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1. 发明专利

TW201816511A 阻劑組成物及阻劑圖型形成方法审中-公开
简体标题：阻剂组成物及阻剂图型形成方法
公开(公告)号：TW201816511A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121291
申请日：2017-06-26
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 福村友貴 , FUKUMURA, YUKI , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/32 , C08F220/18 , C08F220/58 , C08K5/42 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F212/14
摘要：本發明係一種阻劑組成物，其係包含具有以通式(a0-1)表示之構成單位的樹脂成分與通式(b1)表示的化合物。式(a0-1)中，R為氫原子、烷基或鹵化烷基。Va1為二價烴基。na1為0~2之整數。Ra’12及Ra’13為碳數1~10之一價鏈狀飽和烴基或氫原子。Ra’14為苯基、萘基、或蒽基。式(b1)中，Rb1表示環狀烴基。Yb1表示含有酯鍵之二價連結基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。m為1以上之整數，Mm+表示m價之有機陽離子。
简体摘要：本发明系一种阻剂组成物，其系包含具有以通式(a0-1)表示之构成单位的树脂成分与通式(b1)表示的化合物。式(a0-1)中，R为氢原子、烷基或卤化烷基。Va1为二价烃基。na1为0~2之整数。Ra’12及Ra’13为碳数1~10之一价链状饱和烃基或氢原子。Ra’14为苯基、萘基、或蒽基。式(b1)中，Rb1表示环状烃基。Yb1表示含有酯键之二价链接基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或单键。m为1以上之整数，Mm+表示m价之有机阳离子。

2. 发明专利

TW201815850A 光阻組成物及光阻圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法
公开(公告)号：TW201815850A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121292
申请日：2017-06-26
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 福村友貴 , FUKUMURA, YUKI , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： C08F220/32 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：本發明為提供一種光阻組成物，其係含有具有一般式(a0-1)所表示之構成單位之樹脂成分、與一般式(b1)所表示之化合物。式(a0-1)中，R為氫原子、烷基或鹵化烷基。Va1為2價之烴基。na1為0~2之整數。Ya0為碳原子。Xa0為與Ya0一起形成單環式之脂肪族烴基之基。Ra00為芳香族烴基、或特定之不飽和烴基。式(b1)中，Rb1表示環狀之烴基。Yb1表示包含酯鍵結之2價連結基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。Mm+表示m價有機陽離子]。
简体摘要：本发明为提供一种光阻组成物，其系含有具有一般式(a0-1)所表示之构成单位之树脂成分、与一般式(b1)所表示之化合物。式(a0-1)中，R为氢原子、烷基或卤化烷基。Va1为2价之烃基。na1为0~2之整数。Ya0为碳原子。Xa0为与Ya0一起形成单环式之脂肪族烃基之基。Ra00为芳香族烃基、或特定之不饱和烃基。式(b1)中，Rb1表示环状之烃基。Yb1表示包含酯键结之2价链接基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或单键。Mm+表示m价有机阳离子]。

3. 发明专利

TW201815750A 光阻組成物及光阻圖型形成方法以及化合物及酸產生劑审中-公开
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法以及化合物及酸产生剂
公开(公告)号：TW201815750A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121287
申请日：2017-06-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 福村友貴 , FUKUMURA, YUKI , 海老澤和明 , EBISAWA, KAZUAKI , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： C07C309/24 , G03F7/004 , G03F7/039
摘要：本案發明為一種因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之光阻組成物，且其特徵為含有因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之基材成分、與一般式(b1)所表示之酸產生劑。式(b1)中，Rb1表示具有至少1個碳數3以上之烷基作為取代基之芳香族烴基。Yb1表示包含酯鍵結(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之2價連結基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。m為1以上之整數，Mm+表示m價之有機陽離子。 [化1]Rb1-Yb1-Vb1-CF2-SO3-(Mm+)1/m...(b1)
简体摘要：本案发明为一种因曝光产生酸，且因酸之作用而对显像液之溶解性有变化之光阻组成物，且其特征为含有因酸之作用而对显像液之溶解性有变化之基材成分、与一般式(b1)所表示之酸产生剂。式(b1)中，Rb1表示具有至少1个碳数3以上之烷基作为取代基之芳香族烃基。Yb1表示包含酯键结(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之2价链接基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或单键。m为1以上之整数，Mm+表示m价之有机阳离子。 [化1]Rb1-Yb1-Vb1-CF2-SO3-(Mm+)1/m...(b1)

4. 发明专利

TWI548936B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI548936B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101146393
申请日：2012-12-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊田信次 , KUMADA, SHINJI , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 山下直紀 , YAMASHITA, NAOKI , 平山文武 , HIRAYAMA, FUMITAKE
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/26 , H01L21/027

5. 发明专利

TW201339746A 光阻組成物，光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201339746A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101146393
申请日：2012-12-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊田信次 , KUMADA, SHINJI , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 山下直紀 , YAMASHITA, NAOKI , 平山文武 , HIRAYAMA, FUMITAKE
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/26 , H01L21/027
摘要： [課題]本發明提供一種具有優良微影蝕刻特性及密著性、降低浮渣之光阻組成物，及光阻圖型之形成方法。[解決手段]一種光阻組成物，其特徵為，含有經由酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化之基材成份(A)、經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)、具有式(c0)所表示之結構單位(c0)的高分子化合物(C)與含有由式(d1)~(d3)所表示之化合物所形成之群所選出之1個以上之化合物的光反應型抑制劑(Quencher)(D)之光阻組成物。 [式中，R為氫原子、烷基或鹵化烷基；R1為具有1個以上之一級或二級之醇性羥基或具有鏈狀三級醇性羥基的有機基；R3為烴基；Z2c為碳數1~30之烴基；R4為有機基；Y3為伸烷基或伸芳基；Rf0為烴基；Z+為鋶或錪陽離子]。
简体摘要： [课题]本发明提供一种具有优良微影蚀刻特性及密着性、降低浮渣之光阻组成物，及光阻图型之形成方法。[解决手段]一种光阻组成物，其特征为，含有经由酸之作用而对显影液之溶解性产生变化之基材成份(A)、经由曝光而产生酸之酸产生剂成份(B)、具有式(c0)所表示之结构单位(c0)的高分子化合物(C)与含有由式(d1)~(d3)所表示之化合物所形成之群所选出之1个以上之化合物的光反应型抑制剂(Quencher)(D)之光阻组成物。 [式中，R为氢原子、烷基或卤化烷基；R1为具有1个以上之一级或二级之醇性羟基或具有链状三级醇性羟基的有机基；R3为烃基；Z2c为碳数1~30之烃基；R4为有机基；Y3为伸烷基或伸芳基；Rf0为烃基；Z+为锍或錪阳离子]。

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