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1. 发明专利

TW201546315A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201546315A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104107544
申请日：2015-03-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：斉藤哲也 , SAITOU, TETSUYA , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/45574 , C23C16/458 , C23C16/46
摘要：提供一種反應氣體與置換氣體之置換性高且可形成面內均勻性良好的膜之成膜裝置。成膜裝置，係對作為真空環境之處理室內的基板(W)依序供給相互反應之複數個種類的反應氣體，而進行成膜處理，噴頭(5)，係具備有與載置部(2)(該載置部，係載置有基板W)相對向的平坦面，且形成有複數個氣體供給口(511)。環狀突起部(53)，係設置為包圍形成有氣體供給口(511)的區域而朝下方側突出，並且在與載置部(2)的上面之間形成間隙。在噴頭(5)與其上方側之天井部(31)之間所包圍的擴散空間(50)，係設置有複數個氣體供給部(4)(該氣體供給部，係以將氣體擴散於各個橫方向的方式，沿著圓周方向而形成有氣體吐出口)，前述擴散空間(50)的外緣，係位在比載置於載置部之基板(W)的外緣更往內側。
简体摘要：提供一种反应气体与置换气体之置换性高且可形成面内均匀性良好的膜之成膜设备。成膜设备，系对作为真空环境之处理室内的基板(W)依序供给相互反应之复数个种类的反应气体，而进行成膜处理，喷头(5)，系具备有与载置部(2)(该载置部，系载置有基板W)相对向的平坦面，且形成有复数个气体供给口(511)。环状突起部(53)，系设置为包围形成有气体供给口(511)的区域而朝下方侧突出，并且在与载置部(2)的上面之间形成间隙。在喷头(5)与其上方侧之天井部(31)之间所包围的扩散空间(50)，系设置有复数个气体供给部(4)(该气体供给部，系以将气体扩散于各个横方向的方式，沿着圆周方向而形成有气体吐出口)，前述扩散空间(50)的外缘，系位在比载置于载置部之基板(W)的外缘更往内侧。

2. 发明专利

TWI392019B 基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置失效
简体标题：基板处理方法、记录媒体及基板处理设备
公开(公告)号：TWI392019B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW095107958
申请日：2006-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO , 金子裕是 , KANEKO, HIROSHI , 岩田輝夫 , IWATA, TERUO , 竹山環 , TAKEYAMA, TAMAKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32568

3. 发明专利

TWI683924B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI683924B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104142496
申请日：2015-12-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 佐野正樹 , SANO, MASAKI , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455

4. 发明专利

TWI682055B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI682055B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104107544
申请日：2015-03-10
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：斉藤哲也 , SAITOU, TETSUYA , 太田智浩 , OOTA, TOMOHIRO , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52

5. 发明专利

TW201632653A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201632653A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104142496
申请日：2015-12-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 佐野正樹 , SANO, MASAKI , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45589
摘要：提供一種如下述之技術：可在經由置換用之氣體的供給，依序供給在真空氛圍中相互反應之複數個種類的反應氣體而進行成膜處理的成膜裝置中，進行反應氣體與置換用之氣體的置換性高且面內均勻性高的成膜處理。在將設置於晶圓(W)之載置台(2)的上方之噴頭(5)的氣體噴射孔(511)配置於比晶圓(W)更寬廣的區域，並且在該噴頭(5)上的擴散空間(50)中，以使氣體分散於橫方向的方式，沿著其周方向配置形成有氣體吐出口(52)的複數個第1及第2氣體分散部(4A、4B)。而且，沿著以基板的中心部為中心之內側的第1圓，設置4個第1氣體分散部(4A)，進一步沿著第1圓之外側的第2圓，使用8個第2氣體分散部(4B)。
简体摘要：提供一种如下述之技术：可在经由置换用之气体的供给，依序供给在真空氛围中相互反应之复数个种类的反应气体而进行成膜处理的成膜设备中，进行反应气体与置换用之气体的置换性高且面内均匀性高的成膜处理。在将设置于晶圆(W)之载置台(2)的上方之喷头(5)的气体喷射孔(511)配置于比晶圆(W)更宽广的区域，并且在该喷头(5)上的扩散空间(50)中，以使气体分散于横方向的方式，沿着其周方向配置形成有气体吐出口(52)的复数个第1及第2气体分散部(4A、4B)。而且，沿着以基板的中心部为中心之内侧的第1圆，设置4个第1气体分散部(4A)，进一步沿着第1圆之外侧的第2圆，使用8个第2气体分散部(4B)。

6. 发明专利

TWI431688B 成膜裝置，成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：成膜设备，成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI431688B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW097110779
申请日：2008-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45521 , C23C16/45574 , C23C16/4586 , H01L21/3141 , H01L21/31641

7. 发明专利

TWI416645B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI416645B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW097134868
申请日：2008-09-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31691 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/02186 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141

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