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1. 发明专利

TWI514092B 微影用濃縮顯影液有权
简体标题：微影用浓缩显影液
公开(公告)号：TWI514092B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099145002
申请日：2010-12-21
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊谷智彌 , KUMAGAI, TOMOYA , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/322 , B01F3/088 , B01F3/20 , B01F3/2078 , B01F7/18 , B01F15/00175 , B01F15/00207 , B01F15/00396

2. 发明专利

TWI500751B 表面處理劑及表面處理方法有权
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TWI500751B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099138664
申请日：2010-11-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：吉田正昭 , YOSHIDA, MASAAKI , 菅原每 , SUGAWARA, MAI , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： C09K3/18 , B05D7/24 , H01L21/027
CPC分类号： C07F7/10 , G03F7/11

3. 发明专利

TW201035307A 微影用洗淨液及使用此洗淨液之光阻圖案的形成方法审中-公开
简体标题：微影用洗净液及使用此洗净液之光阻图案的形成方法
公开(公告)号：TW201035307A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099108587
申请日：2010-03-23
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：熊谷智彌 , 增島正宏 , 越山淳
IPC分类号： C11D , G03F
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397
摘要：【課題】本發明提供一種微影用洗淨液，其可在不至於阻礙因界面活性劑而產生的圖案倒塌之防止功效下，抑制臨界尺寸偏移之發生；以及提供一種使用此洗淨液之圖案的形成方法。【解決手段】一種微影用洗淨液，其含有陰離子性界面活性劑（A）、胺化合物（B）、及水（C）。在本發明之微影用洗淨液中，陰離子系界面活性劑與胺化合物在微影用洗淨液中形成鹽，可抑制陰離子系界面活性劑浸透於光阻膜。因此，即便使用本發明之微影用洗淨液來實行光阻圖案的形成方法，也不至於溶解光阻膜、且可有效地抑制臨界尺寸偏移之發生。
简体摘要：【课题】本发明提供一种微影用洗净液，其可在不至于阻碍因界面活性剂而产生的图案倒塌之防止功效下，抑制临界尺寸偏移之发生；以及提供一种使用此洗净液之图案的形成方法。【解决手段】一种微影用洗净液，其含有阴离子性界面活性剂（A）、胺化合物（B）、及水（C）。在本发明之微影用洗净液中，阴离子系界面活性剂与胺化合物在微影用洗净液中形成盐，可抑制阴离子系界面活性剂浸透于光阻膜。因此，即便使用本发明之微影用洗净液来实行光阻图案的形成方法，也不至于溶解光阻膜、且可有效地抑制临界尺寸偏移之发生。

4. 发明专利

TWI691524B 聚醯亞胺及/或聚醯胺醯亞胺多孔質體以及其製造方法、進行分離及/或吸附之方法、分離材料、吸附材料、過濾介質、層合體、以及過濾裝置有权
简体标题：聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体以及其制造方法、进行分离及/或吸附之方法、分离材料、吸附材料、过滤介质、层合体、以及过滤设备
公开(公告)号：TWI691524B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105103682
申请日：2016-02-03
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：菅原司 , SUGAWARA, TSUKASA , 市川正則 , ICHIKAWA, MASANORI , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN , 戶張光治 , TOBARI, MITSUHARU
IPC分类号： C08G73/10 , C08J9/26 , B01J20/26 , B01D71/64

5. 发明专利

TW201129881A 表面處理劑及表面處理方法审中-公开
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW201129881A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099132601
申请日：2010-09-27
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：吉田正昭 , 菅原每 , 越山淳
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C09D7/20
摘要：本發明提供能有效抑制基板上所設置之無機圖型或樹脂圖型的圖型倒塌之表面處理劑、及經使用此種表面處理劑之表面處理方法、以及能對基板表面實施高度的矽烷基化處理之表面處理劑、及經使用此種表面處理劑之表面處理方法。本發明使用一種表面處理劑，係為基板表面之疏水化處理所使用，其特徵為：含有：含有具有二矽氮烷構造之至少1種化合物之矽烷基化劑、及含有5或6員環之內酯化合物之溶劑。
简体摘要：本发明提供能有效抑制基板上所设置之无机图型或树脂图型的图型倒塌之表面处理剂、及经使用此种表面处理剂之表面处理方法、以及能对基板表面实施高度的硅烷基化处理之表面处理剂、及经使用此种表面处理剂之表面处理方法。本发明使用一种表面处理剂，系为基板表面之疏水化处理所使用，其特征为：含有：含有具有二硅氮烷构造之至少1种化合物之硅烷基化剂、及含有5或6员环之内酯化合物之溶剂。

6. 发明专利

TWI327683B 微影蝕刻用洗滌液及使用其之光阻圖型形成方法 LITHOGRAPHIC RINSE SOLUTION AND RESIST-PATTERN FORMING METHOD USING SAME 有权
简体标题：微影蚀刻用洗涤液及使用其之光阻图型形成方法 LITHOGRAPHIC RINSE SOLUTION AND RESIST-PATTERN FORMING METHOD USING SAME
公开(公告)号：TWI327683B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW094143452
申请日：2005-12-08
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏 , 越山淳 , 脇屋和正 , 宮本敦史 , 田島秀和
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： C11D7/3281 , C11D11/0047
摘要：本發明提供一種洗滌液，其係藉由在使用微影技術形成光阻之際，減少製品之表面缺陷的所謂瑕疵、抑制水洗滌時之圖型崩塌、且賦予對電子線照射之耐性、防止圖型之收縮，可有效提升製品之收率，且促進去除水份之速度，能提高生產效率之洗滌液。該微影用洗滌液係由含有水溶性含氮雜環化合物之水性溶液所成。又，使用其洗滌液，藉由依順序進行下述之步驟，形成光阻圖型。
(A)在基板上設置光阻膜之步驟；(B)對該光阻膜，透過光罩圖型，進行選擇性曝光處理之步驟；(C)使上述經曝光處理之光阻膜，進行曝光後之加熱處理之步驟；(D)使上述經曝光後加熱處理之光阻膜，進行鹼顯像之步驟；及(E)使上述經鹼顯像之光阻膜，以該微影用洗滌液進行處理之步驟。
简体摘要：本发明提供一种洗涤液，其系借由在使用微影技术形成光阻之际，减少制品之表面缺陷的所谓瑕疵、抑制水洗涤时之图型崩塌、且赋予对电子线照射之耐性、防止图型之收缩，可有效提升制品之收率，且促进去除水份之速度，能提高生产效率之洗涤液。该微影用洗涤液系由含有水溶性含氮杂环化合物之水性溶液所成。又，使用其洗涤液，借由依顺序进行下述之步骤，形成光阻图型。 (A)在基板上设置光阻膜之步骤；(B)对该光阻膜，透过光罩图型，进行选择性曝光处理之步骤；(C)使上述经曝光处理之光阻膜，进行曝光后之加热处理之步骤；(D)使上述经曝光后加热处理之光阻膜，进行碱显像之步骤；及(E)使上述经碱显像之光阻膜，以该微影用洗涤液进行处理之步骤。

7. 发明专利

TW473650B 製造液晶元件用正型光阻塗液及使用其之基材有权
简体标题：制造液芯片件用正型光阻涂液及使用其之基材
公开(公告)号：TW473650B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW088120090
申请日：1999-11-17
申请人：東京應化工業股份有限公司
发明人：加藤哲也 , 越山淳
IPC分类号： G03F
摘要：本發明係有關一種溶有(a)鹼可溶性樹脂、(b)含有苯二疊氮基之化合物及，(c)氟含量為10~25wt%、且矽含量為3~1Owt%之非離子性氟一矽系界面活性劑之(d)有機溶媒所得之製造液晶元件用正型光阻塗液及使用其之基材的發明。又，本發明又提供一種可充分控制波紋、乾燥斑及滴痕等平衡性之液晶元件用正型光阻塗液。
简体摘要：本发明系有关一种溶有(a)碱可溶性树脂、(b)含有苯二叠氮基之化合物及，(c)氟含量为10~25wt%、且硅含量为3~1Owt%之非离子性氟一硅系界面活性剂之(d)有机溶媒所得之制造液芯片件用正型光阻涂液及使用其之基材的发明。又，本发明又提供一种可充分控制波纹、干燥斑及滴痕等平衡性之液芯片件用正型光阻涂液。

8. 发明专利

TWI620998B 微影用顯影液的製造方法和製造裝置有权
简体标题：微影用显影液的制造方法和制造设备
公开(公告)号：TWI620998B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW104125270
申请日：2010-12-21
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊谷智彌 , KUMAGAI, TOMOYA , 上野直久 , UENO, NAOHISA , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/322 , B01F3/088 , B01F3/20 , B01F3/2078 , B01F7/18 , B01F15/00175 , B01F15/00207 , B01F15/00396

9. 发明专利

TW201703851A 液體之純化方法，藥液或洗淨液之製造方法，過濾介質以及過濾裝置审中-公开
简体标题：液体之纯化方法，药液或洗净液之制造方法，过滤介质以及过滤设备
公开(公告)号：TW201703851A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105105301
申请日：2016-02-23
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：高嶋勇人 , TAKASHIMA, HAYATO , 中島孝雄 , NAKAJIMA, TAKAO , 菅原司 , SUGAWARA, TSUKASA , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： B01D71/64 , B01D61/14 , B01D69/00
CPC分类号： B01D71/64 , B01D61/027 , B01D61/14 , B01D69/02 , B01D2325/021 , B01D2325/30 , H01L21/02041
摘要：本發明在於提供使用金屬等的雜質去除性能優異，較佳為亦能兼顧流速，而且應力、斷裂延伸度等亦優異之聚醯亞胺及/或聚醯胺醯亞胺多孔質膜的液體之純化方法、使用該純化方法的藥液或洗淨液之製造方法、由該多孔質膜所成之過濾介質以及包含該多孔質膜之過濾裝置。本發明為一種液體之純化方法，其包含藉由差壓，使前述液體的一部分或全部自具有連通孔的聚醯亞胺及/或聚醯胺醯亞胺多孔質膜之一側往另一側透過。
简体摘要：本发明在于提供使用金属等的杂质去除性能优异，较佳为亦能兼顾流速，而且应力、断裂延伸度等亦优异之聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质膜的液体之纯化方法、使用该纯化方法的药液或洗净液之制造方法、由该多孔质膜所成之过滤介质以及包含该多孔质膜之过滤设备。本发明为一种液体之纯化方法，其包含借由差压，使前述液体的一部分或全部自具有连通孔的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质膜之一侧往另一侧透过。

10. 发明专利

TWI493298B 表面處理劑及表面處理方法有权
简体标题：表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TWI493298B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW099132601
申请日：2010-09-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：吉田正昭 , YOSHIDA, MASAAKI , 菅原每 , SUGAWARA, MAI , 越山淳 , KOSHIYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/075
CPC分类号： C09D7/20

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