专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI643906B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI643906B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105144248
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027

2. 发明专利

TW201730275A 樹脂薄膜形成用組成物审中-公开
简体标题：树脂薄膜形成用组成物
公开(公告)号：TW201730275A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105131993
申请日：2016-09-30
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：江原和也 , EBARA, KAZUYA , 葉鎮嘉 , YEH, CHENGJIA , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： C08L79/08 , C08G73/10 , C08K3/36 , C08J5/18 , G02F1/1333 , H01L51/52
CPC分类号： C08G73/10 , C08K3/36 , C08L79/08
摘要：本發明之目的以提供一種樹脂薄膜形成用組成物，其可賦予不僅是耐熱性及耐溶劑性為優異，亦具有所謂延遲為低之特徵之樹脂薄膜，特以適合作為可撓性裝置之基板之樹脂薄膜。一種樹脂薄膜形成用組成物，其係包含聚醯亞胺、二氧化矽粒子、交聯劑及有機溶劑，該二氧化矽粒子係從藉由氮氣吸附法所測定的比表面積值算出的平均粒徑為100nm以下，以及由該樹脂薄膜形成用組成物所形成的樹脂薄膜。
简体摘要：本发明之目的以提供一种树脂薄膜形成用组成物，其可赋予不仅是耐热性及耐溶剂性为优异，亦具有所谓延迟为低之特征之树脂薄膜，特以适合作为可挠性设备之基板之树脂薄膜。一种树脂薄膜形成用组成物，其系包含聚酰亚胺、二氧化硅粒子、交联剂及有机溶剂，该二氧化硅粒子系从借由氮气吸附法所测定的比表面积值算出的平均粒径为100nm以下，以及由该树脂薄膜形成用组成物所形成的树脂薄膜。

3. 发明专利

TWI475326B ＥＵＶ（極紫外線）微影用光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：ＥＵＶ（极紫外线）微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI475326B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW099112323
申请日：2010-04-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： G03F7/09 , C09D161/14 , C09D5/32 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31116 , C08G59/08 , C08L63/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , Y10S430/106

4. 发明专利

TWI468432B 可減少產生釋放氣體之形成光阻下層膜組成物有权
简体标题：可减少产生释放气体之形成光阻下层膜组成物
公开(公告)号：TWI468432B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098140608
申请日：2009-11-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI
IPC分类号： C08G63/685 , C08G63/127 , G03F7/004 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/093

5. 发明专利

TW201224010A ＥＵＶ微影用抗蝕上層膜形成組成物 RESIST OVERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影用抗蚀上层膜形成组成物 RESIST OVERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR EUV LITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW201224010A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100135915
申请日：2011-10-04
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：坂本力丸 , 何邦慶 , 遠藤貴文
IPC分类号： C08G , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C09D5/00 , C08F12/24 , C08G8/08 , C08G8/24 , C08L61/06 , C09D161/06 , G03F7/091 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F212/14 , C08F220/06
摘要：本發明之課題為提供一種使用於EUV微影製程之EUV抗蝕(resist)上層膜形成組成物，其不會與EUV抗蝕互混，於EUV曝光之際，將不佳的曝光光源之例如UV光或DUV光遮斷，選擇性地僅使EUV光透過，又，曝光後在顯影液為可顯影者。一種EUV抗蝕上層膜形成組成物，其係使用於包含在主鏈或側鏈為含有萘環之樹脂及溶劑之EUV微影步驟，樹脂係含有作為親水性基之羥基、羧基、磺基、或含有此等基之中之至少一個基之一價有機基，特別是，樹脂係含有式(1)、或式(1)及式(2)之單位構造，或是含有式(3)、式(3)及式(4)、式(3)及式(5)、式(3)及式(4)及式(5)、式(3)及式(5)及式(6)、或式(3)及式(4)及式(5)及式(6)之單位構造；
简体摘要：本发明之课题为提供一种使用于EUV微影制程之EUV抗蚀(resist)上层膜形成组成物，其不会与EUV抗蚀互混，于EUV曝光之际，将不佳的曝光光源之例如UV光或DUV光遮断，选择性地仅使EUV光透过，又，曝光后在显影液为可显影者。一种EUV抗蚀上层膜形成组成物，其系使用于包含在主链或侧链为含有萘环之树脂及溶剂之EUV微影步骤，树脂系含有作为亲水性基之羟基、羧基、磺基、或含有此等基之中之至少一个基之一价有机基，特别是，树脂系含有式(1)、或式(1)及式(2)之单位构造，或是含有式(3)、式(3)及式(4)、式(3)及式(5)、式(3)及式(4)及式(5)、式(3)及式(5)及式(6)、或式(3)及式(4)及式(5)及式(6)之单位构造；

6. 发明专利

TW201144353A 光阻底層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：光阻底层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
公开(公告)号：TW201144353A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099143735
申请日：2010-12-14
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：坂本力丸 , 遠藤貴文 , 何邦慶
IPC分类号： C08G , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/091 , C08G59/12 , C08G59/4223 , C08L63/00
摘要：本發明之課題係提供減低在使用電子線或EUV微影術之裝置製作步驟中，因所使用之電子線、EUV所受到之不良影響，為用於獲得良好光阻圖型為有效之電子線或EUV微影術用光阻底層膜形成組成物，以及使用該光阻底層膜形成組成物之光阻圖型形成法。解決問題之技術手段為一種電子線或EUV微影術用光阻底層膜形成組成物，其係含有具有以下述式(1)：
[Q示為式(2)或式(3)：[化2]
(式中Q1示為碳原子數1～10之伸烷基、伸苯基、伸萘基、或伸蒽基；X1示為式(4)、(5)或式(6)：
)所示之基]所示之重複單位構造之聚合物及溶劑。
简体摘要：本发明之课题系提供减低在使用电子线或EUV微影术之设备制作步骤中，因所使用之电子线、EUV所受到之不良影响，为用于获得良好光阻图型为有效之电子线或EUV微影术用光阻底层膜形成组成物，以及使用该光阻底层膜形成组成物之光阻图型形成法。解决问题之技术手段为一种电子线或EUV微影术用光阻底层膜形成组成物，其系含有具有以下述式(1)： [Q示为式(2)或式(3)：[化2] (式中Q1示为碳原子数1～10之伸烷基、伸苯基、伸萘基、或伸蒽基；X1示为式(4)、(5)或式(6)： )所示之基]所示之重复单位构造之聚合物及溶剂。

7. 发明专利

TW201042396A ＥＵＶ（極紫外線）微影用光阻下層膜形成組成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
简体标题：ＥＵＶ（极紫外线）微影用光阻下层膜形成组成物 RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR EUV LITHOGRAPHY
公开(公告)号：TW201042396A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099112323
申请日：2010-04-20
申请人：日產化學工業股份有限公司
发明人：坂本力丸 , 遠藤貴文 , 何邦慶
IPC分类号： G03F , C09D , H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , C08G59/08 , C08L63/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , Y10S430/106
摘要：本發明提供一種降低因使用EUV（極紫外線）微影之裝置製作步驟中所用之EUV引起之不良影響且獲得良好光阻圖型之有效EUV微影用光阻下層膜組成物，以及使用該EUV微影用光阻下層膜組成物之光阻圖型形成方法。本發明提供一種包含含有鹵素原子之酚醛清漆樹脂之半導體裝置製造中使用之EUV微影製程用光阻下層膜形成組成物。酚醛清漆樹脂包含由環氧基、羥基或該等之組合所構成之交聯形成基。鹵素原子為溴或碘原子。酚醛清漆樹脂為酚醛清漆樹脂或環氧化之酚醛清漆樹脂與鹵化苯甲酸之反應產物。酚醛清漆樹脂為縮水甘油氧基酚醛清漆樹脂與二碘水楊酸之反應產物。
简体摘要：本发明提供一种降低因使用EUV（极紫外线）微影之设备制作步骤中所用之EUV引起之不良影响且获得良好光阻图型之有效EUV微影用光阻下层膜组成物，以及使用该EUV微影用光阻下层膜组成物之光阻图型形成方法。本发明提供一种包含含有卤素原子之酚醛清漆树脂之半导体设备制造中使用之EUV微影制程用光阻下层膜形成组成物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或该等之组合所构成之交联形成基。卤素原子为溴或碘原子。酚醛清漆树脂为酚醛清漆树脂或环氧化之酚醛清漆树脂与卤化苯甲酸之反应产物。酚醛清漆树脂为缩水甘油氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸之反应产物。

8. 发明专利

TWI628514B 微影蝕刻用光阻上層膜形成用組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI628514B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW102131986
申请日：2013-09-05
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08F12/24 , C08G8/04 , C08L61/06 , H01L21/027

9. 发明专利

TWI627508B ＥＵＶ微影用阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：ＥＵＶ微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI627508B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW102109627
申请日：2013-03-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027

10. 发明专利

TWI592772B 含聚合物之顯像液有权
简体标题：含聚合物之显像液
公开(公告)号：TWI592772B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW101110140
申请日：2012-03-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式