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2. 发明专利

TW201339746A 光阻組成物，光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201339746A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101146393
申请日：2012-12-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：熊田信次 , KUMADA, SHINJI , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 山下直紀 , YAMASHITA, NAOKI , 平山文武 , HIRAYAMA, FUMITAKE
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/26 , H01L21/027
摘要： [課題]本發明提供一種具有優良微影蝕刻特性及密著性、降低浮渣之光阻組成物，及光阻圖型之形成方法。[解決手段]一種光阻組成物，其特徵為，含有經由酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化之基材成份(A)、經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)、具有式(c0)所表示之結構單位(c0)的高分子化合物(C)與含有由式(d1)~(d3)所表示之化合物所形成之群所選出之1個以上之化合物的光反應型抑制劑(Quencher)(D)之光阻組成物。 [式中，R為氫原子、烷基或鹵化烷基；R1為具有1個以上之一級或二級之醇性羥基或具有鏈狀三級醇性羥基的有機基；R3為烴基；Z2c為碳數1~30之烴基；R4為有機基；Y3為伸烷基或伸芳基；Rf0為烴基；Z+為鋶或錪陽離子]。
简体摘要： [课题]本发明提供一种具有优良微影蚀刻特性及密着性、降低浮渣之光阻组成物，及光阻图型之形成方法。[解决手段]一种光阻组成物，其特征为，含有经由酸之作用而对显影液之溶解性产生变化之基材成份(A)、经由曝光而产生酸之酸产生剂成份(B)、具有式(c0)所表示之结构单位(c0)的高分子化合物(C)与含有由式(d1)~(d3)所表示之化合物所形成之群所选出之1个以上之化合物的光反应型抑制剂(Quencher)(D)之光阻组成物。 [式中，R为氢原子、烷基或卤化烷基；R1为具有1个以上之一级或二级之醇性羟基或具有链状三级醇性羟基的有机基；R3为烃基；Z2c为碳数1~30之烃基；R4为有机基；Y3为伸烷基或伸芳基；Rf0为烃基；Z+为锍或錪阳离子]。

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