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1. 发明专利

TW201711086A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201711086A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105108251
申请日：2016-03-17
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 石川修 , ISHIKAWA, OSAMU , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 大西裕之 , OONISHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02 , H01L21/3226 , H01L21/76254 , H01L27/12
摘要：一種貼合式SOI晶圓的製造方法包含：堆積多晶矽層於基底晶圓的貼合面側、於貼合晶圓的貼合面形成絕緣膜、藉由絕緣膜將基底晶圓的多晶矽層的研磨面與貼合晶圓貼合、以及將貼合晶圓薄膜化，作為基底晶圓，使用電阻率為100Ω‧cm以上的單晶矽晶圓，於堆積多晶矽層的步驟中更具有於基底晶圓堆積多晶矽層的表面預先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的階段，以1050℃以上、1200℃以下的溫度進行多晶矽層的堆積。藉此，即使經過SOI晶圓的製造步驟的熱處理步驟及裝置製造步驟的熱處理步驟亦能不使單晶化進行而堆積多晶矽層，同時能夠提升多晶矽堆積步驟的總產量。
简体摘要：一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、借由绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω‧cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。借此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及设备制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。

2. 发明专利

TW201810380A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201810380A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115681
申请日：2017-05-12
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 二井谷美保 , NIITANI, MIHO
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
摘要：本發明係提供一種貼合式SOI晶圓的製造方法，包含下列步驟：於基底晶圓堆積多晶矽層；研磨多晶矽層得到研磨面；於接合晶圓形成絶緣膜；透過絶緣膜將多晶矽層的研磨面與接合晶圓予以貼合；將接合晶圓薄膜化，其中用100Ω‧cm以上之單晶矽晶圓作為基底晶圓而堆積多晶矽層步驟中，更包含於基底晶圓的堆積多晶矽層表面上先形成氧化膜之階段，多晶矽層的堆積係藉由升溫至1000℃以上規定溫度為止，且在規定溫度下供給多晶矽層原料氣體而進行，更進一步在升溫至規定溫度為止之際中也供給多晶矽層原料氣體。藉此，得以保持高生產率並抑制多晶矽層的單晶化。
简体摘要：本发明系提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω‧cm以上之单晶硅晶圆作为基底晶圆而堆积多晶硅层步骤中，更包含于基底晶圆的堆积多晶硅层表面上先形成氧化膜之阶段，多晶硅层的堆积系借由升温至1000℃以上规定温度为止，且在规定温度下供给多晶硅层原料气体而进行，更进一步在升温至规定温度为止之际中也供给多晶硅层原料气体。借此，得以保持高生产率并抑制多晶硅层的单晶化。

3. 发明专利

TWI692001B 貼合式SOI晶圓的製造方法有权
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI692001B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105108251
申请日：2016-03-17
申请人：日商信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO , 石川修 , ISHIKAWA, OSAMU , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 大西裕之 , OONISHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12

4. 发明专利

TWI590298B 貼合式SOI晶圓的製造方法有权
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI590298B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104107391
申请日：2015-03-09
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 中野正剛 , NAKANO, MASATAKE , 八木真一郎 , YAGI, SHINICHIRO , 吉田知佐 , YOSHIDA, TOMOSUKE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/02052 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02307 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/30625 , H01L21/32055 , H01L21/76254 , H01L27/12

5. 发明专利

TWI610335B 貼合式SOI晶圓的製造方法及貼合式SOI晶圓有权
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法及贴合式SOI晶圆
公开(公告)号：TWI610335B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104107390
申请日：2015-03-09
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 若林大士 , WAKABAYASHI, TAISHI , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76251 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B2250/02 , B32B2255/20 , B32B2307/206 , B32B2457/14 , H01L21/02 , H01L21/02233 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/30625 , H01L21/76254 , H01L27/12

6. 发明专利

TW201604925A 貼合式SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW201604925A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104107391
申请日：2015-03-09
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：若林大士 , WAKABAYASHI, HIROSHI , 目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 中野正剛 , NAKANO, MASATAKE , 八木真一郎 , YAGI, SHINICHIRO , 吉田知佐 , YOSHIDA, TOMOSUKE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/02052 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02307 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/30625 , H01L21/32055 , H01L21/76254 , H01L27/12
摘要：本發明係關於一種貼合式SOI晶圓的製造方法，係關於將皆由數個單晶矽所構成的貼合晶圓及基底晶圓透過絕緣膜貼合的貼合式SOI晶圓的製造方法，其中包含：將基底晶圓的貼合面側堆積多晶矽的步驟，研磨多晶矽層的表面的步驟，於貼合晶圓的貼合面形成絕緣膜的步驟，透過絕緣膜將基底晶圓的多晶矽層的研磨面與貼合晶圓貼合的步驟，以及將經貼合的貼合晶圓薄膜化而形成SOI層的步驟；使用電阻率100Ω‧cm以上的單晶矽晶圓，堆積多晶矽層的步驟進一步包含於貼合晶圓的堆積多晶矽層的表面預先形成氧化膜的階段，多晶矽層的堆積分為二個階段進行，包含以1010℃以下的第一溫度進行的第一成長，及以較第一溫度更高溫的第二溫度進行較第一成長更厚的堆積的第二成長。藉此，即使在用以作為載子捕陷層而運作的多晶層的厚度已堆積至充分的厚度時，亦能抑制基底晶圓的翹曲的擴大，同時防止多晶矽的單晶化。
简体摘要：本发明系关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，系关于将皆由数个单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω‧cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，亦能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。

7. 发明专利

TW201543538A 貼合式SOI晶圓的製造方法及貼合式SOI晶圓审中-公开
简体标题：贴合式SOI晶圆的制造方法及贴合式SOI晶圆
公开(公告)号：TW201543538A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104107390
申请日：2015-03-09
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：目黑賢二 , MEGURO, KENJI , 若林大士 , WAKABAYASHI, HIROSHI , 小林德弘 , KOBAYASHI, NORIHIRO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76251 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B2250/02 , B32B2255/20 , B32B2307/206 , B32B2457/14 , H01L21/02 , H01L21/02233 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/30625 , H01L21/76254 , H01L27/12
摘要：一種貼合式SOI晶圓的製造方法，係關於皆以單晶矽構成的貼合晶圓及基底晶圓藉由絕緣膜貼合的貼合式SOI晶圓的製造方法，包含下列步驟：堆積多晶矽層於該基底晶圓的貼合面側，研磨該多晶矽層的表面，於該貼合晶圓的貼合面形成該絕緣膜，透過該絕緣膜將該基底晶圓的該多晶矽層的研磨面與該貼合晶圓貼合，以及將經貼合的該貼合晶圓薄膜化而形成SOI層，其中，該基底晶圓係使用電阻率100Ω‧cm以上的單晶矽晶圓，該堆積多晶矽層的步驟進一步包含於貼合晶圓的堆積該多晶矽層的表面預先形成氧化膜，該多晶矽層讀堆積以900℃以上的溫度進行。藉此能夠堆積多晶矽層而使其即使經過SOI晶圓製造步驟的熱處理步驟或裝置製造步驟的熱處理步驟亦不會進行單晶化。
简体摘要：一种贴合式SOI晶圆的制造方法，系关于皆以单晶硅构成的贴合晶圆及基底晶圆借由绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧，研磨该多晶硅层的表面，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，该基底晶圆系使用电阻率100Ω‧cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜，该多晶硅层读堆积以900℃以上的温度进行。借此能够堆积多晶硅层而使其即使经过SOI晶圆制造步骤的热处理步骤或设备制造步骤的热处理步骤亦不会进行单晶化。

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