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1. 发明专利

TW275132B 處理裝置失效
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW275132B
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：TW084109121
申请日：1995-08-31
申请人：東京電子FE股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：小美野光明 , 岩田輝夫 , 根深憲司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109
摘要：本發明揭示一種處理裝置，具備有，載置被處理體之絕緣體及配設在其內部用以對被處理體加熱之電阻發熱體所構成之加熱器，設有從處理室外延伸主其內部之供電線，及連接此供電線與電阻發熱體之端子之供電機構，以及，圍繞供電線中。在處理室內之部分與端子之金屬管。而經由排形管，以吸引器排出處理室內之氣體之該處理裝置備有，配置在處理室內壁，將處理室內之氣體加熱之第(1)加熱器，以及，在排氣管之各處，獨立對流適於排氣管內之氣體加熱之第(2)加熱器。
简体摘要：本发明揭示一种处理设备，具备有，载置被处理体之绝缘体及配设在其内部用以对被处理体加热之电阻发热体所构成之加热器，设有从处理室外延伸主其内部之供电线，及连接此供电线与电阻发热体之端子之供电机构，以及，围绕供电线中。在处理室内之部分与端子之金属管。而经由排形管，以吸引器排出处理室内之气体之该处理设备备有，配置在处理室内壁，将处理室内之气体加热之第(1)加热器，以及，在排气管之各处，独立对流适于排气管内之气体加热之第(2)加热器。

2. 发明专利

TW293137B 減壓.常壓處理裝置失效
简体标题：减压.常压处理设备
公开(公告)号：TW293137B
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：TW084105944
申请日：1995-06-10
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：小美野光明 , 佐伯弘明 , 淺川輝雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67126 , C23C16/4404 , C23C16/54 , F16K51/02 , H01L21/67745 , Y10T137/599
摘要：本發明，係關於減壓．常壓處理裝置。
把具有將被處理體以減壓程序處理的多數減壓處理部，和把在該減壓處理部之處理前或處理後的被處理體予以常壓程序處理之常壓處理部，以載置鎖固室連結。減壓處理部，將在配置有機器人臂的減壓搬送室，把多數之減壓程序處理室組由閘閥連結而構成。當壓處理部，將在機器人臂的周圍配置多數之常壓程序處理室而構成。載置鎖固室，將配置在２個機器人臂的搬送範圍重疊之位置。同時，把開閉載置鎖固室和處理室之間的搬送口之閘閥，由其表面將曝露在處理室環境的表層部份，和其背面側之基體部份構成，將其表層部份對基體部份例如根據螺絲安裝成自由裝卸，構成能夠只更換表層部份。
简体摘要：本发明，系关于减压．常压处理设备。把具有将被处理体以减压进程处理的多数减压处理部，和把在该减压处理部之处理前或处理后的被处理体予以常压进程处理之常压处理部，以载置锁固室链接。减压处理部，将在配置有机器人臂的减压搬送室，把多数之减压进程处理室组由闸阀链接而构成。当压处理部，将在机器人臂的周围配置多数之常压进程处理室而构成。载置锁固室，将配置在２个机器人臂的搬送范围重叠之位置。同时，把开闭载置锁固室和处理室之间的搬送口之闸阀，由其表面将曝露在处理室环境的表层部份，和其背面侧之基体部份构成，将其表层部份对基体部份例如根据螺丝安装成自由装卸，构成能够只更换表层部份。

3. 发明专利

TW297986B 電漿處理裝置以及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备以及等离子处理方法
公开(公告)号：TW297986B
公开(公告)日：1997-02-11
申请号：TW083101059
申请日：1994-02-08
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：上田庸一 , 小美野光明 , 川上聰 , 出口洋一
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/5096 , H01J37/32174 , H01J37/32935
摘要：本發明主要係一電漿處理裝置﹐具有﹕用於載置作為被處理體之半導體晶片而作為下部電極之電納 ﹙ susceptor﹚﹐與該電納對向而設置之上部電極﹐將高周波電力供給到第１及第２電極間的高周波電源﹐將電漿形成用之處理氣體導入到第１及第２電極間的機構以及用於檢測第１電極之偏向電位之偏向電位檢測機構。而偏向電位檢測機構具有被設在半導體晶片附近的檢測端子。
简体摘要：本发明主要系一等离子处理设备﹐具有﹕用于载置作为被处理体之半导体芯片而作为下部电极之电纳 ﹙ susceptor﹚﹐与该电纳对向而设置之上部电极﹐将高周波电力供给到第１及第２电极间的高周波电源﹐将等离子形成用之处理气体导入到第１及第２电极间的机构以及用于检测第１电极之偏向电位之偏向电位检测机构。而偏向电位检测机构具有被设在半导体芯片附近的检测端子。

4. 发明专利

TW296535B 電漿處理方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW296535B
公开(公告)日：1997-01-21
申请号：TW084106133
申请日：1995-06-15
申请人：東京電子山梨股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：瀨圭三 , 小美野光明 , 友安昌幸 , 永關一也 , 竹中裕人 , 西川浩 , ?本禎男
IPC分类号： H05H
摘要：本發明係關於電漿處理方法，降低製造室內之壓力，並排氣，將晶圓裝置於電納上，由噴射式電極朝向晶圓來供應處理用氣體，對電納來施加比處理用氣體的固有之下端離子遷移頻率更低的第1頻率CC之高周波電力，及對噴射式電極來施加比處理用氣體的固有之上端離子遷移頻率更高的第2頻率CC之高周波電力。
简体摘要：本发明系关于等离子处理方法，降低制造室内之压力，并排气，将晶圆设备于电纳上，由喷射式电极朝向晶圆来供应处理用气体，对电纳来施加比处理用气体的固有之下端离子迁移频率更低的第1频率CC之高周波电力，及对喷射式电极来施加比处理用气体的固有之上端离子迁移频率更高的第2频率CC之高周波电力。

5. 发明专利

TW262566B 處理裝置之控制方法失效
简体标题：处理设备之控制方法
公开(公告)号：TW262566B
公开(公告)日：1995-11-11
申请号：TW083105983
申请日：1994-06-30
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：小美野光明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/463 , C23C14/541 , C23C14/564 , C23C16/4401 , C23C16/46 , C23C16/466 , H01J2237/2001
摘要：本發明係提供一種處理裝置之控制方法，其主要係控制一處理裝置，該處理裝置包括：可調整到所希望之減壓環境的處理室，被設置在處理室內而用於載置被處理體之載置台，被設在載置台之冷媒收容部，以及冷媒供給到冷媒收容部，而自冷媒收容部排出冷媒之冷媒供給系統。此外則具備有；利用藉冷媒供給系統被供給到冷媒收容部之冷媒的傳熱而將載置台冷卻，而邊降低被處理體之溫度邊對被處理體實施處理的工程以及在讓處理裝置內之溫度上昇之際，會對在構成處理裝置之構件中會捕捉水分之微小間隙部附近實施加熱的工程。
简体摘要：本发明系提供一种处理设备之控制方法，其主要系控制一处理设备，该处理设备包括：可调整到所希望之减压环境的处理室，被设置在处理室内而用于载置被处理体之载置台，被设在载置台之冷媒收容部，以及冷媒供给到冷媒收容部，而自冷媒收容部排出冷媒之冷媒供给系统。此外则具备有；利用藉冷媒供给系统被供给到冷媒收容部之冷媒的传热而将载置台冷却，而边降低被处理体之温度边对被处理体实施处理的工程以及在让处理设备内之温度上升之际，会对在构成处理设备之构件中会捕捉水分之微小间隙部附近实施加热的工程。

6. 发明专利

TW344086B 低壓CVD裝置之真空排氣系統失效
简体标题：低压CVD设备之真空排气系统
公开(公告)号：TW344086B
公开(公告)日：1998-11-01
申请号：TW084106882
申请日：1995-07-04
申请人：東京電子東北股份有限公司 , 東京電子股份有限公司
发明人：小美野光明 , 北村昌幸 , 荒見淳一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4412
摘要：本發明之真空排氣系統係具備：靠近成膜室並與其相連接之具有廣域真空排氣能力以及大排氣速度的主泵（ pump）、及具有小排氣速度並經由小口徑的輔助配管與此主泵的排氣側相連接的輔助泵。如此，因為是將具有廣域真空排氣能力及大排氣速度的主泵連接在成膜室附近，所以能夠提高其排氣特性，而且能夠使主泵之下流側之補助配管小口徑化以及使補助泵小型化。又，因為將具有小排氣速度的輔助泵經由小口徑的輔助配管與主泵的排氣側相連接，所以能夠使系統全體小型化並減低成本。
简体摘要：本发明之真空排气系统系具备：靠近成膜室并与其相连接之具有广域真空排气能力以及大排气速度的主泵（ pump）、及具有小排气速度并经由小口径的辅助配管与此主泵的排气侧相连接的辅助泵。如此，因为是将具有广域真空排气能力及大排气速度的主泵连接在成膜室附近，所以能够提高其排气特性，而且能够使主泵之下流侧之补助配管小口径化以及使补助泵小型化。又，因为将具有小排气速度的辅助泵经由小口径的辅助配管与主泵的排气侧相连接，所以能够使系统全体小型化并减低成本。

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