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1. 发明专利

TWI652304B 阻劑下層膜形成組成物及使用該組成物之阻劑圖型的形成方法有权
简体标题：阻剂下层膜形成组成物及使用该组成物之阻剂图型的形成方法
公开(公告)号：TWI652304B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104112863
申请日：2015-04-22
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L65/00 , C08L79/04 , C08L81/02 , C08J3/24 , G03F7/11

2. 发明专利

TWI640834B 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI640834B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027

3. 发明专利

TWI653247B 添加劑及含該添加劑之阻劑底層膜形成組成物有权
简体标题：添加剂及含该添加剂之阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI653247B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104108322
申请日：2015-03-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 高瀬顕示 , TAKASE, KENJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08F212/14 , C08F220/12 , C08F228/02 , G03F7/11 , H01L21/027

4. 发明专利

TW201827480A 保護膜形成組成物审中-公开
简体标题：保护膜形成组成物
公开(公告)号：TW201827480A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106131748
申请日：2017-09-15
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 徳永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/306
摘要：本發明課題係提供一種針對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物。　　解決手段為一種針對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物，其係包含下述式(1a)或者式(1b)所示之化合物、或具有下述式(2)所示之取代基之分子量300以上且未達800的化合物或者重量平均分子量300以上且未達800的化合物、及溶劑，且相對於除該溶劑以外的固體成分，含有0.1質量%至60質量%之前述式(1a)或式(1b)所示之化合物，或含有10質量%至100質量%之具有前述式(2)所示之取代基的化合物；(式中，R1表示碳原子數1至4之伸烷基或者伸烯基或直接鍵結，k表示0或1，m表示1至3之整數，n表示2至4之整數)。
简体摘要：本发明课题系提供一种针对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物。　　解决手段为一种针对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物，其系包含下述式(1a)或者式(1b)所示之化合物、或具有下述式(2)所示之取代基之分子量300以上且未达800的化合物或者重量平均分子量300以上且未达800的化合物、及溶剂，且相对于除该溶剂以外的固体成分，含有0.1质量%至60质量%之前述式(1a)或式(1b)所示之化合物，或含有10质量%至100质量%之具有前述式(2)所示之取代基的化合物；(式中，R1表示碳原子数1至4之伸烷基或者伸烯基或直接键结，k表示0或1，m表示1至3之整数，n表示2至4之整数)。

5. 发明专利

TWI638867B 抗蝕圖型所塗佈之塗佈液及反轉圖型之形成方法有权
简体标题：抗蚀图型所涂布之涂布液及反转图型之形成方法
公开(公告)号：TWI638867B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW103126594
申请日：2014-08-04
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： C09D183/04 , H01L21/027

6. 发明专利

TW201614366A 光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、光罩基底之制造方法及转印用光罩之制造方法
公开(公告)号：TW201614366A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131500
申请日：2015-09-23
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅広 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/11
CPC分类号： G03F1/50 , C08F220/16 , C08F220/28 , C08F2220/281 , G03F1/24 , G03F1/30 , G03F1/80 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , H01L21/027 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , C08F220/20 , C08F2220/283 , C08F2220/185
摘要：本發明提供一種顯影時不易殘留來自抗蝕劑膜之異物且異物缺陷較少之光罩基底、及圖案精度優異之轉印用光罩。本發明係一種光罩基底，其於基板上具備：薄膜，其用以形成轉印圖案；抗蝕劑基底膜，其設置於薄膜上，且由含有包含具有內酯環之單元結構及具有羥基之單元結構之聚合物之抗蝕劑基底組合物形成；抗蝕劑膜，其設置於抗蝕劑基底膜上，且由抗蝕劑組合物形成；及混合膜，其以介置於抗蝕劑基底膜與抗蝕劑膜之間之方式設置，且由含有抗蝕劑基底組合物與抗蝕劑組合物之混合成分形成。
简体摘要：本发明提供一种显影时不易残留来自抗蚀剂膜之异物且异物缺陷较少之光罩基底、及图案精度优异之转印用光罩。本发明系一种光罩基底，其于基板上具备：薄膜，其用以形成转印图案；抗蚀剂基底膜，其设置于薄膜上，且由含有包含具有内酯环之单元结构及具有羟基之单元结构之聚合物之抗蚀剂基底组合物形成；抗蚀剂膜，其设置于抗蚀剂基底膜上，且由抗蚀剂组合物形成；及混合膜，其以介置于抗蚀剂基底膜与抗蚀剂膜之间之方式设置，且由含有抗蚀剂基底组合物与抗蚀剂组合物之混合成分形成。

7. 发明专利

TW201316127A 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有钛及硅的微影用薄膜形成组成物
公开(公告)号：TW201316127A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101126278
申请日：2012-07-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 菅野裕太 , KANNO, YUTA , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/075 , C08K5/56 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138
摘要：本發明之課題係以提供一種薄膜形成組成物，其係用來形成使用於半導體裝置之製造之抗蝕(resist)底層膜等。又，在EUV微影中，提供一種抗蝕上層膜，其係在不利的UV光到達抗蝕層之前，以存在於抗蝕上層之薄膜而效率良好地進行吸收，或進而提供一種EUV抗蝕用底層膜(硬遮罩)，或進而提供一種反向材料，或進而提供一種溶劑顯影用抗蝕之底層膜。解決課題之技術手段為一種在微影步驟與抗蝕一併使用的薄膜形成組成物，其係含有鈦化合物(A)與矽化合物(B)之混合物、該混合物之水解物、或該混合物之水解縮合物之組成物，相對於換算成該組成物中的Ti原子與Si原子之合計莫耳數，Ti原子之莫耳數為50%至90%；其中，上述鈦化合物(A)為由下述式(1)所示之化合物、鈦螯合物化合物、及水解性鈦二聚物所成之群所選出者，下述式(1)：【化1】R0aTi(R1)(4-a) 式(1)；上述矽化合物(B)為下述式(2)所示者，下述式(2)：【化2】R2a’R3bSi(R4)4-(a’+b) 式(2)。
简体摘要：本发明之课题系以提供一种薄膜形成组成物，其系用来形成使用于半导体设备之制造之抗蚀(resist)底层膜等。又，在EUV微影中，提供一种抗蚀上层膜，其系在不利的UV光到达抗蚀层之前，以存在于抗蚀上层之薄膜而效率良好地进行吸收，或进而提供一种EUV抗蚀用底层膜(硬遮罩)，或进而提供一种反向材料，或进而提供一种溶剂显影用抗蚀之底层膜。解决课题之技术手段为一种在微影步骤与抗蚀一并使用的薄膜形成组成物，其系含有钛化合物(A)与硅化合物(B)之混合物、该混合物之水解物、或该混合物之水解缩合物之组成物，相对于换算成该组成物中的Ti原子与Si原子之合计莫耳数，Ti原子之莫耳数为50%至90%；其中，上述钛化合物(A)为由下述式(1)所示之化合物、钛螯合物化合物、及水解性钛二聚物所成之群所选出者，下述式(1)：【化1】R0aTi(R1)(4-a) 式(1)；上述硅化合物(B)为下述式(2)所示者，下述式(2)：【化2】R2a’R3bSi(R4)4-(a’+b) 式(2)。

8. 发明专利

TW201807504A 含有特定交聯劑之保護膜形成組成物及使用其之圖型形成方法审中-公开
简体标题：含有特定交联剂之保护膜形成组成物及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TW201807504A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114125
申请日：2017-04-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大橋智也 , OHASHI, TOMOYA , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 橋本雄人 , HASHIMOTO, YUTO , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/306
摘要：提供一種對鹼性過氧化氫水溶液形成保護膜之組成物。提供一種含有1分子中具有2個以上之由縮水甘油基、末端環氧基、環氧基環戊基、環氧基環己基、氧雜環丁基、乙烯基醚基、異氰酸酯基及封閉型異氰酸酯基所成群組中選出的至少1種基的交聯劑、側鏈或末端具有以下述式(1)所表示之基且重量平均分子量為800以上的化合物、及有機溶劑的對鹼性過氧化氫水溶液形成保護膜之組成物。 (式中，X1表示與前述交聯劑反應之取代基，R0表示直接鍵結或碳原子數1或2的伸烷基，X2表示碳原子數1或2的烷基、碳原子數1或2的烷氧基、或氟基，a表示0~2的整數，b表示1~3的整數，c表示0~4的整數，b與c符合1≦(b+c)≦5之關係式。)
简体摘要：提供一种对碱性过氧化氢水溶液形成保护膜之组成物。提供一种含有1分子中具有2个以上之由缩水甘油基、末端环氧基、环氧基环戊基、环氧基环己基、氧杂环丁基、乙烯基醚基、异氰酸酯基及封闭型异氰酸酯基所成群组中选出的至少1种基的交联剂、侧链或末端具有以下述式(1)所表示之基且重量平均分子量为800以上的化合物、及有机溶剂的对碱性过氧化氢水溶液形成保护膜之组成物。 (式中，X1表示与前述交联剂反应之取代基，R0表示直接键结或碳原子数1或2的伸烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0~2的整数，b表示1~3的整数，c表示0~4的整数，b与c符合1≦(b+c)≦5之关系式。)

9. 发明专利

TWI592772B 含聚合物之顯像液有权
简体标题：含聚合物之显像液
公开(公告)号：TWI592772B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW101110140
申请日：2012-03-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306

10. 发明专利

TWI547764B 含有鈦及矽的微影用薄膜形成組成物有权
简体标题：含有钛及硅的微影用薄膜形成组成物
公开(公告)号：TWI547764B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101126278
申请日：2012-07-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO , 菅野裕太 , KANNO, YUTA , 武田諭 , TAKEDA, SATOSHI , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI
IPC分类号： G03F7/075 , C08K5/56 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/31111 , H01L21/31138

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