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1. 发明专利

TW201802285A 將摻雜氧化矽沉積在反應室內的基底上的方法审中-公开
简体标题：将掺杂氧化硅沉积在反应室内的基底上的方法
公开(公告)号：TW201802285A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106133244
申请日：2012-11-01
申请人： ASM國際股份有限公司 , ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：高牟礼昇 , TAKAMURE,NOBORU , 深澤篤穀 , FUKAZAWA,ATSUKI , 福田秀明 , FUKUDA,HIDEAKI , 尼斯卡嫩安提 , NISKANEN,ANTTI , 賀加蘇維 , HAUKKA,SUVI , 中野竜 , NAKANO,RYU , 難波邦年 , NAMBA,KUNITOSHI
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02321 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/324 , H01L29/66803
摘要：本發明是關於一種藉由原子層沉積製程將摻雜氧化矽沉積在反應室內的基底上的方法。原子層沉積製程包括至少一次摻雜氧化矽沉積循環，其中摻雜氧化矽沉積循環的步驟如下所述。將基底與矽前驅物接觸。將基底與摻質前驅物接觸。自基底移除過量的矽前驅物與摻質前驅物。接著將基底與反應物種接觸以形成摻雜氧化矽。
简体摘要：本发明是关于一种借由原子层沉积制程将掺杂氧化硅沉积在反应室内的基底上的方法。原子层沉积制程包括至少一次掺杂氧化硅沉积循环，其中掺杂氧化硅沉积循环的步骤如下所述。将基底与硅前驱物接触。将基底与掺质前驱物接触。自基底移除过量的硅前驱物与掺质前驱物。接着将基底与反应物种接触以形成掺杂氧化硅。

2. 发明专利

TWI606136B 沉積摻雜氧化矽的方法以及用於沉積摻雜氧化矽至基板上的原子層沉積製程有权
简体标题：沉积掺杂氧化硅的方法以及用于沉积掺杂氧化硅至基板上的原子层沉积制程
公开(公告)号：TWI606136B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105109310
申请日：2012-11-01
申请人： ASM國際股份有限公司 , ASM INTERNATIONAL N.V.
发明人：高牟礼昇 , TAKAMURE,NOBORU , 深澤篤穀 , FUKAZAWA,ATSUKI , 福田秀明 , FUKUDA,HIDEAKI , 尼斯卡嫩安提 , NISKANEN,ANTTI , 賀加蘇維 , HAUKKA,SUVI , 中野竜 , NAKANO,RYU , 難波邦年 , NAMBA,KUNITOSHI
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02321 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/324 , H01L29/66803

3. 发明专利

TW201738941A 半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201738941A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106107813
申请日：2017-03-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO , 高橋優 , TAKAHASHI, YU
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/38
CPC分类号： H01L21/2252 , C08G59/00 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L29/167 , H01L31/18
摘要：本發明之課題為，提供一種半導體基板之製造方法，其係即使在使用於該表面具備具有奈米級之微小的空隙之三維構造的半導體基板之情況時，亦可包含微小空隙之內表面整面地，於半導體基板之擴散劑組成物所塗佈的部位全體，一面抑制在半導體基板之缺陷的發生，一面良好且均勻地使雜質擴散成分擴散。本發明之解決手段為，在使用包含雜質擴散成分(A)與可藉由水解生成矽醇基的Si化合物(B)之擴散劑組成物的情況時，使用該擴散劑組成物，於半導體基板之周圍的環境之相對濕度為40%以下的條件中，於半導體基板表面形成30nm以下之膜厚的塗佈膜。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种半导体基板之制造方法，其系即使在使用于该表面具备具有奈米级之微小的空隙之三维构造的半导体基板之情况时，亦可包含微小空隙之内表面整面地，于半导体基板之扩散剂组成物所涂布的部位全体，一面抑制在半导体基板之缺陷的发生，一面良好且均匀地使杂质扩散成分扩散。本发明之解决手段为，在使用包含杂质扩散成分(A)与可借由水解生成硅醇基的Si化合物(B)之扩散剂组成物的情况时，使用该扩散剂组成物，于半导体基板之周围的环境之相对湿度为40%以下的条件中，于半导体基板表面形成30nm以下之膜厚的涂布膜。

4. 发明专利

TW201635348A 掺雜半導體之方法审中-公开
简体标题：掺杂半导体之方法
公开(公告)号：TW201635348A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104144315
申请日：2015-12-29
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：多爾奧利佛 , DOLL, OLIVER , 寇勒印格 , KOEHLER, INGO , 巴斯賽巴絲汀 , BARTH, SEBASTIAN
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種製造結構化、高效率之太陽能電池及製造具有不同摻雜的區域之光伏打元件之方法。本發明亦關於依此方式製造的具有提高之效率之太陽能電池。
简体摘要：本发明系关于一种制造结构化、高效率之太阳能电池及制造具有不同掺杂的区域之光伏打组件之方法。本发明亦关于依此方式制造的具有提高之效率之太阳能电池。

5. 发明专利

TWI545626B 擴散劑組成物、雜質擴散層之形成方法及太陽能電池有权
简体标题：扩散剂组成物、杂质扩散层之形成方法及太阳能电池
公开(公告)号：TWI545626B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101132979
申请日：2012-09-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 森田敏郎 , MORITA, TOSHIRO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/225 , H01L21/2254 , H01L31/068 , Y02E10/547

6. 发明专利

TW201626597A 太陽電池的製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池的制造方法
公开(公告)号：TW201626597A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW105109931
申请日：2011-11-16
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：町井洋一 , MACHII,YOUICHI , 吉田誠人 , YOSHIDA,MASATO , 野尻剛 , NOJIRI,TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA,KAORU , 岩室光則 , IWAMURO,MITSUNORI , 足立修一郎 , ADACHI,SHUUICHIROU , 織田明博 , ORITA,AKIHIRO , 佐藤鐵也 , SATOU,TETSUYA , 木澤桂子 , KIZAWA,KEIKO
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽電池的製造方法，包括下列步驟：在半導體基板的其中一面上的部分區域賦予含有包含n型雜質的玻璃粉末以及分散介質的第一n型擴散層形成組成物；在半導體基板的被賦予第一n型擴散層形成組成物的面上且為至少上述部分區域以外的區域，賦予含有包含n型雜質的玻璃粉末以及分散介質的第二n型擴散層形成組成物，第二n型擴散層形成組成物較第一n型擴散層形成組成物而言，n型雜質濃度低；將被賦予第一n型擴散層形成組成物以及第二n型擴散層形成組成物的半導體基板進行熱處理而形成n型擴散層；以及在上述部分區域上形成電極。
简体摘要：一种太阳电池的制造方法，包括下列步骤：在半导体基板的其中一面上的部分区域赋予含有包含n型杂质的玻璃粉末以及分散介质的第一n型扩散层形成组成物；在半导体基板的被赋予第一n型扩散层形成组成物的面上且为至少上述部分区域以外的区域，赋予含有包含n型杂质的玻璃粉末以及分散介质的第二n型扩散层形成组成物，第二n型扩散层形成组成物较第一n型扩散层形成组成物而言，n型杂质浓度低；将被赋予第一n型扩散层形成组成物以及第二n型扩散层形成组成物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层；以及在上述部分区域上形成电极。

7. 发明专利

TW201624545A 形成p型擴散層的組成物、p型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法审中-公开
简体标题：形成p型扩散层的组成物、p型扩散层的制造方法及太阳电池组件的制造方法
公开(公告)号：TW201624545A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW105106945
申请日：2011-04-22
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：足立修一郎 , ADACHI,SHUUICHIROU , 吉田誠人 , YOSHIDA,MASATO , 野尻剛 , NOJIRI,TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA,KAORU , 町井洋一 , MACHII,YOUICHI , 岩室光則 , IWAMURO,MITSUNORI , 佐藤鐵也 , SATO,TETSUYA , 木澤桂子 , KIZAWA,KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/22 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2225 , C03C8/18 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種形成p型擴散層的組成物，其包括含有受體元素的玻璃粉末、及分散介質。上述玻璃粉末包括含有受體元素的物質、及玻璃成分物質。上述玻璃粉末中的上述含有受體元素的物質的含有比率為1質量%以上至90質量%以下。塗佈該形成p型擴散層的組成物並實施熱擴散處理，藉此製造p型擴散層、及具有p型擴散層的太陽電池元件。
简体摘要：一种形成p型扩散层的组成物，其包括含有受体元素的玻璃粉末、及分散介质。上述玻璃粉末包括含有受体元素的物质、及玻璃成分物质。上述玻璃粉末中的上述含有受体元素的物质的含有比率为1质量%以上至90质量%以下。涂布该形成p型扩散层的组成物并实施热扩散处理，借此制造p型扩散层、及具有p型扩散层的太阳电池组件。

8. 发明专利

TWI539493B 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物有权
简体标题：用于掺杂具有分子单层之硅基材之方法及组合物
公开(公告)号：TWI539493B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100107666
申请日：2011-03-07
申请人：黛納羅伊有限責任公司 , DYNALOY, LLC
发明人：帕樂德金柏莉朵娜 , POLLARD, KIMBERLY DONA , 瑞克特艾利森C , RECTOR, ALLISON C.
IPC分类号： H01L21/228
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L21/2254

9. 发明专利

TWI480929B ｎ型擴散層形成組成物、ｎ型擴散層的製造方法以及太陽電池元件的製造方法有权
简体标题：ｎ型扩散层形成组成物、ｎ型扩散层的制造方法以及太阳电池组件的制造方法
公开(公告)号：TWI480929B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW101124252
申请日：2012-07-05
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：佐藤鐵也 , SATO, TETSUYA , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 町井洋一 , MACHII, YOICHI , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 木澤桂子 , KIZAWA, KEIKO , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 足立修一郎 , ADACHI, SHUICHIRO
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

10. 发明专利

TWI466179B 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備有权
简体标题：用以增进离子植入系统中之离子源的寿命及性能之方法与设备
公开(公告)号：TWI466179B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW102101998
申请日：2011-02-25
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：肯恩羅伯 , KAIM, ROBERT , 史維尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 艾維拉安東尼M , AVILA, ANTHONY M. , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2225 , F17C7/00 , H01J37/08 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/304 , H01L21/223 , H01L21/26506 , Y02E60/321 , Y10T428/13

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