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1. 发明专利

TWI521089B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI521089B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW103133413
申请日：2014-09-26
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 盧柏菁 , LU, PO CHING , 薛士雍 , SHIEH, SHIH YUNG , 鍾步青 , CHUNG, BU CHIN
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/4584

2. 发明专利

TWI682059B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI682059B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107135823
申请日：2018-10-11
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 陳哲霖 , CHEN, CHE-LIN , 劉奕宏 , LIU, YI-HUNG
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52

3. 发明专利

TW201630105A 晶圓保持器审中-公开
简体标题：晶圆保持器
公开(公告)号：TW201630105A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104104677
申请日：2015-02-12
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 黃健寶 , WONG, KIAN-POH , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/67309
摘要：本發明揭露一種晶圓保持器，其包含保持器主體、支撐件及限制件。保持器主體具有圓形通孔。支撐件包含一支撐主體及複數個支撐腳。支撐主體固定於圓形通孔上，而支撐腳間隔環設於支撐主體之內側壁，用以支撐一晶圓。限制件固定於支撐主體上，且位於相鄰兩支撐腳之間，其中限制件設置對應朝向該晶圓之一平邊，用以限制晶圓產生轉動。
简体摘要：本发明揭露一种晶圆保持器，其包含保持器主体、支撑件及限制件。保持器主体具有圆形通孔。支撑件包含一支撑主体及复数个支撑脚。支撑主体固定于圆形通孔上，而支撑脚间隔环设于支撑主体之内侧壁，用以支撑一晶圆。限制件固定于支撑主体上，且位于相邻两支撑脚之间，其中限制件设置对应朝向该晶圆之一平边，用以限制晶圆产生转动。

4. 发明专利

TWI694170B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI694170B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108103706
申请日：2019-01-31
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 陳哲霖 , CHEN, CHE LIN , 劉奕宏 , LIU, YI HUNG
IPC分类号： C23C16/458

5. 发明专利

TWI675119B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI675119B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107105127
申请日：2018-02-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/54

6. 发明专利

TW201817911A 應用於沉積系統的氣體分配裝置审中-公开
简体标题：应用于沉积系统的气体分配设备
公开(公告)号：TW201817911A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135390
申请日：2016-11-01
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：米野純次 , JUNJI, KOMENO , 須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , TAKAHIRO, OISHI , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG
IPC分类号： C23C16/455
摘要：本發明揭露一種反應室中之氣體分配裝置或噴射器，包含複數大致平行擴散板以及至少一具有斜面與大致平坦頂面或斜面之凸塊，以水平引入至少二不同反應氣體分別進入反應室，以藉由避免反向擴散防止因反應氣體於低溫混合所形成之加合物的凝結。同時由於凸塊之斜面使反應氣體不會出現任何渦流或亂流
简体摘要：本发明揭露一种反应室中之气体分配设备或喷射器，包含复数大致平行扩散板以及至少一具有斜面与大致平坦顶面或斜面之凸块，以水平引入至少二不同反应气体分别进入反应室，以借由避免反向扩散防止因反应气体于低温混合所形成之加合物的凝结。同时由于凸块之斜面使反应气体不会出现任何涡流或乱流

7. 发明专利

TWI664690B 具有自動傳送系統的磊晶製程系統和其自動傳送方法有权
简体标题：具有自动发送系统的磊晶制程系统和其自动发送方法
公开(公告)号：TWI664690B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107112929
申请日：2018-04-16
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：黃健寶 , WONG, KIAN-POH , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 韓宗勳 , HAN, TSUNG-HSUN , 大石隆宏 , TAKAHIRO, OISHI , 須田昇 , NOBORU, SUDA
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677

8. 发明专利

TW201840887A 氣相成膜裝置审中-公开
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TW201840887A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107105127
申请日：2018-02-13
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , JUNJI, KOMENO , 林伯融 , LIN, PO-JUNG
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要：本發明之課題，將提供一種可抑制（或降低）對向面之沉積物之氣相成膜裝置。本發明之課題，氣相成膜裝置10，係就由用來保持成膜用基板14之承載座12及與該承載座12對向之對向面20，往水平方向形成一流體通道40。於該流體通道40，設置一材料氣體導入口42；材料氣體導及吹掃氣體之排出口48。於該對向面20，設置複數個吹掃氣體噴嘴36，且分割成複數個吹掃區域PE1~PE3。於各吹掃區域PE1~PE3，其中於各吹掃區域設置用來調整流量之質量流量控制器（MFC）52A~52C，62A~62C。且，於各吹掃區域PE1~PE3，以該MFC52A~52C，62A~62C來控制吹掃氣體之質量流量。
简体摘要：本发明之课题，将提供一种可抑制（或降低）对向面之沉积物之气相成膜设备。本发明之课题，气相成膜设备10，系就由用来保持成膜用基板14之承载座12及与该承载座12对向之对向面20，往水平方向形成一流体信道40。于该流体信道40，设置一材料气体导入口42；材料气体导及吹扫气体之排出口48。于该对向面20，设置复数个吹扫气体喷嘴36，且分割成复数个吹扫区域PE1~PE3。于各吹扫区域PE1~PE3，其中于各吹扫区域设置用来调整流量之质量流量控制器（MFC）52A~52C，62A~62C。且，于各吹扫区域PE1~PE3，以该MFC52A~52C，62A~62C来控制吹扫气体之质量流量。

9. 发明专利

TWI612176B 應用於沉積系統的氣體分配裝置有权
简体标题：应用于沉积系统的气体分配设备
公开(公告)号：TWI612176B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105135390
申请日：2016-11-01
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：米野純次 , JUNJI, KOMENO , 須田昇 , NOBORU, SUDA , 大石隆宏 , TAKAHIRO, OISHI , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/45576 , C23C16/46

10. 发明专利

TW201531589A 氣相成膜裝置审中-公开
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TW201531589A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103133413
申请日：2014-09-26
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 盧柏菁 , LU, PO CHING , 薛士雍 , SHIEH, SHIH YUNG , 鍾步青 , CHUNG, BU CHIN
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/4584
摘要：提供一種可以較少氣體消耗量同時實現高揮發成分元素分壓、較快流速然後和緩的成膜速度曲線之三要素的成膜裝置。反應器構造係由圓板狀晶座、基板自轉公轉之機構、對向於該圓板狀晶座之對向面形成構件、噴射部、材料氣體之導入部以及氣體排氣部來加以構成。基板係藉由基板保持構件(Wafer Holder)加以保持，基板保持構件係被保持於圓板狀晶座之承受部。圓板狀晶座係相對其中心軸旋轉，同時基板會自轉。對向面形成構件由於係放射狀地交互形成有扇形之凹部及凸部的構造，故流道高度會在周圍方向改變。因此，可以較少載體氣體流量實現與以往裝置之最佳條件相同的成膜品質，可讓揮發成分元素之材料氣體分壓較以往要大幅提高。
简体摘要：提供一种可以较少气体消耗量同时实现高挥发成分元素分压、较快流速然后和缓的成膜速度曲线之三要素的成膜设备。反应器构造系由圆板状晶座、基板自转公转之机构、对向于该圆板状晶座之对向面形成构件、喷射部、材料气体之导入部以及气体排气部来加以构成。基板系借由基板保持构件(Wafer Holder)加以保持，基板保持构件系被保持于圆板状晶座之承受部。圆板状晶座系相对其中心轴旋转，同时基板会自转。对向面形成构件由于系放射状地交互形成有扇形之凹部及凸部的构造，故流道高度会在周围方向改变。因此，可以较少载体气体流量实现与以往设备之最佳条件相同的成膜品质，可让挥发成分元素之材料气体分压较以往要大幅提高。

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