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1. 发明专利

TW202022946A 熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TW202022946A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108115888
申请日：2019-05-08
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/263 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種可藉由閃光照射將氮化鎵之基板加熱而使其升溫之熱處理方法。於由碳化矽形成之載置板91之上表面中央部形成設置凹部93。於載置板91之凹部93載置氮化鎵之GaN基板W。於藉由來自鹵素燈之光照射而將GaN基板W預加熱時，自鹵素燈出射之光被載置板91吸收。藉由來自升溫後之載置板91之熱傳導而將GaN基板W間接地預加熱。藉由預加熱而升溫後之GaN基板W能夠吸收自閃光燈FL放射之閃光。藉此，可藉由閃光照射將GaN基板W加熱而使其升溫。
简体摘要：本发明提供一种可借由闪光照射将氮化镓之基板加热而使其升温之热处理方法。于由碳化硅形成之载置板91之上表面中央部形成设置凹部93。于载置板91之凹部93载置氮化镓之GaN基板W。于借由来自卤素灯之光照射而将GaN基板W预加热时，自卤素灯出射之光被载置板91吸收。借由来自升温后之载置板91之热传导而将GaN基板W间接地预加热。借由预加热而升温后之GaN基板W能够吸收自闪光灯FL放射之闪光。借此，可借由闪光照射将GaN基板W加热而使其升温。

2. 发明专利

TWI699449B 閘極絕緣膜之形成方法及熱處理方法有权
简体标题：闸极绝缘膜之形成方法及热处理方法
公开(公告)号：TWI699449B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW108115650
申请日：2019-05-07
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/316 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/336 , H01L29/20 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/66

3. 发明专利

TW201834028A 摻雜物導入方法及熱處裡方法审中-公开
简体标题：掺杂物导入方法及热处里方法
公开(公告)号：TW201834028A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106136479
申请日：2017-10-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/26
摘要：本發明提供一種可高效率地使摻雜物擴散於半導體基板中之摻雜物導入方法及熱處理方法。於半導體晶圓之表面成膜作為包含磷作為摻雜物之二氧化矽之薄膜之PSG膜。於包含氫之氛圍中藉由源自鹵素燈之光照射使成膜有PSG膜之半導體晶圓於加熱溫度T1維持1秒以上而使摻雜物自PSG膜擴散至半導體晶圓之表面。進而，以未達1秒之照射時間自閃光燈向該半導體晶圓照射閃光將半導體晶圓之表面加熱至目標溫度T2而使摻雜物活化。若於包含氫之氛圍中PSG膜升溫，則PSG膜所含之摻雜物之擴散係數變高，故而可使摻雜物高效率地自PSG膜擴散至半導體晶圓並活化。
简体摘要：本发明提供一种可高效率地使掺杂物扩散于半导体基板中之掺杂物导入方法及热处理方法。于半导体晶圆之表面成膜作为包含磷作为掺杂物之二氧化硅之薄膜之PSG膜。于包含氢之氛围中借由源自卤素灯之光照射使成膜有PSG膜之半导体晶圆于加热温度T1维持1秒以上而使掺杂物自PSG膜扩散至半导体晶圆之表面。进而，以未达1秒之照射时间自闪光灯向该半导体晶圆照射闪光将半导体晶圆之表面加热至目标温度T2而使掺杂物活化。若于包含氢之氛围中PSG膜升温，则PSG膜所含之掺杂物之扩散系数变高，故而可使掺杂物高效率地自PSG膜扩散至半导体晶圆并活化。

4. 发明专利

TWI686848B 熱處理方法有权
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TWI686848B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108100933
申请日：2019-01-10
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/324

5. 发明专利

TW201921449A 摻雜物導入方法及熱處理方法审中-公开
简体标题：掺杂物导入方法及热处理方法
公开(公告)号：TW201921449A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108101215
申请日：2017-10-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：布施和彦 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/324
摘要：本發明提供一種能夠不產生缺陷而導入所需充分之摻雜物、且獲得較高之活化率之摻雜物導入方法及熱處理方法。本發明之摻雜物導入方法係於半導體晶圓之表面成膜包含摻雜物之薄膜。藉由來自鹵素燈之光照射將成膜有包含摻雜物之薄膜之半導體晶圓急速加熱至第1峰溫度Ts，而使摻雜物自薄膜擴散至半導體晶圓之表面。只要為利用急速加熱所產生之熱擴散，則能夠不產生缺陷而將所需充分之摻雜物導入至半導體晶圓。進而，自閃光燈對該半導體晶圓照射閃光，將半導體晶圓之表面加熱至第2峰溫度Tp而使摻雜物活化。只要為照射時間極短之閃光照射，則能夠不使摻雜物過度地擴散而獲得較高之活化率。
简体摘要：本发明提供一种能够不产生缺陷而导入所需充分之掺杂物、且获得较高之活化率之掺杂物导入方法及热处理方法。本发明之掺杂物导入方法系于半导体晶圆之表面成膜包含掺杂物之薄膜。借由来自卤素灯之光照射将成膜有包含掺杂物之薄膜之半导体晶圆急速加热至第1峰温度Ts，而使掺杂物自薄膜扩散至半导体晶圆之表面。只要为利用急速加热所产生之热扩散，则能够不产生缺陷而将所需充分之掺杂物导入至半导体晶圆。进而，自闪光灯对该半导体晶圆照射闪光，将半导体晶圆之表面加热至第2峰温度Tp而使掺杂物活化。只要为照射时间极短之闪光照射，则能够不使掺杂物过度地扩散而获得较高之活化率。

6. 发明专利

TW201822260A 摻雜物導入方法及熱處理方法审中-公开
简体标题：掺杂物导入方法及热处理方法
公开(公告)号：TW201822260A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106135598
申请日：2017-10-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/324
摘要：本發明提供一種能夠不產生缺陷而導入所需充分之摻雜物、且獲得較高之活化率之摻雜物導入方法及熱處理方法。本發明之摻雜物導入方法係於半導體晶圓之表面成膜包含摻雜物之薄膜。藉由來自鹵素燈之光照射將成膜有包含摻雜物之薄膜之半導體晶圓急速加熱至第1峰溫度Ts，而使摻雜物自薄膜擴散至半導體晶圓之表面。只要為利用急速加熱所產生之熱擴散，則能夠不產生缺陷而將所需充分之摻雜物導入至半導體晶圓。進而，自閃光燈對該半導體晶圓照射閃光，將半導體晶圓之表面加熱至第2峰溫度Tp而使摻雜物活化。只要為照射時間極短之閃光照射，則能夠不使摻雜物過度地擴散而獲得較高之活化率。
简体摘要：本发明提供一种能够不产生缺陷而导入所需充分之掺杂物、且获得较高之活化率之掺杂物导入方法及热处理方法。本发明之掺杂物导入方法系于半导体晶圆之表面成膜包含掺杂物之薄膜。借由来自卤素灯之光照射将成膜有包含掺杂物之薄膜之半导体晶圆急速加热至第1峰温度Ts，而使掺杂物自薄膜扩散至半导体晶圆之表面。只要为利用急速加热所产生之热扩散，则能够不产生缺陷而将所需充分之掺杂物导入至半导体晶圆。进而，自闪光灯对该半导体晶圆照射闪光，将半导体晶圆之表面加热至第2峰温度Tp而使掺杂物活化。只要为照射时间极短之闪光照射，则能够不使掺杂物过度地扩散而获得较高之活化率。

7. 发明专利

TWI688005B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI688005B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106145087
申请日：2016-07-25
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA,TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI,HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA,MASASHI , 布施和彥 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477

8. 发明专利

TW201812833A 熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TW201812833A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106118820
申请日：2017-06-07
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/263
CPC分类号： H01L21/2636 , H01L21/0231 , H01L33/343
摘要：本發明係提供一種可抑制熱施體之產生的以鍺為主成分之p型半導體之熱處理方法。注入有硼等摻雜劑之鍺之半導體層成為p型半導體。對該半導體層以200℃以上且300℃以下之預加熱溫度T1進行預加熱後，藉由照射時間極短之閃光照射而將該半導體層加熱至500℃以上且900℃以下之處理溫度T2。不可避免地混入於鍺中之氧於300℃～500℃下成為熱施體，但因閃光之照射時間為0.1毫秒以上且100毫秒以下之極短時間，故半導體層之溫度停留於300℃～500℃之溫度區域之時間短至可忽略之程度。因此，可抑制鍺之半導體層中之熱施體之產生。
简体摘要：本发明系提供一种可抑制热施体之产生的以锗为主成分之p型半导体之热处理方法。注入有硼等掺杂剂之锗之半导体层成为p型半导体。对该半导体层以200℃以上且300℃以下之预加热温度T1进行预加热后，借由照射时间极短之闪光照射而将该半导体层加热至500℃以上且900℃以下之处理温度T2。不可避免地混入于锗中之氧于300℃～500℃下成为热施体，但因闪光之照射时间为0.1毫秒以上且100毫秒以下之极短时间，故半导体层之温度停留于300℃～500℃之温度区域之时间短至可忽略之程度。因此，可抑制锗之半导体层中之热施体之产生。

9. 发明专利

TW201709336A 熱處理裝置及熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TW201709336A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105118624
申请日：2016-06-14
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 松尾郁 , MATSUO, KAORU , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/2253 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H05B3/0047
摘要：本發明提供一種可減少腔室內之污染之熱處理裝置及熱處理方法。自鹵素燈HL對在腔室6內由基座74保持之半導體晶圓W之下表面進行光照射而預加熱之後，自閃光燈FL對上表面照射閃光而進行閃光加熱。將自氣體供給源85送給之處理氣體藉由加熱器22加熱並供給至腔室6內。又，藉由流量調整閥21增加供給至腔室6內之處理氣體之流量。藉由向腔室6內大流量地供給高溫之處理氣體而形成該氣流，可將於加熱處理時自半導體晶圓W之膜擴散之污染物質排出至腔室6外而減少腔室6內之污染。
简体摘要：本发明提供一种可减少腔室内之污染之热处理设备及热处理方法。自卤素灯HL对在腔室6内由基座74保持之半导体晶圆W之下表面进行光照射而预加热之后，自闪光灯FL对上表面照射闪光而进行闪光加热。将自气体供给源85送给之处理气体借由加热器22加热并供给至腔室6内。又，借由流量调整阀21增加供给至腔室6内之处理气体之流量。借由向腔室6内大流量地供给高温之处理气体而形成该气流，可将于加热处理时自半导体晶圆W之膜扩散之污染物质排出至腔室6外而减少腔室6内之污染。

10. 发明专利

TW201812918A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201812918A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117496
申请日：2017-05-26
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 近藤泰章 , KONDO, YASUAKI , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02002 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67745 , H01L21/762
摘要：本發明提供一種可抑制產出量降低之熱處理方法及熱處理裝置。於熱處理裝置100設置第1冷腔室131及第2冷腔室141之2個冷腔室。將未處理之半導體晶圓W交替地搬入至第1冷腔室131或第2冷腔室141，進行氮沖洗之後藉由搬送機械手150而搬送至熱處理部160。將於熱處理部160中結束加熱處理之半導體晶圓W交替地搬送至第1冷腔室131或第2冷腔室141而冷卻。關於個別之半導體晶圓W可確保充分之冷卻時間，並且亦可抑制作為熱處理裝置100整體之產出量降低。
简体摘要：本发明提供一种可抑制产出量降低之热处理方法及热处理设备。于热处理设备100设置第1冷腔室131及第2冷腔室141之2个冷腔室。将未处理之半导体晶圆W交替地搬入至第1冷腔室131或第2冷腔室141，进行氮冲洗之后借由搬送机械手150而搬送至热处理部160。将于热处理部160中结束加热处理之半导体晶圆W交替地搬送至第1冷腔室131或第2冷腔室141而冷却。关于个别之半导体晶圆W可确保充分之冷却时间，并且亦可抑制作为热处理设备100整体之产出量降低。

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