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    • 2. 发明专利
    • 氣體處理裝置及氣體處理方法
    • 气体处理设备及气体处理方法
    • TW201840895A
    • 2018-11-16
    • TW106144524
    • 2017-12-19
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 掛川崇KAKEGAWA, TAKASHI古屋雄一FURUYA, YUICHI鳥屋大輔TORIYA, DAISUKE
    • C23C16/455H01L21/02H01L21/687H01L21/67
    • 將處理氣體供給至基板,而在該基板面內進行高均勻性之處理。 會構成一種裝置,係具備有:氣體擴散板,係將處理氣體噴出至載置台所載置之基板;複數氣體分散部,係設置於透過擴散空間來對向於該氣體擴散板上方側的對向部,並沿著周圍方向來個別形成有複數氣體噴出口;以及處理氣體流道,係上游側會成為各氣體分散部所共通之共通流道,且會在途中分歧而使下游側連接於各氣體分散部,並且從該共通流道到各氣體分散部之長度會互相一致。氣體分散部係沿著中心是分別位在擴散空間中心部周圍,且沿著擴散空間之周圍方向的複數個圓,來在1個該圓中,使得各複數個起自擴散空間之中心部的距離以不同的安排來加以配置。
    • 将处理气体供给至基板,而在该基板面内进行高均匀性之处理。 会构成一种设备,系具备有:气体扩散板,系将处理气体喷出至载置台所载置之基板;复数气体分散部,系设置于透过扩散空间来对向于该气体扩散板上方侧的对向部,并沿着周围方向来个别形成有复数气体喷出口;以及处理气体流道,系上游侧会成为各气体分散部所共通之共通流道,且会在途中分歧而使下游侧连接于各气体分散部,并且从该共通流道到各气体分散部之长度会互相一致。气体分散部系沿着中心是分别位在扩散空间中心部周围,且沿着扩散空间之周围方向的复数个圆,来在1个该圆中,使得各复数个起自扩散空间之中心部的距离以不同的安排来加以配置。
    • 5. 外观设计
    • 電漿處理裝置用內襯材 LINER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
    • 等离子处理设备用内衬材 LINER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
    • TWD149223S
    • 2012-09-11
    • TW100304782
    • 2011-09-09
    • 東京威力科創股份有限公司
    • 鈴木公貴鳥屋大輔山崎幸一
    • 【物品用途】
      本創作的物品是電漿處理裝置用內襯材,係構成可利用電漿在基板上進行氧化膜等之成膜和蝕刻之類的處理的電漿處理裝置之處理容器的一部分之電漿處理裝置用內襯材。
      【創作特點】
      從各視圖觀之,本物品的本體呈圓形環體,本體環周面上方設有等距之淺梯形突起部,本體之前、後方各設有一不同大小且由下往上凹陷之矩形缺口;如使用狀態參考圖所示,該處理容器1具有確認窗8、處理室及排氣室6,在處理容器1內,係設置有用來載置處理基板9的載置台7,該載置台7的周圍係配設有擋板3,本物品之電漿處理裝置用內襯材2係在處理容器1之內壁上,於其他電漿處理裝置用內襯材4、5之上方;具有防止因處理容器1之構成材料所產生的金屬污染之功能。
    • 【物品用途】 本创作的物品是等离子处理设备用内衬材,系构成可利用等离子在基板上进行氧化膜等之成膜和蚀刻之类的处理的等离子处理设备之处理容器的一部分之等离子处理设备用内衬材。 【创作特点】 从各视图观之,本物品的本体呈圆形环体,本体环周面上方设有等距之浅梯形突起部,本体之前、后方各设有一不同大小且由下往上凹陷之矩形缺口;如使用状态参考图所示,该处理容器1具有确认窗8、处理室及排气室6,在处理容器1内,系设置有用来载置处理基板9的载置台7,该载置台7的周围系配设有挡板3,本物品之等离子处理设备用内衬材2系在处理容器1之内壁上,于其他等离子处理设备用内衬材4、5之上方;具有防止因处理容器1之构成材料所产生的金属污染之功能。
    • 6. 发明专利
    • 載置台構造及熱處理裝置
    • 载置台构造及热处理设备
    • TW200952111A
    • 2009-12-16
    • TW098109189
    • 2009-03-20
    • 東京威力科創股份有限公司
    • 鳥屋大輔山本弘彥
    • H01L
    • H01L21/68792C23C16/4586H01L21/67103H01L21/67115
    • 提供阻止在載置台之中心部產生冷點,可以防止該載置台本身破損之情形,並且可以提高對被處理體執行熱處理之面內均勻性的載置台構造。被設置在熱處理裝置之處理容器(22)內,用以載置屬於應熱處理之被處理體之半導體晶圓(W)之載置台構造,具備有用以載置上述被處理體之載置台(52),和被連結於上述載置台之下面之中心部而支撐上述載置台之筒體狀之支柱(54)。在上述支柱內之上部設置有接近於上述載置台之下面而設置的熱反射部。藉由熱反射部(56)阻止在載置台(54)之中心部產生冷點之情形。
    • 提供阻止在载置台之中心部产生冷点,可以防止该载置台本身破损之情形,并且可以提高对被处理体运行热处理之面内均匀性的载置台构造。被设置在热处理设备之处理容器(22)内,用以载置属于应热处理之被处理体之半导体晶圆(W)之载置台构造,具备有用以载置上述被处理体之载置台(52),和被链接于上述载置台之下面之中心部而支撑上述载置台之筒体状之支柱(54)。在上述支柱内之上部设置有接近于上述载置台之下面而设置的热反射部。借由热反射部(56)阻止在载置台(54)之中心部产生冷点之情形。