专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201738941A 半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201738941A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106107813
申请日：2017-03-09
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO , 高橋優 , TAKAHASHI, YU
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/38
CPC分类号： H01L21/2252 , C08G59/00 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L29/167 , H01L31/18
摘要：本發明之課題為，提供一種半導體基板之製造方法，其係即使在使用於該表面具備具有奈米級之微小的空隙之三維構造的半導體基板之情況時，亦可包含微小空隙之內表面整面地，於半導體基板之擴散劑組成物所塗佈的部位全體，一面抑制在半導體基板之缺陷的發生，一面良好且均勻地使雜質擴散成分擴散。本發明之解決手段為，在使用包含雜質擴散成分(A)與可藉由水解生成矽醇基的Si化合物(B)之擴散劑組成物的情況時，使用該擴散劑組成物，於半導體基板之周圍的環境之相對濕度為40%以下的條件中，於半導體基板表面形成30nm以下之膜厚的塗佈膜。
简体摘要：本发明之课题为，提供一种半导体基板之制造方法，其系即使在使用于该表面具备具有奈米级之微小的空隙之三维构造的半导体基板之情况时，亦可包含微小空隙之内表面整面地，于半导体基板之扩散剂组成物所涂布的部位全体，一面抑制在半导体基板之缺陷的发生，一面良好且均匀地使杂质扩散成分扩散。本发明之解决手段为，在使用包含杂质扩散成分(A)与可借由水解生成硅醇基的Si化合物(B)之扩散剂组成物的情况时，使用该扩散剂组成物，于半导体基板之周围的环境之相对湿度为40%以下的条件中，于半导体基板表面形成30nm以下之膜厚的涂布膜。

2. 发明专利

TW201642484A 具有效且有效率之設計的背接觸太陽能電池及相對應之圖案化方法审中-公开
简体标题：具有效且有效率之设计的背接触太阳能电池及相对应之图案化方法
公开(公告)号：TW201642484A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105125974
申请日：2010-05-20
申请人：納克公司 , NANOGRAM CORPORATION
发明人：席林尼瓦珊烏瑪 , SRINIVASAN, UMA , 趙新 , ZHOU, XIN , 西斯馬亨利 , HIESLMAIR, HENRY , 帕卡拉尼拉吉 , PAKALA, NEERAJ
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/2255 , H01L21/228 , H01L21/268 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要：基於雷射之製程可單獨或組合用於有效地處理半導體及/或電流收穫結構的摻雜域。舉例而言，可使用雷射光束將摻雜劑自裸露的矽/鍺表面驅入矽/鍺半導體層中。已發現深觸點可有效產生有效率之太陽能電池。可有效地圖案化介電層以沿半導體表面在集電器與摻雜域之間提供所選接觸。快速處理方法係適於有效率之產生製程。
简体摘要：基于激光之制程可单独或组合用于有效地处理半导体及/或电流收获结构的掺杂域。举例而言，可使用激光光束将掺杂剂自裸露的硅/锗表面驱入硅/锗半导体层中。已发现深触点可有效产生有效率之太阳能电池。可有效地图案化介电层以沿半导体表面在集电器与掺杂域之间提供所选接触。快速处理方法系适于有效率之产生制程。

3. 发明专利

TWI539493B 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物有权
简体标题：用于掺杂具有分子单层之硅基材之方法及组合物
公开(公告)号：TWI539493B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100107666
申请日：2011-03-07
申请人：黛納羅伊有限責任公司 , DYNALOY, LLC
发明人：帕樂德金柏莉朵娜 , POLLARD, KIMBERLY DONA , 瑞克特艾利森C , RECTOR, ALLISON C.
IPC分类号： H01L21/228
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L21/2254

4. 发明专利

TW201545356A 具有保形金屬閘極電極及氮摻雜閘極介電質介面的非平面ＩＩＩ-Ｖ族場效電晶體审中-公开
简体标题：具有保形金属闸极电极及氮掺杂闸极介电质界面的非平面ＩＩＩ-Ｖ族场效应管
公开(公告)号：TW201545356A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104127671
申请日：2013-09-10
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S. , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 克蘭德寧史考特 , CLENDENNING, SCOTT B. , 皮拉瑞斯提拉維 , PILLARISETTY, RAVI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/66803 , B82Y10/00 , H01L21/2233 , H01L21/228 , H01L21/28264 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/20 , H01L29/42392 , H01L29/66522 , H01L29/78681 , H01L29/78696
摘要：具有非平面電晶體通道區域之III-V族半導體表面的高K值(high-k)閘極介電質介面係以氮進行非向性摻雜。在奈米線的實施例中，在透過曝露該閘極介電質到氮的液體、蒸汽、氣態、電漿或固態源的保形閘極電極沈積之前或同時，施行非向性氮摻雜高k值閘極介電質介面。在實施例中，閘極電極金屬在閘極介電質之上保形的沈積並且施行退火以在沿著該非平面III-V半導體介面的閘極介電質內均勻的堆積氮。
简体摘要：具有非平面晶体管信道区域之III-V族半导体表面的高K值(high-k)闸极介电质界面系以氮进行非向性掺杂。在奈米线的实施例中，在透过曝露该闸极介电质到氮的液体、蒸汽、气态、等离子或固态源的保形闸极电极沉积之前或同时，施行非向性氮掺杂高k值闸极介电质界面。在实施例中，闸极电极金属在闸极介电质之上保形的沉积并且施行退火以在沿着该非平面III-V半导体界面的闸极介电质内均匀的堆积氮。

5. 发明专利

TW201239969A 具有以經摻雜矽墨水形成之經摻雜表面接觸的矽基材及對應的方法 SILICON SUBSTRATES WITH DOPED SURFACE CONTACTS FORMED FROM DOPED SILICON INKS AND CORRESPONDING PROCESSES 审中-公开
简体标题：具有以经掺杂硅墨水形成之经掺杂表面接触的硅基材及对应的方法 SILICON SUBSTRATES WITH DOPED SURFACE CONTACTS FORMED FROM DOPED SILICON INKS AND CORRESPONDING PROCESSES
公开(公告)号：TW201239969A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101103137
申请日：2012-01-31
申请人：納克公司
发明人：劉國鈞 , 席林尼瓦珊烏瑪 , 奇魯凡魯西庫馬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2252 , B82Y30/00 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：使用經摻雜矽奈米粒子墨水及其他液體摻雜劑來源可提供適合之摻雜劑來源,以便若提供適合之帽蓋則使用熱製程將摻雜劑元素驅入結晶矽基材中。適合之帽蓋包括例如罩蓋板、可能停置於或可能不停置於基材表面上之覆蓋物及覆蓋層。可達成所需之摻雜劑分佈。該等經摻雜奈米粒子可使用矽墨水傳遞。殘餘矽墨水可在摻雜劑驅入後移除或至少部分密化為併入產品裝置中之矽材料。該矽摻雜適合於將摻雜劑引入結晶矽中以形成太陽電池。
简体摘要：使用经掺杂硅奈米粒子墨水及其他液体掺杂剂来源可提供适合之掺杂剂来源,以便若提供适合之帽盖则使用热制程将掺杂剂元素驱入结晶硅基材中。适合之帽盖包括例如罩盖板、可能停置于或可能不停置于基材表面上之覆盖物及覆盖层。可达成所需之掺杂剂分布。该等经掺杂奈米粒子可使用硅墨水传递。残余硅墨水可在掺杂剂驱入后移除或至少部分密化为并入产品设备中之硅材料。该硅掺杂适合于将掺杂剂引入结晶硅中以形成太阳电池。

6. 发明专利

TW201203320A 磊晶結構、其形成方法及含此結構之元件 EPITAXIAL STRUCTURES, METHODS OF FORMING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME 审中-公开
简体标题：磊晶结构、其形成方法及含此结构之组件 EPITAXIAL STRUCTURES, METHODS OF FORMING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME
公开(公告)号：TW201203320A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100111755
申请日：2011-04-06
申请人：寇比歐股份有限公司
发明人：洛肯博格約格 , 祖爾伽法比歐 , 高島真央
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02428 , H01L21/0243 , H01L21/02494 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02628 , H01L21/02661 , H01L21/228 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明揭露了磊晶結構、產生磊晶結構之方法、以及含有此磊晶結構之元件。該方法與結構係使用液相IVA族半導體元素前驅物油墨(例如含有環矽烷及/或聚矽烷)且具有較良好的薄膜品質(例如紋理、緻密度及/或純度)。當沉積在(多)晶性基板表面上並經由加熱足以使該IVA族半導體前驅物薄膜或特徵部採用基板表面的(多)晶性結構時，IVA族半導體元素前驅物油墨會形成磊晶薄膜或特徵部。相較於那些含有以非本發明磊晶結構製成之選擇性射極的元件而言，含有具有本發明磊晶結構之選擇性射極之元件係會呈現出較佳的能量轉換效率，這是因為其薄膜品質較佳及/或其磊晶薄膜與形成於該薄膜上的接點之間的區域中形成了完美的交界面之故。
简体摘要：本发明揭露了磊晶结构、产生磊晶结构之方法、以及含有此磊晶结构之组件。该方法与结构系使用液相IVA族半导体元素前驱物油墨(例如含有环硅烷及/或聚硅烷)且具有较良好的薄膜品质(例如纹理、致密度及/或纯度)。当沉积在(多)晶性基板表面上并经由加热足以使该IVA族半导体前驱物薄膜或特征部采用基板表面的(多)晶性结构时，IVA族半导体元素前驱物油墨会形成磊晶薄膜或特征部。相较于那些含有以非本发明磊晶结构制成之选择性射极的组件而言，含有具有本发明磊晶结构之选择性射极之组件系会呈现出较佳的能量转换效率，这是因为其薄膜品质较佳及/或其磊晶薄膜与形成于该薄膜上的接点之间的区域中形成了完美的交界面之故。

7. 发明专利

TW201140661A 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物 METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS 审中-公开
简体标题：用于掺杂具有分子单层之硅基材之方法及组合物 METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS
公开(公告)号：TW201140661A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100107666
申请日：2011-03-07
申请人：黛納羅伊公司
发明人：帕樂德金柏莉朵娜 , 瑞克特艾利森C
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/2225 , H01L21/2254
摘要：一種用於摻雜矽基材之組合物及方法，其藉由用包含四乙二醇二甲醚（tetraglyme）及含摻雜劑之材料的經稀釋摻雜劑溶液處理基材，隨後藉由快速熱退火使該摻雜劑擴散至表面來進行。1-丙基膦酸二乙酯及烯丙基硼酸頻哪醇酯為較佳的含摻雜劑之材料，且較佳以約1%至約20%範圍內之量包括於經稀釋之摻雜劑溶液中，其中摻雜劑之量更佳為4%或4%以下。
简体摘要：一种用于掺杂硅基材之组合物及方法，其借由用包含四乙二醇二甲醚（tetraglyme）及含掺杂剂之材料的经稀释掺杂剂溶液处理基材，随后借由快速热退火使该掺杂剂扩散至表面来进行。1-丙基膦酸二乙酯及烯丙基硼酸频哪醇酯为较佳的含掺杂剂之材料，且较佳以约1%至约20%范围内之量包括于经稀释之掺杂剂溶液中，其中掺杂剂之量更佳为4%或4%以下。

8. 发明专利

TW201030813A 於基板上形成多摻雜接面之方法 METHODS OF FORMING MULTI-DOPED JUNCTIONS ON A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：于基板上形成多掺杂接面之方法 METHODS OF FORMING MULTI-DOPED JUNCTIONS ON A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201030813A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098136546
申请日：2009-10-28
申请人：創新發光體公司
发明人：夏山尼爾 , 亞伯特瑪可曼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/223 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明揭示一種在一基板上形成一多摻雜接面之方法。該方法包含提供摻雜硼之基板,該基板包含一具有一第一表面區域及一第二表面區域之第一基板表面。該方法亦包含在該第一表面區域上沈積一第一組奈米粒子,該第一組奈米粒子包含一第一摻雜物。該方法進一步包含在一惰性環境中加熱該基板至一第一溫度並且持續一第一時間段,以建立一第一稠密膜,且進一步在該第一表面區域下,於該基板中,建立一具有一第一擴散深度之第一擴散區域。該方法亦包含在一第二溫度下暴露該基板至包含磷之一擴散氣體並且持續一第二時間段,以在該第一基板表面上建立一PSG(磷矽酸鹽玻璃)層,且進一步在該第二表面區域下,於該基板中,建立一具有一第二擴散深度的第二擴散區域,其中該第一擴散區域鄰近於該第二擴散區域。該方法進一步包含在一第三溫度下暴露該基板至一種氧化氣體並且持續一第三時間段,其中於該PSG層與該基板表面之間形成一SiO2層,其中該第一擴散深度大體上大於該第二擴散深度。
简体摘要：本发明揭示一种在一基板上形成一多掺杂接面之方法。该方法包含提供掺杂硼之基板,该基板包含一具有一第一表面区域及一第二表面区域之第一基板表面。该方法亦包含在该第一表面区域上沉积一第一组奈米粒子,该第一组奈米粒子包含一第一掺杂物。该方法进一步包含在一惰性环境中加热该基板至一第一温度并且持续一第一时间段,以创建一第一稠密膜,且进一步在该第一表面区域下,于该基板中,创建一具有一第一扩散深度之第一扩散区域。该方法亦包含在一第二温度下暴露该基板至包含磷之一扩散气体并且持续一第二时间段,以在该第一基板表面上创建一PSG(磷硅酸盐玻璃)层,且进一步在该第二表面区域下,于该基板中,创建一具有一第二扩散深度的第二扩散区域,其中该第一扩散区域邻近于该第二扩散区域。该方法进一步包含在一第三温度下暴露该基板至一种氧化气体并且持续一第三时间段,其中于该PSG层与该基板表面之间形成一SiO2层,其中该第一扩散深度大体上大于该第二扩散深度。

9. 发明专利

TWI544642B 具有保形金屬閘極電極及氮摻雜閘極介電質介面的非平面III-V族場效電晶體有权
简体标题：具有保形金属闸极电极及氮掺杂闸极介电质界面的非平面III-V族场效应管
公开(公告)号：TWI544642B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104127671
申请日：2013-09-10
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S. , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 克蘭德寧史考特 , CLENDENNING, SCOTT B. , 皮拉瑞斯提拉維 , PILLARISETTY, RAVI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/66803 , B82Y10/00 , H01L21/2233 , H01L21/228 , H01L21/28264 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/20 , H01L29/42392 , H01L29/66522 , H01L29/78681 , H01L29/78696

10. 发明专利

TW201626433A 半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201626433A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104132576
申请日：2015-10-02
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：澤田佳宏 , SAWADA, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/225
CPC分类号： H01L21/0206 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/228 , H01L29/66803
摘要：本發明的課題為提供一種即使於使用其表面具備具有奈米尺度之微小空隙的三維結構之半導體基板的情況，包含微小空隙的內表面全面，於塗佈半導體基板之擴散劑組成物的地點整體，抑制於半導體基板之缺陷的產生，並且可良好且均勻使雜質擴散成分擴散至半導體基板之製造方法。本發明之解決手段為使用包含雜質擴散成分(A)與可藉由水解生成矽醇基之Si化合物(B)之擴散劑組成物，藉由於半導體基板表面形成30nm以下膜厚之塗佈膜，從塗佈膜，使雜質擴散成分良好且均勻擴散至半導體基板。
简体摘要：本发明的课题为提供一种即使于使用其表面具备具有奈米尺度之微小空隙的三维结构之半导体基板的情况，包含微小空隙的内表面全面，于涂布半导体基板之扩散剂组成物的地点整体，抑制于半导体基板之缺陷的产生，并且可良好且均匀使杂质扩散成分扩散至半导体基板之制造方法。本发明之解决手段为使用包含杂质扩散成分(A)与可借由水解生成硅醇基之Si化合物(B)之扩散剂组成物，借由于半导体基板表面形成30nm以下膜厚之涂布膜，从涂布膜，使杂质扩散成分良好且均匀扩散至半导体基板。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式