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1. 发明专利

TW201832619A 天線、電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：天线、等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201832619A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107101208
申请日：2018-01-12
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：髙橋和樹 , TAKAHASHI, KAZUKI , 河田祐紀 , KAWADA, YUUKI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 仙田孝博 , SENDA, TAKAHIRO , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 深野翔平 , FUKANO, SHOHEI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 近藤寬之 , KONDO, HIROYUKI , 皆川隆 , MINAKAWA, TAKASHI
IPC分类号： H05H1/28 , H01Q1/44
摘要：本發明之一態樣之天線具備：介電窗，其具有第1面及第2面，且第2面具有環狀之凹面、及由凹面包圍之平坦面；槽板；介電板；金屬製之傳熱構件，其具有相互對向之上表面及下表面；冷卻套；及加熱器；且上表面包含複數個第1區域及第2區域，冷卻套搭載於複數個第1區域上，第2區域較複數個第1區域更向下表面之側凹陷，加熱器搭載於第2區域上，複數個第1區域各者設置於自與中心軸線平行之方向觀察時至少部分地與平坦面重疊之位置。
简体摘要：本发明之一态样之天线具备：介电窗，其具有第1面及第2面，且第2面具有环状之凹面、及由凹面包围之平坦面；槽板；介电板；金属制之传热构件，其具有相互对向之上表面及下表面；冷却套；及加热器；且上表面包含复数个第1区域及第2区域，冷却套搭载于复数个第1区域上，第2区域较复数个第1区域更向下表面之侧凹陷，加热器搭载于第2区域上，复数个第1区域各者设置于自与中心轴线平行之方向观察时至少部分地与平坦面重叠之位置。

2. 发明专利

TWI685016B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI685016B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105122943
申请日：2016-07-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田紳治 , KUBOTA, SHINJI , 道菅隆 , DOKAN, TAKASHI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01J37/32

3. 发明专利

TWI650793B 介電體窗、天線、以及電漿處理裝置有权
简体标题：介电体窗、天线、以及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI650793B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW103141550
申请日：2014-12-01
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 新宅正行 , SHINTAKU, MASAYUKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 三原直輝 , MIHARA, NAOKI , 富田祐吾 , TOMITA, YUGO
IPC分类号： H01J37/32

4. 发明专利

TW201826313A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201826313A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106140656
申请日：2017-11-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 長谷川貴志 , HASEGAWA, TAKASHI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/32
摘要：本發明之課題係不對電漿賦予擾動而運算出吸收頻率。本發明之電漿處理裝置具備：微波輸出部，其使具有與設定功率相應的功率之微波於設定頻率範圍內一邊調頻一邊輸出；波導管，其將由微波輸出部輸出之微波導向腔室本體之天線；調諧器，其設置於波導管，以將微波輸出部側之阻抗與天線側之阻抗匹配之方式調整可動板之位置；解調部，其設置於波導管，且對於每一頻率獲取於波導管內行進之行波之功率即行波功率、及來自天線側之反射波之功率即反射波功率；及運算部，其運算基於行波功率及反射波功率運算出之每一頻率之反射係數成為極小點之頻率作為吸收頻率。
简体摘要：本发明之课题系不对等离子赋予扰动而运算出吸收频率。本发明之等离子处理设备具备：微波输出部，其使具有与设置功率相应的功率之微波于设置频率范围内一边调频一边输出；波导管，其将由微波输出部输出之微波导向腔室本体之天线；调谐器，其设置于波导管，以将微波输出部侧之阻抗与天线侧之阻抗匹配之方式调整可动板之位置；解调部，其设置于波导管，且对于每一频率获取于波导管内行进之行波之功率即行波功率、及来自天线侧之反射波之功率即反射波功率；及运算部，其运算基于行波功率及反射波功率运算出之每一频率之反射系数成为极小点之频率作为吸收频率。

5. 发明专利

TW201711082A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201711082A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105122943
申请日：2016-07-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：久保田紳治 , KUBOTA, SHINJI , 道菅隆 , DOKAN, TAKASHI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32302 , H01J37/32311 , H01J2237/24564 , H05H1/46
摘要：本發明之課題在於使電漿高效率地吸收載波群之功率。本發明之電漿處理裝置具有：處理容器；載波群產生部，其產生包含複數個載波之載波群，上述複數個載波分別具有屬於以特定之中心頻率為中心之特定之頻帶之頻率且相互不同之頻率；電漿產生部，其使用載波群於處理容器內產生電漿；頻譜檢測部，其對載波群之行進波之頻譜即行進波頻譜、及載波群之反射波之頻譜即反射波頻譜進行檢測；以及控制部，其使用行進波頻譜及反射波頻譜算出電漿中所吸收之載波群之功率即吸收功率，以吸收功率為臨限值以上之方式，對使反射波頻譜之極小值及與該極小值對應之頻率發生變動之參數進行調整。
简体摘要：本发明之课题在于使等离子高效率地吸收载波群之功率。本发明之等离子处理设备具有：处理容器；载波群产生部，其产生包含复数个载波之载波群，上述复数个载波分别具有属于以特定之中心频率为中心之特定之频带之频率且相互不同之频率；等离子产生部，其使用载波群于处理容器内产生等离子；频谱检测部，其对载波群之行进波之频谱即行进波频谱、及载波群之反射波之频谱即反射波频谱进行检测；以及控制部，其使用行进波频谱及反射波频谱算出等离子中所吸收之载波群之功率即吸收功率，以吸收功率为临限值以上之方式，对使反射波频谱之极小值及与该极小值对应之频率发生变动之参数进行调整。

6. 发明专利

TW201501169A 電漿處理裝置、電漿處理方法及高頻產生器审中-公开
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及高频产生器
公开(公告)号：TW201501169A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103104193
申请日：2014-02-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 船崎一憲 , FUNAZAKI, KAZUNORI , 加藤秀生 , KATO, HIDEO , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32192 , H03L5/02 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682
摘要：本發明之課題在於提供一種電漿處理裝置，可更確實地進行安定之電漿處理。具備電漿產生機構，係以由電漿處理裝置所包含之微波產生器所產生之高頻來於處理容器內產生電漿。微波產生器包含：磁控管，產生高頻振盪；檢測器，對行進於負荷側之前進波電力進行測定；檢測器，對從負荷側所反射之反射波電力進行測定；以及電壓控制電路，藉由高壓電源對供給於磁控管之電壓進行控制。電壓控制電路包含有負載控制機構，負載控制機構係以下述方式進行控制：將相當於由檢測器所測定出之前進波電力加上基於由檢測器所測定出之反射波電力而算出之電力所得電力的電壓供給於磁控管。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种等离子处理设备，可更确实地进行安定之等离子处理。具备等离子产生机构，系以由等离子处理设备所包含之微波产生器所产生之高频来于处理容器内产生等离子。微波产生器包含：磁控管，产生高频振荡；检测器，对行进于负荷侧之前进波电力进行测定；检测器，对从负荷侧所反射之反射波电力进行测定；以及电压控制电路，借由高压电源对供给于磁控管之电压进行控制。电压控制电路包含有负载控制机构，负载控制机构系以下述方式进行控制：将相当于由检测器所测定出之前进波电力加上基于由检测器所测定出之反射波电力而算出之电力所得电力的电压供给于磁控管。

7. 发明专利

TW201415549A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201415549A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102121660
申请日：2013-06-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 小津俊久 , OZU, TOSHIHISA , 吉村正太 , YOSHIMURA, SHOTA
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , C23F4/00 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01L21/31116 , H01L21/32134
摘要：維持基板被處理面之均勻性。電漿處理裝置係藉由將導入至處理容器之處理氣體電漿化來處理被收納在處理容器內部之晶圓。電漿處理裝置係具備有中央導入部、周邊導入部、流量調整部、控制部。中央導入部係將包含有Ar氣體、He氣體及蝕刻氣體中之至少任一者的處理氣體導入至晶圓之中央部。周邊導入部係將處理氣體導入至晶圓之周邊部。流量調整部係調整從中央導入部被導入至晶圓之中央部的處理氣體流量，及從周邊導入部被導入至晶圓之周邊部的處理氣體流量。控制部係以相對於處理氣體所包含之Ar氣體的He氣體分壓比會在既定值以上之方式，來控制以流量調整部所調整之處理氣體的流量。
简体摘要：维持基板被处理面之均匀性。等离子处理设备系借由将导入至处理容器之处理气体等离子化来处理被收纳在处理容器内部之晶圆。等离子处理设备系具备有中央导入部、周边导入部、流量调整部、控制部。中央导入部系将包含有Ar气体、He气体及蚀刻气体中之至少任一者的处理气体导入至晶圆之中央部。周边导入部系将处理气体导入至晶圆之周边部。流量调整部系调整从中央导入部被导入至晶圆之中央部的处理气体流量，及从周边导入部被导入至晶圆之周边部的处理气体流量。控制部系以相对于处理气体所包含之Ar气体的He气体分压比会在既定值以上之方式，来控制以流量调整部所调整之处理气体的流量。

8. 发明专利

TW201421793A 天線及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：天线及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201421793A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135680
申请日：2013-10-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN
IPC分类号： H01Q1/22 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3222 , C23C16/511 , H01J37/32238 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/32137 , H01Q13/10 , H01Q21/064 , H01Q21/20 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要：本發明旨在提供一種天線及電漿處理裝置，相對於輸入功率可提升輻射電場強度，改善電漿穩定性。其中該天線包含介電質窗16，與設於介電質窗16之一側之面之槽孔板20。槽孔板20包含複數2個槽孔所構成之槽孔對。複數之槽孔對以槽孔板20之重心位置為中心呈同心圓狀配置。各槽孔對設於自槽孔板20之重心位置朝各槽孔對延伸之軸線不重疊之位置。
简体摘要：本发明旨在提供一种天线及等离子处理设备，相对于输入功率可提升辐射电场强度，改善等离子稳定性。其中该天线包含介电质窗16，与设于介电质窗16之一侧之面之槽孔板20。槽孔板20包含复数2个槽孔所构成之槽孔对。复数之槽孔对以槽孔板20之重心位置为中心呈同心圆状配置。各槽孔对设于自槽孔板20之重心位置朝各槽孔对延伸之轴线不重叠之位置。

9. 发明专利

TWI613864B 天線及電漿處理裝置有权
简体标题：天线及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI613864B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW102135680
申请日：2013-10-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN
IPC分类号： H01Q1/22 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3222 , C23C16/511 , H01J37/32238 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/32137 , H01Q13/10 , H01Q21/064 , H01Q21/20 , H05H1/46 , H05H2001/4667

10. 发明专利

TWI604494B 電漿處理裝置、電漿處理方法及高頻產生器有权
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及高频产生器
公开(公告)号：TWI604494B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103104193
申请日：2014-02-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 小山紘司 , KOYAMA, KOJI , 船崎一憲 , FUNAZAKI, KAZUNORI , 加藤秀生 , KATO, HIDEO , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , H01J37/32192 , H03L5/02 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682

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