少一熱絕緣體設置鄰近於部分容器並且遠離一特別熱源，其中蒸發器的容器由該特別熱源加熱。其次，至少一熱絕緣體設置在一加熱器周圍，其中該容器設置在蒸發器內並由加熱器加熱。第三，至少一輻射遮罩設置用於讓熱能通過一外殼與一通道元件，其中電弧室藉由通道元件機械連接至外殼。因此熱絕緣體可減少熱能損失，同時蒸發器內的溫差亦減少。此外，一具有多個開孔的中空之擴散器用於增加傳導性並減少已蒸發材料的凝結。
简体摘要：离子源可具有一蒸发器并使用以下之一或更多方式减少蒸发器内的温差。首先，至少一热绝缘体设置邻近于部分容器并且远离一特别热源，其中蒸发器的容器由该特别热源加热。其次，至少一热绝缘体设置在一加热器周围，其中该容器设置在蒸发器内并由加热器加热。第三，至少一辐射遮罩设置用于让热能通过一外壳与一信道组件，其中电弧室借由信道组件机械连接至外壳。因此热绝缘体可减少热能损失，同时蒸发器内的温差亦减少。此外，一具有多个开孔的中空之扩散器用于增加传导性并减少已蒸发材料的凝结。

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