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1. 发明专利

TW381273B Bi系鐵電薄膜形成用途佈液及使用該塗佈液所形成之鐵電薄膜,鐵電電容器,鐵電記憶體,及此等物件的製造方失效
简体标题： Bi系铁电薄膜形成用途布液及使用该涂布液所形成之铁电薄膜,铁电电容器,铁电内存,及此等对象的制造方
公开(公告)号：TW381273B
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：TW086119097
申请日：1997-12-17
申请人：東京應化工業股份有限公司 , 沖電氣工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏 , 橋本晃 , 小岩一郎 , 見田充郎 , 岡田幸久 , 金原隆雄 , 加藤博代
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L21/02197 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要：本發明係有關一種由含有Bi、A金屬元素(但A係至少一種選自Bi、Pb、Ba、Sr、Ca、Na、K及稀土類元素中的金屬元素)、及B金屬元素(但B為至少一種選自Ti、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co及 Cr中的金屬元素)之各屬醇鹽、且含有這些各金屬醇鹽之任二種以上形成複合金屬醇鹽的複合金屬醇鹽類經水解所得之有機金屬化合物、且含有理論值之l－l.l莫耳倍量之Bi系鐵電薄膜用塗佈液、及使用該塗佈液所形成之鐵電薄膜、鐵電電容器、鐵電記憶體及這些的製造方法。
简体摘要：本发明系有关一种由含有Bi、A金属元素(但A系至少一种选自Bi、Pb、Ba、Sr、Ca、Na、K及稀土类元素中的金属元素)、及B金属元素(但B为至少一种选自Ti、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co及 Cr中的金属元素)之各属醇盐、且含有这些各金属醇盐之任二种以上形成复合金属醇盐的复合金属醇盐类经水解所得之有机金属化合物、且含有理论值之l－l.l莫耳倍量之Bi系铁电薄膜用涂布液、及使用该涂布液所形成之铁电薄膜、铁电电容器、铁电内存及这些的制造方法。

2. 发明专利

TW455884B 形成BI系鐵電薄膜用塗佈液及使用該塗佈液所形成之鐵電薄膜,鐵電電容器,鐵電記憶體,及此等物件的製造方法失效
简体标题：形成BI系铁电薄膜用涂布液及使用该涂布液所形成之铁电薄膜,铁电电容器,铁电内存,及此等对象的制造方法
公开(公告)号：TW455884B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW086119089
申请日：1997-12-17
申请人：東京應化工業股份有限公司 , 沖電氣工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏 , 橋本晃 , 逢哲彌 , 小岩一郎 , 見田充郎 , 岡田幸久 , 加藤博代
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L21/02356 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L28/55 , Y10T428/24917
摘要：本發明係有關一種由含有Ｂｉ、Ａ金屬元素（但Ａ係至少一種選自Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ及稀土類元素中的金屬元素）、及Ｂ金屬元素（但Ｂ為至少一種選自Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及Ｃｒ中的金屬元素）之各屬醇鹽、且含有這些各金屬醇鹽之任二種以上形成複合金屬醇鹽的複合金屬醇鹽類之形成Ｂｉ系鐵電薄膜用塗佈液、及使用該塗佈液所形成之鐵電薄膜、鐵電電容器、鐵電記憶體及這些的製造方法。
简体摘要：本发明系有关一种由含有Ｂｉ、Ａ金属元素（但Ａ系至少一种选自Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ及稀土类元素中的金属元素）、及Ｂ金属元素（但Ｂ为至少一种选自Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及Ｃｒ中的金属元素）之各属醇盐、且含有这些各金属醇盐之任二种以上形成复合金属醇盐的复合金属醇盐类之形成Ｂｉ系铁电薄膜用涂布液、及使用该涂布液所形成之铁电薄膜、铁电电容器、铁电内存及这些的制造方法。

3. 发明专利

TW201805376A 雜質擴散劑組成物、及半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：杂质扩散剂组成物、及半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201805376A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106107812
申请日：2017-03-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO , 高橋優 , TAKAHASHI, YU , 大橋卓矢 , OHHASHI, TAKUYA
IPC分类号： C09D11/033 , C09D11/36 , C09D11/52 , C09D5/24 , H01L21/228
CPC分类号： H01L21/228 , C09D5/24 , C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/30 , C09D11/36 , C09D11/38 , C09D11/52 , H01L21/2225
摘要：本發明課題在於提供一種對使雜質擴散成分擴散之對象的半導體基板，即使於其表面具有奈米級之微小空隙的三維構造具備於該基板表面時，亦可包含微小空隙的內表面整面地均勻地塗佈，藉此可使硼良好且均勻地於半導體基板擴散的擴散劑組成物、及使用該擴散劑組成物之半導體基板之製造方法。解決手段為在包含雜質擴散成分(A)、與可藉由水解生成矽醇基的Si化合物(B)之擴散劑組成物中，使雜質擴散成分(A)含有包含特定結構的硼之錯合物。
简体摘要：本发明课题在于提供一种对使杂质扩散成分扩散之对象的半导体基板，即使于其表面具有奈米级之微小空隙的三维构造具备于该基板表面时，亦可包含微小空隙的内表面整面地均匀地涂布，借此可使硼良好且均匀地于半导体基板扩散的扩散剂组成物、及使用该扩散剂组成物之半导体基板之制造方法。解决手段为在包含杂质扩散成分(A)、与可借由水解生成硅醇基的Si化合物(B)之扩散剂组成物中，使杂质扩散成分(A)含有包含特定结构的硼之错合物。

4. 发明专利

TWI498393B 空氣間隙形成用二氧化矽系膜形成材料及空氣間隙之形成方法有权
简体标题：空气间隙形成用二氧化硅系膜形成材料及空气间隙之形成方法
公开(公告)号：TWI498393B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100103109
申请日：2011-01-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO
IPC分类号： C09D183/04 , H01L21/764
CPC分类号： C08L83/04 , H01L21/764

5. 发明专利

TW201705224A 半導體基板的製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板的制造方法
公开(公告)号：TW201705224A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109230
申请日：2016-03-24
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L29/167 , H01L21/324
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：本發明提供半導體基板之製造方法，係將含有雜質擴散成分之擴散劑組成物塗佈於半導體基板上後，加熱所形成之塗佈膜，使雜質擴散成分擴散至半導體基板中之半導體基板之製造方法，其以奈米等級之膜厚塗佈擴散劑組成物且藉由短時間之熱處理，可使雜質擴散成分良好地擴散至半導體基板中。作為擴散劑組成物使用包含雜質擴散成分(A)與具有異氰酸酯基之特定構造之Si化合物(B)之組成物時，擴散劑組成物以30nm以下之膜厚塗佈於半導體基板上，且藉由特定方法短時間加熱擴散劑組成物之塗佈膜。
简体摘要：本发明提供半导体基板之制造方法，系将含有杂质扩散成分之扩散剂组成物涂布于半导体基板上后，加热所形成之涂布膜，使杂质扩散成分扩散至半导体基板中之半导体基板之制造方法，其以奈米等级之膜厚涂布扩散剂组成物且借由短时间之热处理，可使杂质扩散成分良好地扩散至半导体基板中。作为扩散剂组成物使用包含杂质扩散成分(A)与具有异氰酸酯基之特定构造之Si化合物(B)之组成物时，扩散剂组成物以30nm以下之膜厚涂布于半导体基板上，且借由特定方法短时间加热扩散剂组成物之涂布膜。

6. 发明专利

TWI327683B 微影蝕刻用洗滌液及使用其之光阻圖型形成方法 LITHOGRAPHIC RINSE SOLUTION AND RESIST-PATTERN FORMING METHOD USING SAME 有权
简体标题：微影蚀刻用洗涤液及使用其之光阻图型形成方法 LITHOGRAPHIC RINSE SOLUTION AND RESIST-PATTERN FORMING METHOD USING SAME
公开(公告)号：TWI327683B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW094143452
申请日：2005-12-08
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏 , 越山淳 , 脇屋和正 , 宮本敦史 , 田島秀和
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D11/0047
摘要：本發明提供一種洗滌液，其係藉由在使用微影技術形成光阻之際，減少製品之表面缺陷的所謂瑕疵、抑制水洗滌時之圖型崩塌、且賦予對電子線照射之耐性、防止圖型之收縮，可有效提升製品之收率，且促進去除水份之速度，能提高生產效率之洗滌液。該微影用洗滌液係由含有水溶性含氮雜環化合物之水性溶液所成。又，使用其洗滌液，藉由依順序進行下述之步驟，形成光阻圖型。
(A)在基板上設置光阻膜之步驟；(B)對該光阻膜，透過光罩圖型，進行選擇性曝光處理之步驟；(C)使上述經曝光處理之光阻膜，進行曝光後之加熱處理之步驟；(D)使上述經曝光後加熱處理之光阻膜，進行鹼顯像之步驟；及(E)使上述經鹼顯像之光阻膜，以該微影用洗滌液進行處理之步驟。
简体摘要：本发明提供一种洗涤液，其系借由在使用微影技术形成光阻之际，减少制品之表面缺陷的所谓瑕疵、抑制水洗涤时之图型崩塌、且赋予对电子线照射之耐性、防止图型之收缩，可有效提升制品之收率，且促进去除水份之速度，能提高生产效率之洗涤液。该微影用洗涤液系由含有水溶性含氮杂环化合物之水性溶液所成。又，使用其洗涤液，借由依顺序进行下述之步骤，形成光阻图型。 (A)在基板上设置光阻膜之步骤；(B)对该光阻膜，透过光罩图型，进行选择性曝光处理之步骤；(C)使上述经曝光处理之光阻膜，进行曝光后之加热处理之步骤；(D)使上述经曝光后加热处理之光阻膜，进行碱显像之步骤；及(E)使上述经碱显像之光阻膜，以该微影用洗涤液进行处理之步骤。

7. 发明专利

TW201738941A 半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201738941A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106107813
申请日：2017-03-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO , 高橋優 , TAKAHASHI, YU
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/38
CPC分类号： H01L21/2252 , C08G59/00 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L29/167 , H01L31/18
摘要：本發明之課題為，提供一種半導體基板之製造方法，其係即使在使用於該表面具備具有奈米級之微小的空隙之三維構造的半導體基板之情況時，亦可包含微小空隙之內表面整面地，於半導體基板之擴散劑組成物所塗佈的部位全體，一面抑制在半導體基板之缺陷的發生，一面良好且均勻地使雜質擴散成分擴散。本發明之解決手段為，在使用包含雜質擴散成分(A)與可藉由水解生成矽醇基的Si化合物(B)之擴散劑組成物的情況時，使用該擴散劑組成物，於半導體基板之周圍的環境之相對濕度為40%以下的條件中，於半導體基板表面形成30nm以下之膜厚的塗佈膜。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种半导体基板之制造方法，其系即使在使用于该表面具备具有奈米级之微小的空隙之三维构造的半导体基板之情况时，亦可包含微小空隙之内表面整面地，于半导体基板之扩散剂组成物所涂布的部位全体，一面抑制在半导体基板之缺陷的发生，一面良好且均匀地使杂质扩散成分扩散。本发明之解决手段为，在使用包含杂质扩散成分(A)与可借由水解生成硅醇基的Si化合物(B)之扩散剂组成物的情况时，使用该扩散剂组成物，于半导体基板之周围的环境之相对湿度为40%以下的条件中，于半导体基板表面形成30nm以下之膜厚的涂布膜。

8. 发明专利

TWI363089B 液晶面板洗淨劑及液晶面板的製造方法，該方法包含使用此洗淨劑之洗淨步驟有权
简体标题：液晶皮肤洗净剂及液晶皮肤的制造方法，该方法包含使用此洗净剂之洗净步骤
公开(公告)号：TWI363089B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW096107919
申请日：2007-03-07
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏
IPC分类号： C11D , G02F
CPC分类号： C11D3/43 , C11D1/72 , C11D3/164 , C11D11/0047
摘要：本發明係提供一種洗淨劑，其導電率低且具有能夠容易地溶解液晶之高洗淨性能，而且不會使金屬受到腐蝕。
係一種在液晶面板的製程中所使用的液晶面板洗淨劑，其中含有(A)烴溶劑、(B)界面活性劑、及(C)水溶性有機溶劑。
简体摘要：本发明系提供一种洗净剂，其导电率低且具有能够容易地溶解液晶之高洗净性能，而且不会使金属受到腐蚀。系一种在液晶皮肤的制程中所使用的液晶皮肤洗净剂，其中含有(A)烃溶剂、(B)界面活性剂、及(C)水溶性有机溶剂。

9. 发明专利

TW201139572A 空氣間隙形成用二氧化矽系膜形成材料及空氣間隙之形成方法审中-公开
简体标题：空气间隙形成用二氧化硅系膜形成材料及空气间隙之形成方法
公开(公告)号：TW201139572A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100103109
申请日：2011-01-27
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏
IPC分类号： C09D , H01L
CPC分类号： C08L83/04 , H01L21/764
摘要：本發明係可提供一種不使用CVD法而可形成空氣間隙之空氣間隙形成用二氧化矽系膜之形成材料。含有(a)特定之矽氧烷聚合物、(b)烷醇胺、及(c)有機溶劑之空氣間隙形成用二氧化矽系膜的形成材料係藉旋塗塗佈法形成二氧化矽系膜時所使用者。若依此空氣間隙形成用二氧化矽系膜之形成材料,藉旋塗塗佈法而塗佈時,亦不會埋入凹部,而可形成開口度大的空氣間隙。
简体摘要：本发明系可提供一种不使用CVD法而可形成空气间隙之空气间隙形成用二氧化硅系膜之形成材料。含有(a)特定之硅氧烷聚合物、(b)烷醇胺、及(c)有机溶剂之空气间隙形成用二氧化硅系膜的形成材料系藉旋涂涂布法形成二氧化硅系膜时所用户。若依此空气间隙形成用二氧化硅系膜之形成材料,藉旋涂涂布法而涂布时,亦不会埋入凹部,而可形成开口度大的空气间隙。

10. 发明专利

TW201840573A 雜質擴散劑組成物以及半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：杂质扩散剂组成物以及半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201840573A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106142849
申请日：2017-12-07
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO , 高橋優 , TAKAHASHI, YU
IPC分类号： C07F5/02 , H01L21/225
摘要：本發明之課題為提供一種擴散劑組成物與使用該擴散劑組成物之半導體基板之製造方法，該擴散劑組成物係即使是雜質擴散成分擴散之對象之半導體基板在其表面具備具有奈米尺寸之微小空隙之三次元構造時，也能夠均勻地塗布於涵跨微小空隙之內表面全面，藉此，即使以低溫加熱時，也能夠使硼良好且均勻地擴散於半導體基板。　　作為解決手段，包含雜質擴散成分(A)之擴散劑組成物中，作為雜質擴散成分(A)，使用能夠藉由塗布於半導體基板之表面而形成擴散層且包含氮原子之硼化合物。
简体摘要：本发明之课题为提供一种扩散剂组成物与使用该扩散剂组成物之半导体基板之制造方法，该扩散剂组成物系即使是杂质扩散成分扩散之对象之半导体基板在其表面具备具有奈米尺寸之微小空隙之三次元构造时，也能够均匀地涂布于涵跨微小空隙之内表面全面，借此，即使以低温加热时，也能够使硼良好且均匀地扩散于半导体基板。　　作为解决手段，包含杂质扩散成分(A)之扩散剂组成物中，作为杂质扩散成分(A)，使用能够借由涂布于半导体基板之表面而形成扩散层且包含氮原子之硼化合物。

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