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1. 发明专利

TWI692001B 貼合式SOI晶圓的製造方法有权
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI692001B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105108251
申请日：2016-03-17
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 石川修 , ISHIKAWA, OSAMU , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 大西裕之 , OONISHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12

2. 发明专利

TWI685019B 絕緣體上矽晶圓的製造方法有权
简体标题：绝缘体上硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI685019B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105107464
申请日：2016-03-11
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：橫川功 , YOKOKAWA, ISAO , 阿賀浩司 , AGA, HIROJI , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324

3. 发明专利

TW201810628A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201810628A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106114492
申请日：2017-05-02
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 阿賀浩司 , AGA, HIROJI
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
摘要：一種貼合式SOI晶圓的製造方法，透過絕緣膜貼合皆由單晶矽構成的接合晶圓及基底晶圓而製造貼合式SOI晶圓，包含基底晶圓貼合面側堆積多晶矽層的步驟、研磨多晶矽層表面而得到研磨面的步驟、研磨面形成熱氧化膜的步驟、接合晶圓貼合面形成絕緣膜的步驟、密接絕緣膜及熱氧化膜而貼合接合晶圓及基底晶圓的貼合步驟、薄膜化經貼合的接合晶圓而形成SOI層的步驟，其中用電阻率100Ω‧cm以上的單晶矽晶圓作為基底晶圓，形成於研磨面的熱氧化膜厚度為15nm以上，形成於研磨面的熱氧化膜表面的RMS為0.6nm以下，貼合步驟後進行的熱處理的最高處理溫度為1150℃以下。
简体摘要：一种贴合式SOI晶圆的制造方法，透过绝缘膜贴合皆由单晶硅构成的接合晶圆及基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆，包含基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤、研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤、研磨面形成热氧化膜的步骤、接合晶圆贴合面形成绝缘膜的步骤、密接绝缘膜及热氧化膜而贴合接合晶圆及基底晶圆的贴合步骤、薄膜化经贴合的接合晶圆而形成SOI层的步骤，其中用电阻率100Ω‧cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，形成于研磨面的热氧化膜厚度为15nm以上，形成于研磨面的热氧化膜表面的RMS为0.6nm以下，贴合步骤后进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。

4. 发明专利

TW201643938A 絕緣體上矽晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：绝缘体上硅晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201643938A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105107464
申请日：2016-03-11
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：橫川功 , YOKOKAWA, ISAO , 阿賀浩司 , AGA, HIROJI , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02 , H01L21/2007 , H01L27/12 , H01L27/1203
摘要：一種SOI晶圓的製造方法，將貼合晶圓的經離子注入的表面與基底晶圓的表面透過形成於基底晶圓表面的矽氧化膜貼合後，藉由進行剝離熱處理將貼合晶圓剝離，而製作出SOI晶圓，並以含有氬氣氛圍對SOI晶圓進行平坦化熱處理，其中於剝離熱處理後，不夾雜其他熱處理，在進行去除存在於SOI晶圓的臺地部的矽氧化膜上的矽薄片處理後，以含有氬氣氛圍進行平坦化熱處理。藉此，提供一種SOI晶圓的製造方法，而製作出於臺地部具有矽氧化膜的SOI晶圓的剝離面，並於SOI晶圓的剝離面進行平坦化熱處理時，能對剝離面進行平坦化而不會在臺地部形成不必要的凹陷。
简体摘要：一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，借由进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。借此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。

5. 发明专利

TW201528377A 貼合晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201528377A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103127300
申请日：2014-08-08
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 阿賀浩司 , AGA, HIROJI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明是一種貼合晶圓的製造方法，其對接合晶圓的表面，離子植入至少一種氣體離子而形成離子植入層，將接合晶圓的已植入離子的表面與基底晶圓的表面貼合之後，施加熱處理，並以離子植入層為界，使接合晶圓的一部分剝離，藉此來製作在基底晶圓上具有薄膜之貼合晶圓，該貼合晶圓的製造方法的特徵在於：在將接合晶圓與基底晶圓貼合之前，測量接合晶圓與基底晶圓的厚度，選擇兩片晶圓的厚度的差值是在5μm以上的接合晶圓與基底晶圓所成的組合，然後，以400℃以下的溫度來進行熱處理，並以離子植入層為界，使接合晶圓的一部分剝離。藉此，能抑制藉由離子植入剝離法來製作貼合晶圓時於薄膜產生的大理石花紋的膜厚不均，並能製造一種薄膜的膜厚均勻性高的貼合晶圓。
简体摘要：本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其对接合晶圆的表面，离子植入至少一种气体离子而形成离子植入层，将接合晶圆的已植入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后，施加热处理，并以离子植入层为界，使接合晶圆的一部分剥离，借此来制作在基底晶圆上具有薄膜之贴合晶圆，该贴合晶圆的制造方法的特征在于：在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆与基底晶圆的厚度，选择两片晶圆的厚度的差值是在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合，然后，以400℃以下的温度来进行热处理，并以离子植入层为界，使接合晶圆的一部分剥离。借此，能抑制借由离子植入剥离法来制作贴合晶圆时于薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均，并能制造一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

6. 发明专利

TW201743367A 貼合式晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201743367A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106114824
申请日：2017-05-04
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 阿賀浩司 , AGA, HIROJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
摘要：本發明的目的在於提供一種貼合式晶圓的製造方法，其中，使接合晶圓與基底晶圓貼合後，直到進行剝離熱處理為止，以晶圓之間的貼合界面藉由水分子作用而結合的狀態，將接合晶圓與基底晶圓於室溫下保持12小時以上，剝離熱處理為於爐內溫度設定為400℃以上500℃以下的固定溫度的熱處理爐內將接合晶圓與基底晶圓以不進行升溫步驟而直接投入，又自以固定溫度熱處理，或自該固定溫度升溫至+50℃以內的指定溫度後以該指定溫度熱處理。藉此，能夠減低SOI晶圓的剝離後的剝離面的粗糙，以較低溫度的平滑化熱處理而使最終的貼合式晶圓表面的表面粗糙降低。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种贴合式晶圆的制造方法，其中，使接合晶圆与基底晶圆贴合后，直到进行剥离热处理为止，以晶圆之间的贴合界面借由水分子作用而结合的状态，将接合晶圆与基底晶圆于室温下保持12小时以上，剥离热处理为于炉内温度设置为400℃以上500℃以下的固定温度的热处理炉内将接合晶圆与基底晶圆以不进行升温步骤而直接投入，又自以固定温度热处理，或自该固定温度升温至+50℃以内的指定温度后以该指定温度热处理。借此，能够减低SOI晶圆的剥离后的剥离面的粗糙，以较低温度的平滑化热处理而使最终的贴合式晶圆表面的表面粗糙降低。

7. 发明专利

TW201711086A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201711086A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105108251
申请日：2016-03-17
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 石川修 , ISHIKAWA, OSAMU , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 大西裕之 , OONISHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02 , H01L21/3226 , H01L21/76254 , H01L27/12
摘要：一種貼合式SOI晶圓的製造方法包含：堆積多晶矽層於基底晶圓的貼合面側、於貼合晶圓的貼合面形成絕緣膜、藉由絕緣膜將基底晶圓的多晶矽層的研磨面與貼合晶圓貼合、以及將貼合晶圓薄膜化，作為基底晶圓，使用電阻率為100Ω‧cm以上的單晶矽晶圓，於堆積多晶矽層的步驟中更具有於基底晶圓堆積多晶矽層的表面預先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的階段，以1050℃以上、1200℃以下的溫度進行多晶矽層的堆積。藉此，即使經過SOI晶圓的製造步驟的熱處理步驟及裝置製造步驟的熱處理步驟亦能不使單晶化進行而堆積多晶矽層，同時能夠提升多晶矽堆積步驟的總產量。
简体摘要：一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、借由绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω‧cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。借此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及设备制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。

8. 发明专利

TWI573173B 貼合式SOI晶圓的製造方法有权
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI573173B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104104853
申请日：2015-02-12
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：阿賀浩司 , AGA, HIROJI , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/324

9. 发明专利

TW201628055A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201628055A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104141982
申请日：2015-12-14
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：石塚徹 , ISHIZUKA, TORU , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 中野正剛 , NAKANO, MASATAKE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/02024 , H01L21/0445 , H01L21/3212 , H01L21/76254 , H01L27/12 , H01L27/1203
摘要：一種貼合式SOI晶圓的製造方法，將皆以單晶矽所構成的貼合晶圓及基底晶圓透過絕緣膜貼合而製造貼合式SOI晶圓，包含下列步驟，將多晶矽層堆積於基底晶圓的貼合面側，研磨多晶矽層的表面，於貼合晶圓的貼合面形成絕緣膜，透過絕緣膜將基底晶圓的多晶矽層的研磨面與貼合晶圓貼合，以及將經貼合的貼合晶圓薄膜化而形成SOI層，其中於堆積多晶矽層的步驟中，作為基底晶圓使用具有化學蝕刻面的晶圓，於化學蝕刻面進行一次研磨後，於經一次研磨的面堆積多晶矽層，於研磨多晶矽層表面的步驟中，於多晶矽層表面進行二次研磨，或進行二次研磨及精研磨。
简体摘要：一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。

10. 发明专利

TW576876B 矽晶圓及其製造方法失效
简体标题：硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW576876B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW089118378
申请日：2000-09-05
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , 秋山昌次 , 玉塚正郎 , 篠宮勝
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , H01L21/3225
摘要：依本發明可以提供一種摻雜了硼及氮之矽晶圓中其特徵為：從該矽晶圓之表面而至少0.2μm之深度為止之表面層之硼濃度係體部之硼濃度之1/2以下。上述表面層之0.09μm大小以上之缺陷密度係1.0*104個/ cm3以下，且氧氣析出熱處理後之上述體部之內部微小缺陷密度為1*108~2*1010個/cm3之晶圓，及藉切克勞斯基法而摻雜了氮及硼之矽單晶棒，而將該單晶棒予以切片加工為矽晶圓之後，對於該矽晶圓，在於含有氫氣中施予熱處理而將晶圓表面之硼擴散於外方而成之矽晶圓之製造方法。由而可以提可做為替代P/P+磊晶晶圓而用之矽晶圓以及其製造方法者。
简体摘要：依本发明可以提供一种掺杂了硼及氮之硅晶圆中其特征为：从该硅晶圆之表面而至少0.2μm之深度为止之表面层之硼浓度系体部之硼浓度之1/2以下。上述表面层之0.09μm大小以上之缺陷密度系1.0*104个/ cm3以下，且氧气析出热处理后之上述体部之内部微小缺陷密度为1*108~2*1010个/cm3之晶圆，及藉切克劳斯基法而掺杂了氮及硼之硅单晶棒，而将该单晶棒予以切片加工为硅晶圆之后，对于该硅晶圆，在于含有氢气中施予热处理而将晶圆表面之硼扩散于外方而成之硅晶圆之制造方法。由而可以提可做为替代P/P+磊晶晶圆而用之硅晶圆以及其制造方法者。

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