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1. 实用新型

TW290217U 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW290217U
公开(公告)日：1996-11-01
申请号：TW084201388
申请日：1994-03-01
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：小山士郎 , 川上聰 , 出口洋一 , 石川賢治
IPC分类号： H05H
摘要：本創作係在電漿形成用之相對向電極之一方配設有靜電吸盤及被處理體推上用之銷。推上用銷和感應器成電性的連接。與給予感應器之ＲＦ（射頻）電力的供給電路成並聯而配設之用以放電可能有帶電於感應器之電荷。因此，能放電殘留於供電力給予感應器上之電荷之同時，並能防止堆上用銷和感應器間之異常放電。
简体摘要：本创作系在等离子形成用之相对向电极之一方配设有静电吸盘及被处理体推上用之销。推上用销和感应器成电性的连接。与给予感应器之ＲＦ（射频）电力的供给电路成并联而配设之用以放电可能有带电于感应器之电荷。因此，能放电残留于供电力给予感应器上之电荷之同时，并能防止堆上用销和感应器间之异常放电。

2. 实用新型

TW282159U 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW282159U
公开(公告)日：1996-07-21
申请号：TW084201604
申请日：1994-02-25
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：川上聰 , 出口洋一 , 荒見淳一 , 鈴木剛
IPC分类号： H01L , H05H
摘要：本創作係在以靜電砐盤被保持於電漿處理室內之電漿產生用下部電極上的半導體晶片背面側，供給Ｈｅ（氦）等之背面側氣體之同時，並進行電漿處理時，為了防止經由背面側氣體導入管在下部電極和接地構件之間有可能產生之放電，而在下部電極和接地構件間之絕緣體內位置且在氣體導入管內嵌入有朝軸方向延伸之具備多數小孔的流通孔之由２種類電氣絕緣材所形成之圓柱狀流道構件。由而背面側氣體之氣體流道之直徑變小，以致放開始電壓變為高而可防止放電，又流通孔圓形成多數孔，故能確保大的導率。背面側氣體係在電漿處理後，會經由氣體導入管被排出，由而能防止水分殘留於晶片和靜電吸盤之間，處理室內有水分殘留之情事，以致形成可防止晶片電化（帶電）及可縮短處理室之排氣時間。
简体摘要：本创作系在以静电砐盘被保持于等离子处理室内之等离子产生用下部电极上的半导体芯片背面侧，供给Ｈｅ（氦）等之背面侧气体之同时，并进行等离子处理时，为了防止经由背面侧气体导入管在下部电极和接地构件之间有可能产生之放电，而在下部电极和接地构件间之绝缘体内位置且在气体导入管内嵌入有朝轴方向延伸之具备多数小孔的流通孔之由２种类电气绝缘材所形成之圆柱状流道构件。由而背面侧气体之气体流道之直径变小，以致放开始电压变为高而可防止放电，又流通孔圆形成多数孔，故能确保大的导率。背面侧气体系在等离子处理后，会经由气体导入管被排出，由而能防止水分残留于芯片和静电吸盘之间，处理室内有水分残留之情事，以致形成可防止芯片电化（带电）及可缩短处理室之排气时间。

3. 发明专利

TW297986B 電漿處理裝置以及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备以及等离子处理方法
公开(公告)号：TW297986B
公开(公告)日：1997-02-11
申请号：TW083101059
申请日：1994-02-08
申请人：東京電子股份有限公司
发明人：上田庸一 , 小美野光明 , 川上聰 , 出口洋一
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/5096 , H01J37/32174 , H01J37/32935
摘要：本發明主要係一電漿處理裝置﹐具有﹕用於載置作為被處理體之半導體晶片而作為下部電極之電納 ﹙ susceptor﹚﹐與該電納對向而設置之上部電極﹐將高周波電力供給到第１及第２電極間的高周波電源﹐將電漿形成用之處理氣體導入到第１及第２電極間的機構以及用於檢測第１電極之偏向電位之偏向電位檢測機構。而偏向電位檢測機構具有被設在半導體晶片附近的檢測端子。
简体摘要：本发明主要系一等离子处理设备﹐具有﹕用于载置作为被处理体之半导体芯片而作为下部电极之电纳 ﹙ susceptor﹚﹐与该电纳对向而设置之上部电极﹐将高周波电力供给到第１及第２电极间的高周波电源﹐将等离子形成用之处理气体导入到第１及第２电极间的机构以及用于检测第１电极之偏向电位之偏向电位检测机构。而偏向电位检测机构具有被设在半导体芯片附近的检测端子。

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