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1. 发明专利

TWI598685B 光阻組成物及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI598685B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW103110302
申请日：2014-03-19
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 丹野一石 , TANNO, KAZUISHI , 本池直人 , MOTOIKE, NAOTO , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 平野智之 , HIRANO, TOMOYUKI , 新井雅俊 , ARAI, MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/54 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/2041 , G03F7/30

2. 发明专利

TWI578098B 光阻組成物、光阻圖型之形成方法及高分子化合物有权
简体标题：光阻组成物、光阻图型之形成方法及高分子化合物
公开(公告)号：TWI578098B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101105518
申请日：2012-02-20
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：松澤賢介 , MATSUZAWA, KENSUKE , 岩下淳 , IWASHITA, JUN , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 新井雅俊 , ARAI, MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F28/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08F228/06 , C08F2220/382 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2039 , G03F7/38

3. 发明专利

TWI537677B 光阻組成物及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI537677B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101132535
申请日：2012-09-06
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：黑澤剛志 , KUROSAWA, TSUYOSHI , 遠藤浩太朗 , ENDO, KOTARO , 岩澤裕太 , IWASAWA, YUTA , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041

4. 发明专利

TW201500847A 光阻組成物、光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：光阻组成物、光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201500847A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103114519
申请日：2014-04-22
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 前橋貴哉 , MAEHASHI, TAKAYA , 長峰高志 , NAGAMINE, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/02 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：一種光阻組成物，其為含有經由酸的作用而對顯影液之溶解性產生變化的基材成份及經由曝光而產生酸之酸產生劑成份之光阻組成物。其中，基材成份為，含有具有(a0-1)所表示之結構單位的高分子化合物，酸產生劑成份為，含有(b1)所表示之化合物者。[R為H、C1~5之烷基、C1~5之鹵化烷基，Ya1為單鍵、2價之鍵結基，La1、La2為-SO2-、-C(=O)-，Ra1為可具有取代基之環式基等，n1、n2為0或1。R11為可具有取代基之C5~30之環式基，V11為單鍵、C1~6之伸烷基，L11為酯鍵結，Y11為可具有F之C1~5之伸烷基，m為1以上之整數，Mm+為m價之有機陽離子]。
简体摘要：一种光阻组成物，其为含有经由酸的作用而对显影液之溶解性产生变化的基材成份及经由曝光而产生酸之酸产生剂成份之光阻组成物。其中，基材成份为，含有具有(a0-1)所表示之结构单位的高分子化合物，酸产生剂成份为，含有(b1)所表示之化合物者。[R为H、C1~5之烷基、C1~5之卤化烷基，Ya1为单键、2价之键结基，La1、La2为-SO2-、-C(=O)-，Ra1为可具有取代基之环式基等，n1、n2为0或1。R11为可具有取代基之C5~30之环式基，V11为单键、C1~6之伸烷基，L11为酯键结，Y11为可具有F之C1~5之伸烷基，m为1以上之整数，Mm+为m价之有机阳离子]。

5. 发明专利

TWI698039B 形成圖案之方法有权
简体标题：形成图案之方法
公开(公告)号：TWI698039B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107120326
申请日：2018-06-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：山田一希 , YAMADA, KAZUKI , 大和雅俊 , YAMATO, MASATOSHI , 八重樫英民 , YAEGASHI, HIDETAMI , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 瀬下武広 , SESHIMO, TAKEHIRO , 大森克実 , OHMORI, KATSUMI
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/31

6. 发明专利

TW201834007A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201834007A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106138748
申请日：2017-11-09
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：八重樫英民 , YAEGASHI, HIDETAMI , 小山賢一 , OYAMA, KENICHI , 大森克実 , OHMORI, KATSUMI , 小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 瀬下武広 , SESHIMO, TAKEHIRO
IPC分类号： H01L21/027
摘要：本發明提供一種於使用1D佈局之圖案形成中可提高重合標記之讀取精度之圖案形成方法。本發明藉由一種圖案形成方法而解決上述課題，該圖案形成方法具有如下製程：於基底膜上形成第1膜之製程，該第1膜被圖案化為包含隔開特定間隔之間隙而排列之線之線與間隙形狀；以覆蓋上述第1膜之表面之方式形成第2膜之製程；以於上述第1膜之側面殘存上述第2膜之方式將形成於上述第1膜之上表面之上述第2膜去除之製程；以覆蓋上述第1膜之表面及上述第2膜之表面之方式形成第3膜之製程；以於上述第2膜之側面殘存上述第3膜之方式將形成於上述第1膜之上表面及上述第2膜之上表面之上述第3膜去除之製程；及去除上述第3膜之製程之後使上述第3膜變質之製程；且上述第3膜係由藉由進行特定之處理而使耐蝕刻性提高之有機系金屬化合物形成。
简体摘要：本发明提供一种于使用1D布局之图案形成中可提高重合标记之读取精度之图案形成方法。本发明借由一种图案形成方法而解决上述课题，该图案形成方法具有如下制程：于基底膜上形成第1膜之制程，该第1膜被图案化为包含隔开特定间隔之间隙而排列之线之线与间隙形状；以覆盖上述第1膜之表面之方式形成第2膜之制程；以于上述第1膜之侧面残存上述第2膜之方式将形成于上述第1膜之上表面之上述第2膜去除之制程；以覆盖上述第1膜之表面及上述第2膜之表面之方式形成第3膜之制程；以于上述第2膜之侧面残存上述第3膜之方式将形成于上述第1膜之上表面及上述第2膜之上表面之上述第3膜去除之制程；及去除上述第3膜之制程之后使上述第3膜变质之制程；且上述第3膜系由借由进行特定之处理而使耐蚀刻性提高之有机系金属化合物形成。

7. 发明专利

TW201817750A 高分子化合物之製造方法审中-公开
简体标题：高分子化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201817750A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106123375
申请日：2017-07-12
申请人：日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 新井雅俊 , ARAI, MASATOSHI , 大西行志 , ONISHI, KOSHI , 阮慶信 , NGUYEN, KHANH TIN , 潮崎雅宏 , SHIOSAKI, MASAHIRO , 池田卓也 , IKEDA, TAKUYA , 前橋貴哉 , MAEHASHI, TAKAYA
IPC分类号： C08F8/00 , C08F212/14 , C08F220/06 , C08F220/18 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要：一種高分子化合物之製造方法，其為具有：使通式(m0-1)所表示之單體與通式(m0-2)所表示之單體，進行共聚而製得第1高分子化合物之步驟，與，使第1高分子化合物與酸成份進行反應而製得第2高分子化合物之步驟。式中，R1及R2分別為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Va01為可具有醚鍵結的2價之烴基。na01為0~2之整數。Ra10為三級烷酯型酸解離性基。Va02為含有雜原子的2價之鍵結基，或單鍵。Ra07為1價之有機基。na021為0~3之整數。Ra20為酸解離性基。na022為1~3之整數。
简体摘要：一种高分子化合物之制造方法，其为具有：使通式(m0-1)所表示之单体与通式(m0-2)所表示之单体，进行共聚而制得第1高分子化合物之步骤，与，使第1高分子化合物与酸成份进行反应而制得第2高分子化合物之步骤。式中，R1及R2分别为氢原子、碳数1~5之烷基或碳数1~5之卤化烷基。Va01为可具有醚键结的2价之烃基。na01为0~2之整数。Ra10为三级烷酯型酸解离性基。Va02为含有杂原子的2价之键结基，或单键。Ra07为1价之有机基。na021为0~3之整数。Ra20为酸解离性基。na022为1~3之整数。

8. 发明专利

TWI606998B 光阻組成物、化合物、高分子化合物及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物、化合物、高分子化合物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI606998B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103119059
申请日：2014-05-30
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 海保貴昭 , KAIHO, TAKAAKI , 波戶利明 , HATO, TOSHIAKI , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 土屋純一 , TSUCHIYA, JUNICHI , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI
IPC分类号： C07C381/12 , C08F20/10 , C08F16/14 , C08F12/02 , C08F28/02 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , C07C309/65 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041

9. 发明专利

TWI532754B 化合物、高分子化合物、酸產生劑、光阻組成物、光阻圖型之形成方法有权
简体标题：化合物、高分子化合物、酸产生剂、光阻组成物、光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI532754B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101113775
申请日：2012-04-18
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 新井雅俊 , ARAI, MASATOSHI
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C309/19 , C07C309/42 , C07C309/43 , C07C311/09 , C07C311/48 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , C07D307/93 , C07D493/18 , C08F220/28 , C08F228/02 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S522/904

10. 发明专利

TW201302815A 化合物、高分子化合物、酸產生劑、光阻組成物、光阻圖型之形成方法审中-公开
简体标题：化合物、高分子化合物、酸产生剂、光阻组成物、光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TW201302815A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101113775
申请日：2012-04-18
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：小室嘉崇 , KOMURO, YOSHITAKA , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 新井雅俊 , ARAI, MASATOSHI
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C381/12 , C07C309/12 , C07C309/19 , C07C309/42 , C07C309/43 , C07C311/09 , C07C311/48 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , C07D307/93 , C07D493/18 , C08F220/28 , C08F228/02 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S522/904
摘要：一種式(1-1)所表示之化合物。 [式中，R1、R3為各自獨立之單鍵或2價之鍵結基，A為2價之鍵結基，R2、R4為各自獨立之羥基、可具有取代基之烴基，或式(1-an1)、(1-an2)或(1-an3)所表示之基，R2、R4中之至少任一者為式(1-an1)、(1-an2)或(1-an3)所表示之基；n0為0或1。Y1為單鍵或-SO2-，R5為可被氟原子所取代之碳數1~10之直鏈狀或支鏈狀之1價之烴基、碳數3~20之環狀之1價之烴基，或碳數3~20之具有環狀之部分結構的1價之烴基。M+為有機陽離子或金屬陽離子]。
简体摘要：一种式(1-1)所表示之化合物。 [式中，R1、R3为各自独立之单键或2价之键结基，A为2价之键结基，R2、R4为各自独立之羟基、可具有取代基之烃基，或式(1-an1)、(1-an2)或(1-an3)所表示之基，R2、R4中之至少任一者为式(1-an1)、(1-an2)或(1-an3)所表示之基；n0为0或1。Y1为单键或-SO2-，R5为可被氟原子所取代之碳数1~10之直链状或支链状之1价之烃基、碳数3~20之环状之1价之烃基，或碳数3~20之具有环状之部分结构的1价之烃基。M+为有机阳离子或金属阳离子]。

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