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1. 发明专利

TW201812920A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201812920A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106145087
申请日：2016-07-25
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA,TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI,HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA,MASASHI , 布施和彥 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
摘要：本發明提供一種能夠抑制矽化物之高電阻化之熱處理方法及熱處理裝置。本發明於矽之半導體晶圓之表面成膜有金屬膜。於將該半導體晶圓收容於腔室內之後，將腔室內減壓至較大氣壓低之氣壓P1。其後，對腔室內供給氮氣而使之恢復壓力至常壓Ps，對半導體晶圓之表面照射閃光而形成金屬膜與矽之化合物即矽化物。由於將腔室內暫時減壓至較大氣壓低之氣壓P1之後再恢復壓力，故而可顯著地降低執行矽化物形成處理時之腔室內之氧濃度，從而可抑制因腔室內氛圍氣體中之氧進入至金屬膜與基材之界面附近之缺陷所導致的矽化物之高電阻化。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制硅化物之高电阻化之热处理方法及热处理设备。本发明于硅之半导体晶圆之表面成膜有金属膜。于将该半导体晶圆收容于腔室内之后，将腔室内减压至较大气压低之气压P1。其后，对腔室内供给氮气而使之恢复压力至常压Ps，对半导体晶圆之表面照射闪光而形成金属膜与硅之化合物即硅化物。由于将腔室内暂时减压至较大气压低之气压P1之后再恢复压力，故而可显着地降低运行硅化物形成处理时之腔室内之氧浓度，从而可抑制因腔室内氛围气体中之氧进入至金属膜与基材之界面附近之缺陷所导致的硅化物之高电阻化。

2. 发明专利

TWI688005B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI688005B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106145087
申请日：2016-07-25
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA,TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI,HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA,MASASHI , 布施和彥 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477

3. 发明专利

TW201921449A 摻雜物導入方法及熱處理方法审中-公开
简体标题：掺杂物导入方法及热处理方法
公开(公告)号：TW201921449A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108101215
申请日：2017-10-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：布施和彦 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/324
摘要：本發明提供一種能夠不產生缺陷而導入所需充分之摻雜物、且獲得較高之活化率之摻雜物導入方法及熱處理方法。本發明之摻雜物導入方法係於半導體晶圓之表面成膜包含摻雜物之薄膜。藉由來自鹵素燈之光照射將成膜有包含摻雜物之薄膜之半導體晶圓急速加熱至第1峰溫度Ts，而使摻雜物自薄膜擴散至半導體晶圓之表面。只要為利用急速加熱所產生之熱擴散，則能夠不產生缺陷而將所需充分之摻雜物導入至半導體晶圓。進而，自閃光燈對該半導體晶圓照射閃光，將半導體晶圓之表面加熱至第2峰溫度Tp而使摻雜物活化。只要為照射時間極短之閃光照射，則能夠不使摻雜物過度地擴散而獲得較高之活化率。
简体摘要：本发明提供一种能够不产生缺陷而导入所需充分之掺杂物、且获得较高之活化率之掺杂物导入方法及热处理方法。本发明之掺杂物导入方法系于半导体晶圆之表面成膜包含掺杂物之薄膜。借由来自卤素灯之光照射将成膜有包含掺杂物之薄膜之半导体晶圆急速加热至第1峰温度Ts，而使掺杂物自薄膜扩散至半导体晶圆之表面。只要为利用急速加热所产生之热扩散，则能够不产生缺陷而将所需充分之掺杂物导入至半导体晶圆。进而，自闪光灯对该半导体晶圆照射闪光，将半导体晶圆之表面加热至第2峰温度Tp而使掺杂物活化。只要为照射时间极短之闪光照射，则能够不使掺杂物过度地扩散而获得较高之活化率。

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