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1. 发明专利

TWI683924B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI683924B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104142496
申请日：2015-12-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 佐野正樹 , SANO, MASAKI , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455

2. 发明专利

TW201833370A 處理裝置及蓋構件审中-公开
简体标题：处理设备及盖构件
公开(公告)号：TW201833370A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106134843
申请日：2017-10-12
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 藤里敏章 , FUJISATO, TOSHIAKI
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/318
摘要： [課題] 以抑制在被配置於腔室內之平台之外緣部產生微粒為目的。　　[解決手段] 提供一種處理裝置，具有：平台，其係被配置在腔室內；和蓋構件，其係被設置於上述平台之外緣部，將上述腔室內區劃成上述平台之上部之處理空間和上述平台之下部之底部空間，在該處理裝置中，上述蓋構件具有：第1突出部，其係與上述平台之表面面接觸；第2突出部，其係與上述第1突出部隔離而與上述平台之表面面接觸；及排氣路，其係從在上述第1突出部和上述第2突出部之間，藉由上述蓋構件和上述平台所形成之緩衝空間排出氣體。
简体摘要： [课题] 以抑制在被配置于腔室内之平台之外缘部产生微粒为目的。　　[解决手段] 提供一种处理设备，具有：平台，其系被配置在腔室内；和盖构件，其系被设置于上述平台之外缘部，将上述腔室内区划成上述平台之上部之处理空间和上述平台之下部之底部空间，在该处理设备中，上述盖构件具有：第1突出部，其系与上述平台之表面面接触；第2突出部，其系与上述第1突出部隔离而与上述平台之表面面接触；及排气路，其系从在上述第1突出部和上述第2突出部之间，借由上述盖构件和上述平台所形成之缓冲空间排出气体。

3. 发明专利

TW201907046A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201907046A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107114392
申请日：2018-04-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：芦澤宏明 , ASHIZAWA, HIROAKI , 藤井康 , FUJII, YASUSHI , 高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 洪錫亨 , HONG, SEOKHYOUNG , 山崎和良 , YAMAZAKI, KAZUYOSHI , 中村秀雄 , NAKAMURA, HIDEO , 布重裕 , NUNOSHIGE, YU , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/34 , H01L21/02
摘要：提供一種可確保高生產性，且得到高披覆性之膜，並可進行具有既定機能的添加氣體之供給的技術。實施既定循環的下述步驟：將被處理基板配置於處理容器內，而透過第1載體氣體流道及第2載體氣體流道來將載體氣體持續供給至處理容器內，並透過原料氣體流道來將原料氣體供給至處理容器內之步驟；透過與載體氣體另外設置之沖淨氣體流道來將沖淨氣體供給至處理容器內，以沖淨原料氣體之步驟；透過反應氣體流道來將反應氣體供給至處理容器內之步驟；以及透過沖淨氣體流道來將沖淨氣體供給至處理容器內，以沖淨反應氣體之步驟；藉由沖淨原料氣體之步驟以及沖淨反應氣體之步驟的至少一者來供給具有既定機能的添加氣體，以作為沖淨氣體的至少一部分。
简体摘要：提供一种可确保高生产性，且得到高披覆性之膜，并可进行具有既定机能的添加气体之供给的技术。实施既定循环的下述步骤：将被处理基板配置于处理容器内，而透过第1载体气体流道及第2载体气体流道来将载体气体持续供给至处理容器内，并透过原料气体流道来将原料气体供给至处理容器内之步骤；透过与载体气体另外设置之冲净气体流道来将冲净气体供给至处理容器内，以冲净原料气体之步骤；透过反应气体流道来将反应气体供给至处理容器内之步骤；以及透过冲净气体流道来将冲净气体供给至处理容器内，以冲净反应气体之步骤；借由冲净原料气体之步骤以及冲净反应气体之步骤的至少一者来供给具有既定机能的添加气体，以作为冲净气体的至少一部分。

4. 发明专利

TW201632653A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201632653A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104142496
申请日：2015-12-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋毅 , TAKAHASHI, TSUYOSHI , 佐野正樹 , SANO, MASAKI , 神尾卓史 , KAMIO, TAKASHI , 高木俊夫 , TAKAGI, TOSHIO
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/45589
摘要：提供一種如下述之技術：可在經由置換用之氣體的供給，依序供給在真空氛圍中相互反應之複數個種類的反應氣體而進行成膜處理的成膜裝置中，進行反應氣體與置換用之氣體的置換性高且面內均勻性高的成膜處理。在將設置於晶圓(W)之載置台(2)的上方之噴頭(5)的氣體噴射孔(511)配置於比晶圓(W)更寬廣的區域，並且在該噴頭(5)上的擴散空間(50)中，以使氣體分散於橫方向的方式，沿著其周方向配置形成有氣體吐出口(52)的複數個第1及第2氣體分散部(4A、4B)。而且，沿著以基板的中心部為中心之內側的第1圓，設置4個第1氣體分散部(4A)，進一步沿著第1圓之外側的第2圓，使用8個第2氣體分散部(4B)。
简体摘要：提供一种如下述之技术：可在经由置换用之气体的供给，依序供给在真空氛围中相互反应之复数个种类的反应气体而进行成膜处理的成膜设备中，进行反应气体与置换用之气体的置换性高且面内均匀性高的成膜处理。在将设置于晶圆(W)之载置台(2)的上方之喷头(5)的气体喷射孔(511)配置于比晶圆(W)更宽广的区域，并且在该喷头(5)上的扩散空间(50)中，以使气体分散于横方向的方式，沿着其周方向配置形成有气体吐出口(52)的复数个第1及第2气体分散部(4A、4B)。而且，沿着以基板的中心部为中心之内侧的第1圆，设置4个第1气体分散部(4A)，进一步沿着第1圆之外侧的第2圆，使用8个第2气体分散部(4B)。

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