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1. 发明专利

TW201331235A ＥＵＶ用或ＥＢ用光阻組成物、光阻圖型形成方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ用或ＥＢ用光阻组成物、光阻图型形成方法
公开(公告)号：TW201331235A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101137732
申请日：2012-10-12
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 岩下淳 , IWASHITA, JUN
IPC分类号： C08F20/24 , C08F20/56 , C08F12/20 , G03F7/039 , G03F7/038
摘要：一種EUV用或EB用光阻組成物，其為含有經由曝光產生酸，且經由酸之作用而改變對顯影液之溶解性的基材成份(A)，與具有由氟原子及矽原子所選出之至少1種及經由鹼之作用而分解而增大極性之極性變換基的樹脂成份(W)的EUV用或EB用光阻組成物，其特徵為，(A)為含有具有具式(a0-1)或(a0-2)所表示之基的結構單位(a0)的成份(A1)，(W)相對於(A)100質量份為含有1~15質量份[Q1、Q2為單鍵或2價之鍵結基，R3~R5為有機基，-R3-S+(R4)(R5)全體僅具有1個芳香環或不具有芳香環。V-為對陰離子，A-為含有陰離子之有機基，Mm+為1~3價之有機陽離子。但，Mm+為僅具有1個芳香環或不具有芳香環]。
简体摘要：一种EUV用或EB用光阻组成物，其为含有经由曝光产生酸，且经由酸之作用而改变对显影液之溶解性的基材成份(A)，与具有由氟原子及硅原子所选出之至少1种及经由碱之作用而分解而增大极性之极性变换基的树脂成份(W)的EUV用或EB用光阻组成物，其特征为，(A)为含有具有具式(a0-1)或(a0-2)所表示之基的结构单位(a0)的成份(A1)，(W)相对于(A)100质量份为含有1~15质量份[Q1、Q2为单键或2价之键结基，R3~R5为有机基，-R3-S+(R4)(R5)全体仅具有1个芳香环或不具有芳香环。V-为对阴离子，A-为含有阴离子之有机基，Mm+为1~3价之有机阳离子。但，Mm+为仅具有1个芳香环或不具有芳香环]。

2. 发明专利

TWI679255B 底劑、及含有相分離結構之結構體的製造方法有权
简体标题：底剂、及含有相分离结构之结构体的制造方法
公开(公告)号：TWI679255B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW104140562
申请日：2015-12-03
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 前橋貴哉 , MAEHASHI, TAKAYA , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 松宮祐 , MATSUMIYA, TASUKU , 黑澤剛志 , KUROSAWA, TSUYOSHI , 山野仁詩 , YAMANO, HITOSHI
IPC分类号： C09D125/04 , C09D5/00 , C08F8/00 , C08F12/04 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201815850A 光阻組成物及光阻圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法
公开(公告)号：TW201815850A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121292
申请日：2017-06-26
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 福村友貴 , FUKUMURA, YUKI , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： C08F220/32 , C08F212/14 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：本發明為提供一種光阻組成物，其係含有具有一般式(a0-1)所表示之構成單位之樹脂成分、與一般式(b1)所表示之化合物。式(a0-1)中，R為氫原子、烷基或鹵化烷基。Va1為2價之烴基。na1為0~2之整數。Ya0為碳原子。Xa0為與Ya0一起形成單環式之脂肪族烴基之基。Ra00為芳香族烴基、或特定之不飽和烴基。式(b1)中，Rb1表示環狀之烴基。Yb1表示包含酯鍵結之2價連結基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。Mm+表示m價有機陽離子]。
简体摘要：本发明为提供一种光阻组成物，其系含有具有一般式(a0-1)所表示之构成单位之树脂成分、与一般式(b1)所表示之化合物。式(a0-1)中，R为氢原子、烷基或卤化烷基。Va1为2价之烃基。na1为0~2之整数。Ya0为碳原子。Xa0为与Ya0一起形成单环式之脂肪族烃基之基。Ra00为芳香族烃基、或特定之不饱和烃基。式(b1)中，Rb1表示环状之烃基。Yb1表示包含酯键结之2价链接基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或单键。Mm+表示m价有机阳离子]。

4. 发明专利

TWI679216B 光阻組成物及光阻圖型形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法
公开(公告)号：TWI679216B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105101088
申请日：2016-01-14
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平山拓 , HIRAYAMA, TAKU , 川名大助 , KAWANA, DAISUKE , 松丸省吾 , MATSUMARU, SHOGO , 鈴木健太 , SUZUKI, KENTA , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： C08F220/28 , C08F212/08 , C08F212/14 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027

5. 发明专利

TW201841954A 阻劑組成物及阻劑圖型之形成方法审中-公开
简体标题：阻剂组成物及阻剂图型之形成方法
公开(公告)号：TW201841954A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107102458
申请日：2018-01-24
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 山崎広人 , YAMAZAKI, HIROTO , 鈴木健太 , SUZUKI, KENTA
IPC分类号： C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08F232/08 , C07C381/12 , C07D327/04 , C07C309/12 , C07C311/03 , C07C65/05 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：一種含有具有由通式(a0-1)所表示之化合物所衍生之結構單位的高分子化合物(A1)，與具有特定構造之陰離子部的鎓鹽(B1)，與經由曝光而分解而喪失酸擴散控制性的光崩壞性鹼(D1)之阻劑組成物。式(a0-1)中，Rax0為含有聚合性基之基；Wax0為(nax0+1)價之芳香族烴基；又，Rax0與Wax0可形成縮合環構造；nax0為1～3之整數；Yax01為羰基或單鍵；Rax01為可具有取代基之烴基或氫原子。
简体摘要：一种含有具有由通式(a0-1)所表示之化合物所衍生之结构单位的高分子化合物(A1)，与具有特定构造之阴离子部的鎓盐(B1)，与经由曝光而分解而丧失酸扩散控制性的光崩坏性碱(D1)之阻剂组成物。式(a0-1)中，Rax0为含有聚合性基之基；Wax0为(nax0+1)价之芳香族烃基；又，Rax0与Wax0可形成缩合环构造；nax0为1～3之整数；Yax01为羰基或单键；Rax01为可具有取代基之烃基或氢原子。

6. 发明专利

TW201815750A 光阻組成物及光阻圖型形成方法以及化合物及酸產生劑审中-公开
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法以及化合物及酸产生剂
公开(公告)号：TW201815750A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121287
申请日：2017-06-26
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 福村友貴 , FUKUMURA, YUKI , 海老澤和明 , EBISAWA, KAZUAKI , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 高山寿一 , TAKAYAMA, TOSHIKAZU , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： C07C309/24 , G03F7/004 , G03F7/039
摘要：本案發明為一種因曝光產生酸，且因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之光阻組成物，且其特徵為含有因酸之作用而對顯像液之溶解性有變化之基材成分、與一般式(b1)所表示之酸產生劑。式(b1)中，Rb1表示具有至少1個碳數3以上之烷基作為取代基之芳香族烴基。Yb1表示包含酯鍵結(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之2價連結基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或單鍵。m為1以上之整數，Mm+表示m價之有機陽離子。 [化1]Rb1-Yb1-Vb1-CF2-SO3-(Mm+)1/m...(b1)
简体摘要：本案发明为一种因曝光产生酸，且因酸之作用而对显像液之溶解性有变化之光阻组成物，且其特征为含有因酸之作用而对显像液之溶解性有变化之基材成分、与一般式(b1)所表示之酸产生剂。式(b1)中，Rb1表示具有至少1个碳数3以上之烷基作为取代基之芳香族烃基。Yb1表示包含酯键结(-C(=O)-O-或-O-C(=O)-)之2价链接基。Vb1表示伸烷基、氟化伸烷基或单键。m为1以上之整数，Mm+表示m价之有机阳离子。 [化1]Rb1-Yb1-Vb1-CF2-SO3-(Mm+)1/m...(b1)

7. 发明专利

TW201700645A 底劑、及含有相分離結構之結構體的製造方法审中-公开
简体标题：底剂、及含有相分离结构之结构体的制造方法
公开(公告)号：TW201700645A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104140562
申请日：2015-12-03
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 前橋貴哉 , MAEHASHI, TAKAYA , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 鈴木一生 , SUZUKI, ISSEI , 松宮祐 , MATSUMIYA, TASUKU , 黑澤剛志 , KUROSAWA, TSUYOSHI , 山野仁詩 , YAMANO, HITOSHI
IPC分类号： C09D125/04 , C09D5/00 , C08F8/00 , C08F12/04 , H01L21/027
CPC分类号： B05D1/38 , B05D3/0254 , B05D7/52 , C09D153/00 , G03F7/0002
摘要：一種底劑，其為形成於基板上之使包含由複數種類之嵌段經鍵結而得之嵌段共聚物之層進行相分離所使用之底劑，其特徵為，含有樹脂成份，該樹脂成份具有通式(u1-1)所表示之結構單位(u1)，且，主鏈的至少一個末端部具有羥基。式(u1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。R1為鹵素原子，或可含有氧原子、鹵素原子或矽原子之碳數1~20之直鏈狀、支鏈狀或環狀或該些組合而得之烴基。p為1~5之整數。
简体摘要：一种底剂，其为形成于基板上之使包含由复数种类之嵌段经键结而得之嵌段共聚物之层进行相分离所使用之底剂，其特征为，含有树脂成份，该树脂成份具有通式(u1-1)所表示之结构单位(u1)，且，主链的至少一个末端部具有羟基。式(u1-1)中，R为氢原子、碳数1~5之烷基或碳数1~5之卤化烷基。R1为卤素原子，或可含有氧原子、卤素原子或硅原子之碳数1~20之直链状、支链状或环状或该些组合而得之烃基。p为1~5之整数。

8. 发明专利

TWI635356B 光阻組成物，光阻圖型形成方法，高分子化合物有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型形成方法，高分子化合物
公开(公告)号：TWI635356B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW102144646
申请日：2013-12-05
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：海保貴昭 , KAIHO, TAKAAKI , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 岩下淳 , IWASHITA, JUN , 矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/38 , C07C381/12 , H01L21/027

9. 发明专利

TW201641526A 光阻組成物及光阻圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物及光阻图型形成方法
公开(公告)号：TW201641526A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105101088
申请日：2016-01-14
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：平山拓 , HIRAYAMA, TAKU , 川名大助 , KAWANA, DAISUKE , 松丸省吾 , MATSUMARU, SHOGO , 鈴木健太 , SUZUKI, KENTA , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO , 藤井達也 , FUJII, TATSUYA
IPC分类号： C08F220/28 , C08F212/08 , C08F212/14 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要：一種經由曝光而產生酸，且經由酸的作用而使對顯影液之溶解性產生變化之光阻組成物，其為含有經由酸的作用而使對顯影液之溶解性產生變化之基材成份(A)，及經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)，其中，前述基材成份(A)為含有，含有下述通式(a0-1)所表示之結構單位(a0)之樹脂成份，前述酸產生劑成份(B)為含有，具有具電子吸引性基之陽離子部的化合物為特徴之光阻組成物。〔式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Ya為碳原子，Xa與Ya同為形成脂環式烴基所必要之原子團。Ra01為可具有取代基之芳香族烴基〕。
简体摘要：一种经由曝光而产生酸，且经由酸的作用而使对显影液之溶解性产生变化之光阻组成物，其为含有经由酸的作用而使对显影液之溶解性产生变化之基材成份(A)，及经由曝光而产生酸之酸产生剂成份(B)，其中，前述基材成份(A)为含有，含有下述通式(a0-1)所表示之结构单位(a0)之树脂成份，前述酸产生剂成份(B)为含有，具有具电子吸引性基之阳离子部的化合物为特徴之光阻组成物。〔式中，R为氢原子、碳数1~5之烷基或碳数1~5之卤化烷基。Ya为碳原子，Xa与Ya同为形成脂环式烃基所必要之原子团。Ra01为可具有取代基之芳香族烃基〕。

10. 发明专利

TW201437744A 光阻組成物，光阻圖型形成方法，高分子化合物审中-公开
简体标题：光阻组成物，光阻图型形成方法，高分子化合物
公开(公告)号：TW201437744A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102144646
申请日：2013-12-05
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：海保貴昭 , KAIHO, TAKAAKI , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 岩下淳 , IWASHITA, JUN , 矢萩真人 , YAHAGI, MASAHITO
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/38 , C07C381/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要：本發明係提供微影特性優異的光阻組成物等。本發明之光阻組成物，其係藉由曝光產生酸，且藉由酸的作用而對顯像液之溶解性產生變化的光阻組成物，其特徵為含有藉由酸之作用而對顯像液之溶解性產生變化的基材成分(A)，前述基材成分(A)含有具有由下述一般式(a0-1)表示之化合物所衍生之構成單位(a0)的高分子化合物(A1)。〔式中，R1為可具有取代基之碳數5以上的烴基，Y1為2價連結基，V1為伸烷基，V2為氟化伸烷基，n係0~2之整數，Mm+係m價有機陽離子，m為1以上之整數〕。
简体摘要：本发明系提供微影特性优异的光阻组成物等。本发明之光阻组成物，其系借由曝光产生酸，且借由酸的作用而对显像液之溶解性产生变化的光阻组成物，其特征为含有借由酸之作用而对显像液之溶解性产生变化的基材成分(A)，前述基材成分(A)含有具有由下述一般式(a0-1)表示之化合物所衍生之构成单位(a0)的高分子化合物(A1)。〔式中，R1为可具有取代基之碳数5以上的烃基，Y1为2价链接基，V1为伸烷基，V2为氟化伸烷基，n系0~2之整数，Mm+系m价有机阳离子，m为1以上之整数〕。

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