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1. 发明专利

TWI579418B 半導體模板及其製造方法有权
简体标题：半导体模板及其制造方法
公开(公告)号：TWI579418B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW105100886
申请日：2016-01-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：林伯融 , LIN, PO-JUNG , 吳致陞 , WU, CHIH-SHENG , 小林隆 , KOBAYASHI, TAKASHI , 鍾步青 , CHUNG, BU-CHIN
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02647 , H01L21/02658

2. 发明专利

TW201631224A 半導體模板及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体模板及其制造方法
公开(公告)号：TW201631224A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105100886
申请日：2016-01-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：林伯融 , LIN, PO-JUNG , 吳致陞 , WU, CHIH-SHENG , 小林隆 , KOBAYASHI, TAKASHI , 鍾步青 , CHUNG, BU-CHIN
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02647 , H01L21/02658
摘要：本發明提供一半導體模板，其包含：一基板、一緩衝層及一磊晶層。緩衝層位於基板的一表面，且緩衝層包括一第一次緩衝層及一第二次緩衝層，兩者依序相疊。緩衝層具有不規則的裂痕，使緩衝層具有不連續的上表面。裂痕的深度大於或等於第二次緩衝層的厚度，且小於或等於第一次緩衝層及第二次緩衝層厚度的總合。磊晶層位於緩衝層之上，並為一連續層。
简体摘要：本发明提供一半导体模板，其包含：一基板、一缓冲层及一磊晶层。缓冲层位于基板的一表面，且缓冲层包括一第一次缓冲层及一第二次缓冲层，两者依序相叠。缓冲层具有不守则的裂痕，使缓冲层具有不连续的上表面。裂痕的深度大于或等于第二次缓冲层的厚度，且小于或等于第一次缓冲层及第二次缓冲层厚度的总合。磊晶层位于缓冲层之上，并为一连续层。

3. 发明专利

TW201707052A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201707052A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105107825
申请日：2016-03-14
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：小林隆 , KOBAYASHI, TAKASHI , 林伯融 , LIN, PO-JUNG , 陳哲霖 , CHEN, CHE-LIN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/66 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7786
摘要：一種半導體裝置包含：一基板、一緩衝層、及一裝置層。緩衝層沉積於基板上，且包括至少一氮化鎵磊晶層及沉積於氮化鎵磊晶層上的至少一插入層，其中一電子捕捉元素被摻雜入氮化鎵磊晶層的一區域，該區域係為鄰近該氮化鎵磊晶層及其上的插入層之間的一介面。裝置層則形成於緩衝層之上。藉由上述結構，氮化鎵磊晶層的電子被捕捉，而降低電子遷移率，並使得來自緩衝層漏電流被抑制，因此半導體裝置的性能也就被提升。本發明亦揭露一種製造上述半導體裝置的方法。
简体摘要：一种半导体设备包含：一基板、一缓冲层、及一设备层。缓冲层沉积于基板上，且包括至少一氮化镓磊晶层及沉积于氮化镓磊晶层上的至少一插入层，其中一电子捕捉元素被掺杂入氮化镓磊晶层的一区域，该区域系为邻近该氮化镓磊晶层及其上的插入层之间的一界面。设备层则形成于缓冲层之上。借由上述结构，氮化镓磊晶层的电子被捕捉，而降低电子迁移率，并使得来自缓冲层漏电流被抑制，因此半导体设备的性能也就被提升。本发明亦揭露一种制造上述半导体设备的方法。

4. 发明专利

TW201840887A 氣相成膜裝置审中-公开
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TW201840887A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105127
申请日：2018-02-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要：本發明之課題，將提供一種可抑制（或降低）對向面之沉積物之氣相成膜裝置。本發明之課題，氣相成膜裝置10，係就由用來保持成膜用基板14之承載座12及與該承載座12對向之對向面20，往水平方向形成一流體通道40。於該流體通道40，設置一材料氣體導入口42；材料氣體導及吹掃氣體之排出口48。於該對向面20，設置複數個吹掃氣體噴嘴36，且分割成複數個吹掃區域PE1~PE3。於各吹掃區域PE1~PE3，其中於各吹掃區域設置用來調整流量之質量流量控制器（MFC）52A~52C，62A~62C。且，於各吹掃區域PE1~PE3，以該MFC52A~52C，62A~62C來控制吹掃氣體之質量流量。
简体摘要：本发明之课题，将提供一种可抑制（或降低）对向面之沉积物之气相成膜设备。本发明之课题，气相成膜设备10，系就由用来保持成膜用基板14之承载座12及与该承载座12对向之对向面20，往水平方向形成一流体信道40。于该流体信道40，设置一材料气体导入口42；材料气体导及吹扫气体之排出口48。于该对向面20，设置复数个吹扫气体喷嘴36，且分割成复数个吹扫区域PE1~PE3。于各吹扫区域PE1~PE3，其中于各吹扫区域设置用来调整流量之质量流量控制器（MFC）52A~52C，62A~62C。且，于各吹扫区域PE1~PE3，以该MFC52A~52C，62A~62C来控制吹扫气体之质量流量。

5. 发明专利

TW201811438A 應用於半導體設備之氣體噴射裝置审中-公开
简体标题：应用于半导体设备之气体喷射设备
公开(公告)号：TW201811438A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105131760
申请日：2016-09-30
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： B05B1/30 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45563 , B05B15/50 , C23C16/45508
摘要：一種應用於半導體設備之氣體噴射裝置，其包含底板、中心套蓋、進氣本體、內環蓋及外環蓋。底板包含中心區域及複數個通道，通道係以中心區域為中心而依序相鄰環設於底板上，且通道包含複數個第一、第二及第三通道。中心套蓋配置於中心區域上且與底板形成第一進氣腔體，其中中心套蓋之環壁係套接於通道上，且具有複數個第一連通開口，以分別對應連接至第一通道。進氣本體具有頂部、內環壁及外環壁，其中內環壁及外環壁之頂面與底面係分別配置連接於頂部及配置於通道上。內環蓋係配置於通道上並且介於中心套蓋與內環壁之間，以形成第二進氣腔體，其中內環蓋具有複數個第二連通開口，以分別對應連接至第二通道。外環蓋係配置於通道上並且介於內環壁與外環壁之間，以形成第三進氣腔體，其中外環蓋具有複數個第三連通開口，以分別對應連接至第三通道。
简体摘要：一种应用于半导体设备之气体喷射设备，其包含底板、中心套盖、进气本体、内环盖及外环盖。底板包含中心区域及复数个信道，信道系以中心区域为中心而依序相邻环设于底板上，且信道包含复数个第一、第二及第三信道。中心套盖配置于中心区域上且与底板形成第一进气腔体，其中中心套盖之环壁系套接于信道上，且具有复数个第一连通开口，以分别对应连接至第一信道。进气本体具有顶部、内环壁及外环壁，其中内环壁及外环壁之顶面与底面系分别配置连接于顶部及配置于信道上。内环盖系配置于信道上并且介于中心套盖与内环壁之间，以形成第二进气腔体，其中内环盖具有复数个第二连通开口，以分别对应连接至第二信道。外环盖系配置于信道上并且介于内环壁与外环壁之间，以形成第三进气腔体，其中外环盖具有复数个第三连通开口，以分别对应连接至第三信道。

6. 发明专利

TW201738407A 應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭审中-公开
简体标题：应用于化学气相沉积设备的气体分流喷头
公开(公告)号：TW201738407A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105113169
申请日：2016-04-27
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：林伯融 , LIN, PO-JUNG , 陳哲霖 , CHEN, CHE-LIN , 蔡長達 , TSAI, CHANG-DA , 鍾步青 , CHUNG, BU-CHIN
IPC分类号： C23C16/455 , B05B7/08
CPC分类号： C23C16/45576 , C23C16/18 , C23C16/45508 , C23C16/45574
摘要：本發明相關於一種應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭，該氣體分流噴頭包含至少一單層結構的氣體分流層，用以對各種氣體進行分流。此氣體分流層包含一圓盤狀主體、複數條第一氣體通道、複數條第二氣體通道、以及複數條第三氣體通道，其中，第一氣體通道、第二氣體通道、以及第三氣體通道以放射狀排列於圓盤狀主體中的同一水平面，用以供不同的氣體通過，而將不同的氣體經由不同的氣體通道於同一平面橫向注入化學氣相沈積裝置。藉此，本發明之氣體分流噴頭可以單層結構進行氣體分流。
简体摘要：本发明相关于一种应用于化学气相沉积设备的气体分流喷头，该气体分流喷头包含至少一单层结构的气体分流层，用以对各种气体进行分流。此气体分流层包含一圆盘状主体、复数条第一气体信道、复数条第二气体信道、以及复数条第三气体信道，其中，第一气体信道、第二气体信道、以及第三气体信道以放射状排列于圆盘状主体中的同一水平面，用以供不同的气体通过，而将不同的气体经由不同的气体信道于同一平面横向注入化学气相沉积设备。借此，本发明之气体分流喷头可以单层结构进行气体分流。

7. 发明专利

TWI675119B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI675119B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107105127
申请日：2018-02-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/54

8. 发明专利

TWI609720B 應用於半導體設備之氣體噴射裝置有权
简体标题：应用于半导体设备之气体喷射设备
公开(公告)号：TWI609720B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105131760
申请日：2016-09-30
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： B05B1/30 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45563 , B05B15/50 , C23C16/45508

9. 发明专利

TWI571527B 應用於化學氣相沈積裝置的氣體分流噴頭有权
简体标题：应用于化学气相沉积设备的气体分流喷头
公开(公告)号：TWI571527B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW105113169
申请日：2016-04-27
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：林伯融 , LIN, PO-JUNG , 陳哲霖 , CHEN, CHE-LIN , 蔡長達 , TSAI, CHANG-DA , 鍾步青 , CHUNG, BU-CHIN
IPC分类号： C23C16/455 , B05B7/08
CPC分类号： C23C16/45576 , C23C16/18 , C23C16/45508 , C23C16/45574

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