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1. 发明专利

TWI420562B 離子佈植機與調整離子束的方法有权
简体标题：离子布植机与调整离子束的方法
公开(公告)号：TWI420562B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098144967
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：任克川 , JEN, KO CHUAN , 楊允儒 , YANG, YUN JU , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/24542

2. 发明专利

TWI325146B 離子源生成方法及裝置 METHOD AND DEVICE OF ION SOURCE GENERATION 有权
简体标题：离子源生成方法及设备 METHOD AND DEVICE OF ION SOURCE GENERATION
公开(公告)号：TWI325146B
公开(公告)日：2010-05-21
申请号：TW097104687
申请日：2008-02-05
申请人：漢辰科技股份有限公司 , 美國漢辰科技股份有限公司
发明人：鄭乃元 , 楊允儒 , 沈政輝 , 洪俊華 , 陳炯 , 盛天予 , 陳麗暖
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/08 , H01J2237/24585
摘要：一種離子源生成方法及裝置，利用離子束電流偵測器、溫度感測器、溫度控制器及冷卻系統增益離子植入機之離子反應室中的離子團簇之比例，於離子植入時，淺接合植入之效能亦隨之提高。 An implanter is equipped with an ion beam current detector, a temperature sensor, a temperature controller and a cooling system to increase the ratio of the ion cluster in an ionization chamber of the implanter, and the efficiency of implanting ion will be increased consequently. 【創作特點】本發明之一目的係提供一種離子源生成方法及裝置。其利用溫度控制器接收離子束電流偵測器所偵測之離子束電流及溫度感測器所感測之離子反應室之溫度以調節冷卻系統，進而達到控制離子反應室溫度之功能，因此可增益離子反應室內特定的離子團簇之比例。
简体摘要：一种离子源生成方法及设备，利用离子束电流侦测器、温度传感器、温度控制器及冷却系统增益离子植入机之离子反应室中的离子团簇之比例，于离子植入时，浅接合植入之性能亦随之提高。 An implanter is equipped with an ion beam current detector, a temperature sensor, a temperature controller and a cooling system to increase the ratio of the ion cluster in an ionization chamber of the implanter, and the efficiency of implanting ion will be increased consequently. 【创作特点】本发明之一目的系提供一种离子源生成方法及设备。其利用温度控制器接收离子束电流侦测器所侦测之离子束电流及温度传感器所传感之离子反应室之温度以调节冷却系统，进而达到控制离子反应室温度之功能，因此可增益离子反应室内特定的离子团簇之比例。

3. 发明专利

TW201042698A 離子佈植機與調整離子束的方法 ION IMPLANTER AND METHOD FOR ADJUSTING ION BEAM 审中-公开
简体标题：离子布植机与调整离子束的方法 ION IMPLANTER AND METHOD FOR ADJUSTING ION BEAM
公开(公告)号：TW201042698A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW098144967
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：任克川 , 楊允儒 , 萬志民
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/24542
摘要：本發明揭露一種離子佈植機與調整離子束形狀的方法。當離子束自分析磁鐵單元輸出之後，至少有一組棒狀磁鐵係用來當離子束通過棒狀磁鐵週圍的空間時調整離子束的形狀。該組棒狀磁鐵可以施加多階磁場於離子束。由於多階磁場施加非均勻磁力以改變離子的軌跡，因此離子束的不同部分將有不同的變形或變化。此外，每一棒狀磁鐵僅由一電源提供電源，該組棒狀磁鐵僅可調整多階磁場的強度。產生多階磁場的結構與技術並不限於本發明所敘述者。
简体摘要：本发明揭露一种离子布植机与调整离子束形状的方法。当离子束自分析磁铁单元输出之后，至少有一组棒状磁铁系用来当离子束通过棒状磁铁周围的空间时调整离子束的形状。该组棒状磁铁可以施加多阶磁场于离子束。由于多阶磁场施加非均匀磁力以改变离子的轨迹，因此离子束的不同部分将有不同的变形或变化。此外，每一棒状磁铁仅由一电源提供电源，该组棒状磁铁仅可调整多阶磁场的强度。产生多阶磁场的结构与技术并不限于本发明所叙述者。

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