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1. 发明专利

TWI682235B 光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法有权
简体标题：光罩基底、光罩基底之制造方法及转印用光罩之制造方法
公开(公告)号：TWI682235B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104131500
申请日：2015-09-23
申请人：日商HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日商日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅広 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/11

2. 发明专利

TWI608290B 光罩基底及轉印用光罩有权
简体标题：光罩基底及转印用光罩
公开(公告)号：TWI608290B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103134463
申请日：2014-10-02
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/68 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/82 , G03F7/11

3. 发明专利

TW201518857A 光罩基底及轉印用光罩审中-公开
简体标题：光罩基底及转印用光罩
公开(公告)号：TW201518857A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103134463
申请日：2014-10-02
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/68 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/82 , G03F7/11
摘要：本發明提供一種光罩基底，其具有與抗蝕膜之高密接性，並且於顯影時源自抗蝕膜之異物不易殘留於間隔部分，異物缺陷較少。本發明之光罩基底於基板上，具備用以形成轉印圖案之薄膜；由抗蝕劑基底組合物形成，設置於薄膜上之抗蝕劑基底膜；由化學增幅型抗蝕劑形成，設置於抗蝕劑基底膜上之抗蝕膜；及以介置於抗蝕劑基底膜與抗蝕膜之間之方式設置之混合膜；抗蝕劑基底膜以自薄膜側朝向抗蝕膜側，分子量於厚度方向減少之方式構成，於抗蝕膜側之表面具有分子量較低之低分子量區域；混合膜係藉由混合低分子量區域之成分與化學增幅型抗蝕劑之成分而形成。
简体摘要：本发明提供一种光罩基底，其具有与抗蚀膜之高密接性，并且于显影时源自抗蚀膜之异物不易残留于间隔部分，异物缺陷较少。本发明之光罩基底于基板上，具备用以形成转印图案之薄膜；由抗蚀剂基底组合物形成，设置于薄膜上之抗蚀剂基底膜；由化学增幅型抗蚀剂形成，设置于抗蚀剂基底膜上之抗蚀膜；及以介置于抗蚀剂基底膜与抗蚀膜之间之方式设置之混合膜；抗蚀剂基底膜以自薄膜侧朝向抗蚀膜侧，分子量于厚度方向减少之方式构成，于抗蚀膜侧之表面具有分子量较低之低分子量区域；混合膜系借由混合低分子量区域之成分与化学增幅型抗蚀剂之成分而形成。

4. 发明专利

TW201614366A 光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法审中-公开
简体标题：光罩基底、光罩基底之制造方法及转印用光罩之制造方法
公开(公告)号：TW201614366A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104131500
申请日：2015-09-23
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣松孝浩 , HIROMATSU, TAKAHIRO , 橋本雅広 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , G03F7/11
CPC分类号： G03F1/50 , C08F220/16 , C08F220/28 , C08F2220/281 , G03F1/24 , G03F1/30 , G03F1/80 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , H01L21/027 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , C08F220/20 , C08F2220/283 , C08F2220/185
摘要：本發明提供一種顯影時不易殘留來自抗蝕劑膜之異物且異物缺陷較少之光罩基底、及圖案精度優異之轉印用光罩。本發明係一種光罩基底，其於基板上具備：薄膜，其用以形成轉印圖案；抗蝕劑基底膜，其設置於薄膜上，且由含有包含具有內酯環之單元結構及具有羥基之單元結構之聚合物之抗蝕劑基底組合物形成；抗蝕劑膜，其設置於抗蝕劑基底膜上，且由抗蝕劑組合物形成；及混合膜，其以介置於抗蝕劑基底膜與抗蝕劑膜之間之方式設置，且由含有抗蝕劑基底組合物與抗蝕劑組合物之混合成分形成。
简体摘要：本发明提供一种显影时不易残留来自抗蚀剂膜之异物且异物缺陷较少之光罩基底、及图案精度优异之转印用光罩。本发明系一种光罩基底，其于基板上具备：薄膜，其用以形成转印图案；抗蚀剂基底膜，其设置于薄膜上，且由含有包含具有内酯环之单元结构及具有羟基之单元结构之聚合物之抗蚀剂基底组合物形成；抗蚀剂膜，其设置于抗蚀剂基底膜上，且由抗蚀剂组合物形成；及混合膜，其以介置于抗蚀剂基底膜与抗蚀剂膜之间之方式设置，且由含有抗蚀剂基底组合物与抗蚀剂组合物之混合成分形成。

5. 发明专利

TWI408493B 光罩基板用光阻下層膜形成組成物，光罩基板及光罩有权
简体标题：光罩基板用光阻下层膜形成组成物，光罩基板及光罩
公开(公告)号：TWI408493B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW096105276
申请日：2007-02-13
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 榎本智之 , ENOMOTO, TOMOYUKI , 坂口崇洋 , SAKAGUCHI, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F7/11 , G03F1/38 , G03F1/80

6. 发明专利

TWI442171B 遮罩坯料及遮罩有权
公开(公告)号：TWI442171B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW096130014
申请日：2007-08-14
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION , 日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO , 榎本智之 , ENOMOTO, TOMOYUKI , 坂口崇洋 , SAKAGUCHI, TAKAHIRO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 永井雅規 , NAGAI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/78 , G03F7/11

7. 发明专利

TWI671598B 含有具丙烯醯胺構造與丙烯酸酯構造之聚合物的微影用阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具丙烯酰胺构造与丙烯酸酯构造之聚合物的微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI671598B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104116261
申请日：2015-05-21
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/54 , C08F220/10 , G03F7/40 , H01L21/027

8. 发明专利

TWI665223B 光阻上層膜形成組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光阻上层膜形成组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI665223B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104106052
申请日：2015-02-25
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08F220/06 , G03F7/11 , H01L21/027

9. 发明专利

TW201841961A 含有醯胺溶劑之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有酰胺溶剂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201841961A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107100873
申请日：2018-01-10
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：德永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 田聡志 , HAMADA, SATOSHI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G12/34 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要：本發明提供同時具有高蝕刻耐性、高耐熱性與良好塗佈性之阻劑下層膜形成組成物、使用該阻劑下層膜形成組成物之阻劑下層膜及其製造方法、阻劑圖型之形成方法及半導體裝置之製造方法。　　該阻劑下層膜形成組成物包含聚合物與作為溶劑之式(1)表示之化合物： (式(1)中之R1、R2及R3各表示氫原子、可經氧原子、硫原子或醯胺鍵中斷之碳原子數1~20之烷基，可相互相同亦可相異，亦可相互鍵結形成環構造)。將該組成物塗佈於可具有階差之半導體基板上並燒成，形成阻劑下層膜，於其上透過任意選擇之無機阻劑下層膜而形成阻劑膜，藉由光或電子束之照射及顯影而形成阻劑圖型，藉由阻劑圖型蝕刻下層膜等，藉由經圖型化之下層膜加工半導體基板，製造半導體裝置。
简体摘要：本发明提供同时具有高蚀刻耐性、高耐热性与良好涂布性之阻剂下层膜形成组成物、使用该阻剂下层膜形成组成物之阻剂下层膜及其制造方法、阻剂图型之形成方法及半导体设备之制造方法。　　该阻剂下层膜形成组成物包含聚合物与作为溶剂之式(1)表示之化合物： (式(1)中之R1、R2及R3各表示氢原子、可经氧原子、硫原子或酰胺键中断之碳原子数1~20之烷基，可相互相同亦可相异，亦可相互键结形成环构造)。将该组成物涂布于可具有阶差之半导体基板上并烧成，形成阻剂下层膜，于其上透过任意选择之无机阻剂下层膜而形成阻剂膜，借由光或电子束之照射及显影而形成阻剂图型，借由阻剂图型蚀刻下层膜等，借由经图型化之下层膜加工半导体基板，制造半导体设备。

10. 发明专利

TWI640834B 含有具內酯構造之聚合物的電子線阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具内酯构造之聚合物的电子线阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI640834B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103143889
申请日：2014-12-16
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/08 , C08K5/13 , H01L21/027

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