专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201711077A 電漿基礎處理系統及其運作方法审中-公开
简体标题：等离子基础处理系统及其运作方法
公开(公告)号：TW201711077A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104129436
申请日：2015-09-04
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI-CHENG , 河合帕克洋子 , KAWAI PARKER, YOKO , 盛天予 , SHENG, TIENYU
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32422 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要：電漿基礎處理系統及其運作方法。在用以產生電漿之電漿反應室以及用以承載工件之支持結構之間，使用至少一吸收裝置來吸收部份之自電漿反應室中電漿產生空間傳輸往支持結構之電漿。在此，任一吸收裝置之材料為電性導體，並且至少一吸收裝置之結構及/或至少二吸收裝置之相對幾何關係是可以調整的。藉此，可以改變被傳輸電漿所遇到之電性導體的位置，進而改變傳輸往工件及/或支持結構之電漿在橫截面之離子電流分佈。
简体摘要：等离子基础处理系统及其运作方法。在用以产生等离子之等离子反应室以及用以承载工件之支持结构之间，使用至少一吸收设备来吸收部份之自等离子反应室中等离子产生空间传输往支持结构之等离子。在此，任一吸收设备之材料为电性导体，并且至少一吸收设备之结构及/或至少二吸收设备之相对几何关系是可以调整的。借此，可以改变被传输等离子所遇到之电性导体的位置，进而改变传输往工件及/或支持结构之等离子在横截面之离子电流分布。

2. 发明专利

TWI463519B 監測離子束的方法與離子佈植機有权
简体标题：监测离子束的方法与离子布植机
公开(公告)号：TWI463519B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102103685
申请日：2013-01-31
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI CHENG , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/304 , H01J37/317 , H01L21/265

3. 发明专利

TW201620018A 離子佈植機和離子佈植法审中-公开
简体标题：离子布植机和离子布植法
公开(公告)号：TW201620018A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103139826
申请日：2014-11-17
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：吳銘偉 , WU, MING-WEI , 林偉政 , LIN, WEI-CHENG
IPC分类号： H01L21/265
摘要：一種離子佈植機和離子佈植法，其中的離子佈植機包括一個真空腔室、一個離子束總成以及至少一個開口裝置。離子束總成用以朝向位於真空腔室內的一個工件提供一道離子束，其中工件具有至少一個摻雜區域，並且摻雜區域具有特定的尺寸和形狀。再者，開口裝置配置於真空腔室內和離子束的一個傳遞路徑上，並且具有至少一個開口。其中，開口裝置和工件之間的相對轉動使單一開口裝置上的開口或多個開口裝置所組合出的一個組合開口恰好暴露出一或多個摻雜區域，以使至少部分的離子束能通過開口或組合開口來對暴露出之一或多個摻雜區域進行離子佈植。
简体摘要：一种离子布植机和离子布植法，其中的离子布植机包括一个真空腔室、一个离子束总成以及至少一个开口设备。离子束总成用以朝向位于真空腔室内的一个工件提供一道离子束，其中工件具有至少一个掺杂区域，并且掺杂区域具有特定的尺寸和形状。再者，开口设备配置于真空腔室内和离子束的一个传递路径上，并且具有至少一个开口。其中，开口设备和工件之间的相对转动使单一开口设备上的开口或多个开口设备所组合出的一个组合开口恰好暴露出一或多个掺杂区域，以使至少部分的离子束能通过开口或组合开口来对暴露出之一或多个掺杂区域进行离子布植。

4. 发明专利

TWI587373B 離子佈植機和離子佈植法有权
简体标题：离子布植机和离子布植法
公开(公告)号：TWI587373B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW103139826
申请日：2014-11-17
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：吳銘偉 , WU, MING-WEI , 林偉政 , LIN, WEI-CHENG
IPC分类号： H01L21/265

5. 发明专利

TWI489514B 用於產生離子束的氣體混合方法及裝置有权
简体标题：用于产生离子束的气体混合方法及设备
公开(公告)号：TWI489514B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102144192
申请日：2013-12-03
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI CHENG , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 胡扣霖 , HU, KOULIN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/082 , Y10T137/0329

6. 发明专利

TW201423824A 用於產生離子束的氣體混合方法及裝置审中-公开
简体标题：用于产生离子束的气体混合方法及设备
公开(公告)号：TW201423824A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102144192
申请日：2013-12-03
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI CHENG , 萬志民 , WAN, ZHIMIN , 胡扣霖 , HU, KOULIN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/082 , Y10T137/0329
摘要：本發明揭露一種用於產生離子束，特別是含碳離子束的氣體混合方法及其裝置，其能延長產生離子束之離子源的使用壽命；藉由混合摻質氣體及輔助氣體產生離子束，能夠減少氣體與離子源之間的不必要反應，藉此得以延長離子源的使用壽命，並維持離子束的品質。
简体摘要：本发明揭露一种用于产生离子束，特别是含碳离子束的气体混合方法及其设备，其能延长产生离子束之离子源的使用寿命；借由混合掺质气体及辅助气体产生离子束，能够减少气体与离子源之间的不必要反应，借此得以延长离子源的使用寿命，并维持离子束的品质。

7. 发明专利

TW201411683A 即時監測離子束审中-公开
简体标题：实时监测离子束
公开(公告)号：TW201411683A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102103685
申请日：2013-01-31
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：林偉政 , LIN, WEI CHENG , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/304 , H01J37/317 , H01L21/265
摘要：本發明提供一種即時監測離子束的方法。首先，開啟離子佈植機，離子佈植機具有一晶圓夾持件、一法拉第杯以及一量測裝置，量測裝置設置於靠近離子束之預定離子束路徑的一特定位置。其中，法拉第杯設置於晶圓夾持件的下游位置，且量測裝置設置於晶圓夾持件的上游位置。接著，量測由法拉第杯所接收的第一離子束電流，以及量測由量測裝置所接收的第二離子束電流。藉由連續地量測第一離子束電流及第二離子束電流，即使在移動晶圓夾持件通過離子束使得法拉第杯至少部分被遮蔽的期間，仍可即時監測離子束。據此，正在進行的離子佈植程序及離子佈植機的運作可因應調整。
简体摘要：本发明提供一种实时监测离子束的方法。首先，打开离子布植机，离子布植机具有一晶圆夹持件、一法拉第杯以及一量测设备，量测设备设置于靠近离子束之预定离子束路径的一特定位置。其中，法拉第杯设置于晶圆夹持件的下游位置，且量测设备设置于晶圆夹持件的上游位置。接着，量测由法拉第杯所接收的第一离子束电流，以及量测由量测设备所接收的第二离子束电流。借由连续地量测第一离子束电流及第二离子束电流，即使在移动晶圆夹持件通过离子束使得法拉第杯至少部分被屏蔽的期间，仍可实时监测离子束。据此，正在进行的离子布植进程及离子布植机的运作可因应调整。

8. 发明专利

TW200603301A 離子植入製程中防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法 METHOD FOR PREVENTING WAFER DEFECT FOR A BATCH-TYPE ION IMPLANTER SPINNING DIRECTION PARTICLE 审中-公开
简体标题：离子植入制程中防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法 METHOD FOR PREVENTING WAFER DEFECT FOR A BATCH-TYPE ION IMPLANTER SPINNING DIRECTION PARTICLE
公开(公告)号：TW200603301A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094102206
申请日：2005-01-25
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：林偉政
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/022
摘要：本發明提出一種防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法，以解決整批式離子植入晶圓表面受微塵粒子撞擊造成缺陷的問題，其係藉由配合晶圓傾斜的方向，機動地調整轉盤系統的旋轉方向，使欲形成深顯微尺寸電路構造的晶圓的離子植入面始終不會受到微塵粒子的撞擊。本發明之方法包括：當進行正傾斜角植入時，轉盤系統旋轉的方向，調整為順時針方向，當進行負傾斜角植入時，轉盤系統旋轉的方向，調整為逆時針方向。如此，晶圓的離子植入面始終不會在轉盤系統旋轉時面對微塵粒子的撞擊，而可達成本發明之整批式離子植入製程中防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法之目的。
简体摘要：本发明提出一种防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法，以解决整批式离子植入晶圆表面受微尘粒子撞击造成缺陷的问题，其系借由配合晶圆倾斜的方向，机动地调整转盘系统的旋转方向，使欲形成深显微尺寸电路构造的晶圆的离子植入面始终不会受到微尘粒子的撞击。本发明之方法包括：当进行正倾斜角植入时，转盘系统旋转的方向，调整为顺时针方向，当进行负倾斜角植入时，转盘系统旋转的方向，调整为逆时针方向。如此，晶圆的离子植入面始终不会在转盘系统旋转时面对微尘粒子的撞击，而可达成本发明之整批式离子植入制程中防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法之目的。

9. 发明专利

TWI376732B 離子植入方法 ION IMPLANTATION METHOD 有权
简体标题：离子植入方法 ION IMPLANTATION METHOD
公开(公告)号：TWI376732B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW096127172
申请日：2007-07-26
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：林偉政 , 沈政輝
IPC分类号： H01L
摘要：一種離子植入方法，用於將離子植入一靶材，以在靶材形成一非均勻劑量分布之離子植入，此離子植入方法，係利用轉動靶材並配合一等速率掃描將複數離子植入靶材；或，亦可在不轉動靶材的前提下使用變動速率將複數離子植入靶材。不需提供濃度均勻分布的離子束即可製造出特殊劑量分布之離子植入結果，可減少製程時間且提高製程良率。
简体摘要：一种离子植入方法，用于将离子植入一靶材，以在靶材形成一非均匀剂量分布之离子植入，此离子植入方法，系利用转动靶材并配合一等速率扫描将复数离子植入靶材；或，亦可在不转动靶材的前提下使用变动速率将复数离子植入靶材。不需提供浓度均匀分布的离子束即可制造出特殊剂量分布之离子植入结果，可减少制程时间且提高制程良率。

10. 发明专利

TW201108297A 即時監控離子束 REAL-TIME MONITORING ION BEAM 审中-公开
简体标题：实时监控离子束 REAL-TIME MONITORING ION BEAM
公开(公告)号：TW201108297A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098144966
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：林偉政 , 鄭乃元
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24507 , H01J2237/30472
摘要：在現實狀況中,由分析磁鐵輸出之離子束或多或少會偏離期望軌跡。因此,偏轉離子束可能會改變晶圓上的實際植入結果,特別是當偏轉離子束與分析磁鐵碰撞時。本發明提供一種即時監測離子束偏轉的方法。首先,一些導電結構設置於離子束出口之附近,其中,每一導電結構與其他導電結構、分析磁鐵電性絕緣。然後,連續量測出現於至少一導電結構之任何電流,使得導電結構與離子束之間的任何碰撞均可被即時監測。藉由適當調整導電結構之位置/形態/數目,以及藉由適當調整導電結構與期望軌跡之相對幾何關係,偏轉離子束之偏轉角度和偏轉方向均可被即時監測。然後,進行中的植入製程和離子佈植機可以相應進行調整/維護。
简体摘要：在现实状况中,由分析磁铁输出之离子束或多或少会偏离期望轨迹。因此,偏转离子束可能会改变晶圆上的实际植入结果,特别是当偏转离子束与分析磁铁碰撞时。本发明提供一种实时监测离子束偏转的方法。首先,一些导电结构设置于离子束出口之附近,其中,每一导电结构与其他导电结构、分析磁铁电性绝缘。然后,连续量测出现于至少一导电结构之任何电流,使得导电结构与离子束之间的任何碰撞均可被实时监测。借由适当调整导电结构之位置/形态/数目,以及借由适当调整导电结构与期望轨迹之相对几何关系,偏转离子束之偏转角度和偏转方向均可被实时监测。然后,进行中的植入制程和离子布植机可以相应进行调整/维护。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式