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1. 发明专利

TW201812978A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201812978A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106118987
申请日：2017-06-08
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 阿部誠 , ABE, MAKOTO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 渡辺純 , WATANABE, JUN , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/67248 , H01L21/68757 , H05B3/0047
摘要：本發明提供一種能夠防止閃光照射時之基板之污染的熱處理裝置。於收容半導體晶圓W之腔室6之內壁面安裝環狀之支持部68，藉由該支持部68支持基座74。當於基座74載置半導體晶圓W時，腔室6之內側空間被分離為上部空間65與下部空間67。雖於構成腔室6之地板部之下側腔室窗64容易沈積微粒，但由於上部空間65與下部空間67分離，故而即便於閃光照射時下側腔室窗64之微粒被捲起，亦能夠防止該微粒流入至上部空間65並附著於半導體晶圓W之正面而污染該半導體晶圓W之情況。
简体摘要：本发明提供一种能够防止闪光照射时之基板之污染的热处理设备。于收容半导体晶圆W之腔室6之内壁面安装环状之支持部68，借由该支持部68支持基座74。当于基座74载置半导体晶圆W时，腔室6之内侧空间被分离为上部空间65与下部空间67。虽于构成腔室6之地板部之下侧腔室窗64容易沉积微粒，但由于上部空间65与下部空间67分离，故而即便于闪光照射时下侧腔室窗64之微粒被卷起，亦能够防止该微粒流入至上部空间65并附着于半导体晶圆W之正面而污染该半导体晶圆W之情况。

2. 发明专利

TW201812918A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201812918A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117496
申请日：2017-05-26
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 近藤泰章 , KONDO, YASUAKI , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02002 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67745 , H01L21/762
摘要：本發明提供一種可抑制產出量降低之熱處理方法及熱處理裝置。於熱處理裝置100設置第1冷腔室131及第2冷腔室141之2個冷腔室。將未處理之半導體晶圓W交替地搬入至第1冷腔室131或第2冷腔室141，進行氮沖洗之後藉由搬送機械手150而搬送至熱處理部160。將於熱處理部160中結束加熱處理之半導體晶圓W交替地搬送至第1冷腔室131或第2冷腔室141而冷卻。關於個別之半導體晶圓W可確保充分之冷卻時間，並且亦可抑制作為熱處理裝置100整體之產出量降低。
简体摘要：本发明提供一种可抑制产出量降低之热处理方法及热处理设备。于热处理设备100设置第1冷腔室131及第2冷腔室141之2个冷腔室。将未处理之半导体晶圆W交替地搬入至第1冷腔室131或第2冷腔室141，进行氮冲洗之后借由搬送机械手150而搬送至热处理部160。将于热处理部160中结束加热处理之半导体晶圆W交替地搬送至第1冷腔室131或第2冷腔室141而冷却。关于个别之半导体晶圆W可确保充分之冷却时间，并且亦可抑制作为热处理设备100整体之产出量降低。

3. 发明专利

TWI646602B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI646602B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106117496
申请日：2017-05-26
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 近藤泰章 , KONDO, YASUAKI , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687

4. 发明专利

TW201836014A 熱處理裝置及放射溫度計之測定位置調整方法审中-公开
简体标题：热处理设备及放射温度计之测定位置调整方法
公开(公告)号：TW201836014A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106143863
申请日：2017-12-14
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/324 , G01K13/00
摘要：本發明提供一種可將放射溫度計之測定位置正確地對準基板面內之特定位置之熱處理裝置及放射溫度計之測定位置調整方法。以保持下部放射溫度計20之狀態，將高溫固定器110安裝於腔室之外壁。使下部放射溫度計20之前端側抵接於高溫固定器110之安裝部111，並且使底板113抵接於後端側，拉伸彈簧112拉緊架設於底板113與安裝部111，藉此，防止下部放射溫度計20之掉落或位置偏移。又，以保持於高溫固定器110之下部放射溫度計20之前端為支點，利用角度調整機構120調整下部放射溫度計20相對於腔室之外壁之角度，藉此，調整下部放射溫度計20之測定位置。
简体摘要：本发明提供一种可将放射温度计之测定位置正确地对准基板面内之特定位置之热处理设备及放射温度计之测定位置调整方法。以保持下部放射温度计20之状态，将高温固定器110安装于腔室之外壁。使下部放射温度计20之前端侧抵接于高温固定器110之安装部111，并且使底板113抵接于后端侧，拉伸弹簧112拉紧架设于底板113与安装部111，借此，防止下部放射温度计20之掉落或位置偏移。又，以保持于高温固定器110之下部放射温度计20之前端为支点，利用角度调整机构120调整下部放射温度计20相对于腔室之外壁之角度，借此，调整下部放射温度计20之测定位置。

5. 发明专利

TWI676215B 熱處理裝置及放射溫度計之測定位置調整方法有权
简体标题：热处理设备及放射温度计之测定位置调整方法
公开(公告)号：TWI676215B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW106143863
申请日：2017-12-14
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/324 , G01K13/00

6. 发明专利

TWI642136B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI642136B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106118987
申请日：2017-06-08
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO , 阿部誠 , ABE, MAKOTO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 渡辺純 , WATANABE, JUN , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/477

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