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1. 发明专利

TW201826355A 成膜裝置、成膜方法及其記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及其记忆媒体
公开(公告)号：TW201826355A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106135851
申请日：2017-10-19
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小田桐正彌 , ODAGIRI, MASAYA , 桑田拓岳 , KUWADA, HIROTAKA , 江原寬貴 , EHARA, HIROKI , 田部井幸寬 , TAMEGAI, YUKIHIRO , 高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 中村秀雄 , NAKAMURA, HIDEO , 山崎和良 , YAMAZAKI, KAZUYOSHI , 出野由和 , IDENO, YOSHIKAZU
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/00
摘要：提供一種技術，係即使膜厚較薄仍可得到膜中氯較少之良好的TiN膜。藉由ALD法來將TiN膜形成於晶圓之成膜裝置係具備有：腔室，係收容晶圓；氣體供給機構，係對腔室內供給由TiCl4氣體所構成之鈦原料氣體、由NH3氣體所構成之氮化氣體以及沖洗氣體；排氣機構，係將腔室內予以排氣；以及，控制部，係以將TiCl4氣體與NH3氣體交互地供給至晶圓的方式來控制氣體供給機構，氣體供給機構係具有加熱NH3氣體來改變狀態之NH3氣體加熱單元，且會將以NH3氣體加熱單元來改變狀態後之NH3氣體供給至腔室內。
简体摘要：提供一种技术，系即使膜厚较薄仍可得到膜中氯较少之良好的TiN膜。借由ALD法来将TiN膜形成于晶圆之成膜设备系具备有：腔室，系收容晶圆；气体供给机构，系对腔室内供给由TiCl4气体所构成之钛原料气体、由NH3气体所构成之氮化气体以及冲洗气体；排气机构，系将腔室内予以排气；以及，控制部，系以将TiCl4气体与NH3气体交互地供给至晶圆的方式来控制气体供给机构，气体供给机构系具有加热NH3气体来改变状态之NH3气体加热单元，且会将以NH3气体加热单元来改变状态后之NH3气体供给至腔室内。

2. 发明专利

TWI683924B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI683924B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104142496
申请日：2015-12-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 佐野正樹 , SANO, MASAKI , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455

3. 发明专利

TW201907046A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201907046A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107114392
申请日：2018-04-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：芦澤宏明 , ASHIZAWA, HIROAKI , 藤井康 , FUJII, YASUSHI , 高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 洪錫亨 , HONG, SEOKHYOUNG , 山崎和良 , YAMAZAKI, KAZUYOSHI , 中村秀雄 , NAKAMURA, HIDEO , 布重裕 , NUNOSHIGE, YU , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/02
摘要：提供一種可確保高生產性，且得到高披覆性之膜，並可進行具有既定機能的添加氣體之供給的技術。實施既定循環的下述步驟：將被處理基板配置於處理容器內，而透過第1載體氣體流道及第2載體氣體流道來將載體氣體持續供給至處理容器內，並透過原料氣體流道來將原料氣體供給至處理容器內之步驟；透過與載體氣體另外設置之沖淨氣體流道來將沖淨氣體供給至處理容器內，以沖淨原料氣體之步驟；透過反應氣體流道來將反應氣體供給至處理容器內之步驟；以及透過沖淨氣體流道來將沖淨氣體供給至處理容器內，以沖淨反應氣體之步驟；藉由沖淨原料氣體之步驟以及沖淨反應氣體之步驟的至少一者來供給具有既定機能的添加氣體，以作為沖淨氣體的至少一部分。
简体摘要：提供一种可确保高生产性，且得到高披覆性之膜，并可进行具有既定机能的添加气体之供给的技术。实施既定循环的下述步骤：将被处理基板配置于处理容器内，而透过第1载体气体流道及第2载体气体流道来将载体气体持续供给至处理容器内，并透过原料气体流道来将原料气体供给至处理容器内之步骤；透过与载体气体另外设置之冲净气体流道来将冲净气体供给至处理容器内，以冲净原料气体之步骤；透过反应气体流道来将反应气体供给至处理容器内之步骤；以及透过冲净气体流道来将冲净气体供给至处理容器内，以冲净反应气体之步骤；借由冲净原料气体之步骤以及冲净反应气体之步骤的至少一者来供给具有既定机能的添加气体，以作为冲净气体的至少一部分。

4. 发明专利

TW201632653A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201632653A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104142496
申请日：2015-12-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 佐野正樹 , SANO, MASAKI , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45589
摘要：提供一種如下述之技術：可在經由置換用之氣體的供給，依序供給在真空氛圍中相互反應之複數個種類的反應氣體而進行成膜處理的成膜裝置中，進行反應氣體與置換用之氣體的置換性高且面內均勻性高的成膜處理。在將設置於晶圓(W)之載置台(2)的上方之噴頭(5)的氣體噴射孔(511)配置於比晶圓(W)更寬廣的區域，並且在該噴頭(5)上的擴散空間(50)中，以使氣體分散於橫方向的方式，沿著其周方向配置形成有氣體吐出口(52)的複數個第1及第2氣體分散部(4A、4B)。而且，沿著以基板的中心部為中心之內側的第1圓，設置4個第1氣體分散部(4A)，進一步沿著第1圓之外側的第2圓，使用8個第2氣體分散部(4B)。
简体摘要：提供一种如下述之技术：可在经由置换用之气体的供给，依序供给在真空氛围中相互反应之复数个种类的反应气体而进行成膜处理的成膜设备中，进行反应气体与置换用之气体的置换性高且面内均匀性高的成膜处理。在将设置于晶圆(W)之载置台(2)的上方之喷头(5)的气体喷射孔(511)配置于比晶圆(W)更宽广的区域，并且在该喷头(5)上的扩散空间(50)中，以使气体分散于横方向的方式，沿着其周方向配置形成有气体吐出口(52)的复数个第1及第2气体分散部(4A、4B)。而且，沿着以基板的中心部为中心之内侧的第1圆，设置4个第1气体分散部(4A)，进一步沿着第1圆之外侧的第2圆，使用8个第2气体分散部(4B)。

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