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1. 发明专利

TWI420562B 離子佈植機與調整離子束的方法有权
简体标题：离子布植机与调整离子束的方法
公开(公告)号：TWI420562B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098144967
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：任克川 , JEN, KO CHUAN , 楊允儒 , YANG, YUN JU , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/24542

2. 发明专利

TWI402899B 低溫離子佈植的方法與裝置有权
简体标题：低温离子布植的方法与设备
公开(公告)号：TWI402899B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW098144969
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：任克川 , JEN, KO-CHUAN , 沈政輝 , SHEN, CHENG HUI
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265

3. 发明专利

TWI436444B 在掃描晶圓的過程中移動晶圓的方法與系統有权
简体标题：在扫描晶圆的过程中移动晶圆的方法与系统
公开(公告)号：TWI436444B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW099111505
申请日：2010-04-13
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：莫克彼得 , MOK, PETER , 任克川 , JEN, KO CHUAN , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/68764 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/20207 , H01J2237/20228 , H01J2237/204 , H01L21/67213 , Y10T29/53961

4. 发明专利

TWI430340B 利用可變孔隙來進行的離子佈植法以及離子佈植機有权
简体标题：利用可变孔隙来进行的离子布植法以及离子布植机
公开(公告)号：TWI430340B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW100104964
申请日：2011-02-15
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC. (US)
发明人：萬志民 , WAN, ZHIMIN , 波拉克約翰 , POLLOCK, JOHN D. , 貝瑞安唐 , BERRIAN, DON , 任克川 , JEN, CAUSON KO CHUAN
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711

5. 发明专利

TWI398910B 離子佈植機與對一晶圓進行離子佈植的方法有权
简体标题：离子布植机与对一晶圆进行离子布植的方法
公开(公告)号：TWI398910B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW099112276
申请日：2010-04-20
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：萬志民 , WAN, ZHMIN , 沈政輝 , SHEN, CHENG HUI , 任克川 , JEN, KO CHUAN
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J2237/043 , H01J2237/045 , H01J2237/30461 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483

6. 发明专利

TWI449075B 以彎曲棒狀磁鐵調整離子束的裝置有权
简体标题：以弯曲棒状磁铁调整离子束的设备
公开(公告)号：TWI449075B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW100113423
申请日：2011-04-18
申请人：漢辰科技股份有限公司 , ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人：任克川 , JEN, KO CHUAN , 萬志民 , WAN, ZHIMIN
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J2237/24542

7. 发明专利

TW201041018A 離子佈植機與對一晶圓進行離子佈植的方法 ION IMPLANTER AND METHOD FOR IMPLANTING A WAFER 审中-公开
简体标题：离子布植机与对一晶圆进行离子布植的方法 ION IMPLANTER AND METHOD FOR IMPLANTING A WAFER
公开(公告)号：TW201041018A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099112276
申请日：2010-04-20
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：萬志民 , 沈政輝 , 任克川
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J2237/043 , H01J2237/045 , H01J2237/30461 , H01J2237/30477 , H01J2237/30483
摘要：一種離子佈植機與一種對一晶圓進行離子佈植的方法,其中上述方法包括以下步驟。首先,提供至少具有需要一第一摻雜濃度的一第一部位以及需要一第二摻雜濃度的一第二部位的一晶圓。第一摻雜濃度大於第二摻雜濃度。接著,以具有第一掃描參數値的離子束掃描第一部位,以及以具有第二掃描參數値的離子束掃描第二部位。第一掃描參數値可為一第一掃描速度,並且第二掃描參數値可為不同於第一掃描速度的一第二掃描速度。或者,第一掃描參數値可為一第一離子束電流量,並且第二掃描參數値可為不同於第一離子束電流量的一第二離子束電流量。
简体摘要：一种离子布植机与一种对一晶圆进行离子布植的方法,其中上述方法包括以下步骤。首先,提供至少具有需要一第一掺杂浓度的一第一部位以及需要一第二掺杂浓度的一第二部位的一晶圆。第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。接着,以具有第一扫描参数値的离子束扫描第一部位,以及以具有第二扫描参数値的离子束扫描第二部位。第一扫描参数値可为一第一扫描速度,并且第二扫描参数値可为不同于第一扫描速度的一第二扫描速度。或者,第一扫描参数値可为一第一离子束电流量,并且第二扫描参数値可为不同于第一离子束电流量的一第二离子束电流量。

8. 发明专利

TW201232595A 以彎曲棒狀磁鐵調整離子束的裝置 APPARATUS FOR ADJUSTING ION BEAM BY BENDED BAR MAGNETS 审中-公开
简体标题：以弯曲棒状磁铁调整离子束的设备 APPARATUS FOR ADJUSTING ION BEAM BY BENDED BAR MAGNETS
公开(公告)号：TW201232595A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100113423
申请日：2011-04-18
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：任克川 , 萬志民
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J2237/24542
摘要：本發明揭露一種於質量分析儀與基板載台之間調整離子束的裝置。設置一或更多彎曲例如拱形、曲線狀或Z字形棒狀磁鐵以施加一或更多磁場於離子束,以在離子束通過棒狀磁鐵圍繞的空間時調整其形狀或截面。相鄰彎曲棒狀磁鐵之間至少一間隙寬度、每一彎曲棒狀磁鐵的彎曲度或曲率以及通過每一彎曲棒狀磁鐵的電流均可固定或一併或個別地調整。因此沿不同方向施加於離子束的羅侖茲力可依需求改變,而離子束可因此被拉長、壓縮或形變以滿足製程需求。
简体摘要：本发明揭露一种于质量分析仪与基板载台之间调整离子束的设备。设置一或更多弯曲例如拱形、曲线状或Z字形棒状磁铁以施加一或更多磁场于离子束,以在离子束通过棒状磁铁围绕的空间时调整其形状或截面。相邻弯曲棒状磁铁之间至少一间隙宽度、每一弯曲棒状磁铁的弯曲度或曲率以及通过每一弯曲棒状磁铁的电流均可固定或一并或个别地调整。因此沿不同方向施加于离子束的罗仑兹力可依需求改变,而离子束可因此被拉长、压缩或形变以满足制程需求。

9. 发明专利

TW201042711A 低溫離子佈植的方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE ION IMPLANTATION 审中-公开
简体标题：低温离子布植的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR LOW TEMPERATURE ION IMPLANTATION
公开(公告)号：TW201042711A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW098144969
申请日：2009-12-25
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：任克川 , 沈政輝
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/265
摘要：本發明揭露一種低溫離子佈植技術。當晶圓冷卻至低於離子佈植反應室外的環境溫度之後，將離子束投射至冷卻的晶圓以進行離子佈植，同時使用一溫度調節裝置冷卻晶圓。在此，溫度調節裝置可移除離子束投射至晶圓所產生的熱。然後當離子佈植製程接近完成時，關閉溫度調節裝置。因此在剩餘的離子佈植製程中，離子束投射至晶圓所產生的熱至少可部份升高被佈植之晶圓的溫度，因此當離子佈植製程結束後，移至反應室外部環境的晶圓不會有或僅有較少的水凝結的問題。
简体摘要：本发明揭露一种低温离子布植技术。当晶圆冷却至低于离子布植反应室外的环境温度之后，将离子束投射至冷却的晶圆以进行离子布植，同时使用一温度调节设备冷却晶圆。在此，温度调节设备可移除离子束投射至晶圆所产生的热。然后当离子布植制程接近完成时，关闭温度调节设备。因此在剩余的离子布植制程中，离子束投射至晶圆所产生的热至少可部份升高被布植之晶圆的温度，因此当离子布植制程结束后，移至反应室外部环境的晶圆不会有或仅有较少的水凝结的问题。

10. 发明专利

TW201140663A 利用可變孔隙來進行的離子佈植法以及離子佈植機 IMPLANT METHOD AND IMPLANTER BY USING A VARIABLE APERTURE 审中-公开
简体标题：利用可变孔隙来进行的离子布植法以及离子布植机 IMPLANT METHOD AND IMPLANTER BY USING A VARIABLE APERTURE
公开(公告)号：TW201140663A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100104964
申请日：2011-02-15
申请人：漢辰科技股份有限公司
发明人：萬志民 , 波拉克約翰 , 貝瑞安唐 , 任克川
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/48 , H01J37/09 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/24542 , H01J2237/31711
摘要：一種具有可變孔隙之孔隙調整裝置，用以先改變離子束形狀，特別是在基板附近改變離子束的最終形狀，然後再以成形後離子束來對基板進行離子佈植。因此，基板的不同部分或是不同的基板，可在不使用習知通過多個固定孔隙或是每次都要重新調整離子束等方法的情況下，分別藉由不同的成形後離子束來進行離子佈植。換句話說，不需要高成本與複雜的操作步驟，即可達成分別藉由特製離子束來進行不同離子佈植的目的。另外，相較於先前技術，由於可變孔隙的調整可藉由機械操作而易於達成，故能加速離子束調整程序，以獲得進行離子佈植的一特定離子束的離子束調整程序。
简体摘要：一种具有可变孔隙之孔隙调整设备，用以先改变离子束形状，特别是在基板附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对基板进行离子布植。因此，基板的不同部分或是不同的基板，可在不使用习知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别借由不同的成形后离子束来进行离子布植。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别借由特制离子束来进行不同离子布植的目的。另外，相较于先前技术，由于可变孔隙的调整可借由机械操作而易于达成，故能加速离子束调整进程，以获得进行离子布植的一特定离子束的离子束调整进程。

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