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1. 发明专利

TW201822246A 用於在次7奈米CMOS製造中控制砷釋氣的紫外線輻射系統與方法审中-公开
简体标题：用于在次7奈米CMOS制造中控制砷释气的紫外线辐射系统与方法
公开(公告)号：TW201822246A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106130086
申请日：2017-09-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：燕春 , YAN, CHUN , 鮑新宇 , BAO, XINYU , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要：本文揭示的實施例相關於用於在磊晶處理之後，控制有害氣體的基板釋氣的方法。在一個實施例中，方法包含將包含磊晶層的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有設置為鄰接移送腔室頂板的紫外線(UV)燈模組，使含氧氣體經過移送腔室的氣體線流入移送腔室，使不反應氣體經過移送腔室的氣體線流入移送腔室，啟用UV燈模組以將在基板的表面上的殘留物或物質氧化以在基板的表面上形成釋氣阻障層，使含氧氣體與含氮氣體停止流入移送腔室，幫浦抽吸移送腔室，以及停用UV燈模組。
简体摘要：本文揭示的实施例相关于用于在磊晶处理之后，控制有害气体的基板释气的方法。在一个实施例中，方法包含将包含磊晶层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，激活UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成释气阻障层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，帮浦抽吸移送腔室，以及停用UV灯模块。

2. 发明专利

TW201828340A 形成矽化物的方法审中-公开
简体标题：形成硅化物的方法
公开(公告)号：TW201828340A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106142844
申请日：2017-12-07
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：仲華 , CHUNG, HUA , 包爾馬蒂亞斯 , BAUER, MATTHIAS , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/768 , C23C16/42 , C23C16/452
摘要：本案揭露內容大致上關於在基板上選擇性形成矽化鈦的方法。大致上與接觸件結構整合方案一併利用該等方法。一個實施例中，在基板上選擇性形成矽化鈦材料而作為源極/汲極區域上的界面層。可在約攝氏400度至約攝氏500度的範圍內的溫度形成矽化鈦層。
简体摘要：本案揭露内容大致上关于在基板上选择性形成硅化钛的方法。大致上与接触件结构集成方案一并利用该等方法。一个实施例中，在基板上选择性形成硅化钛材料而作为源极/汲极区域上的界面层。可在约摄氏400度至约摄氏500度的范围内的温度形成硅化钛层。

3. 发明专利

TW201724320A 用於EPI製程之晶圓加熱的二極體雷射审中-公开
简体标题：用于EPI制程之晶圆加热的二极管激光
公开(公告)号：TW201724320A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132553
申请日：2016-10-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 霍姆葛倫道格拉斯E , HOLMGREN, DOUGLAS E. , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 加真卓帕拉木拉里 , GAJENDRA, PALAMURALI , 妙尼O , MYO, NYI O. , 羅皮瑞森 , RAO, PREETHAM , 鮑提斯塔凱文賈許 , BAUTISTA, KEVIN JOSEPH , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 西爾肯馬汀A , HILKENE, MARTIN A. , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 柯林斯理查O , COLLINS, RICHARD O.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L29/861
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/68764
摘要：本揭露書的實施例一般關於用於半導體處理的設備和方法，更特定地，關於熱製程腔室。熱製程腔室可包括基板支撐件，設置在基板支撐件之上方的複數個第一加熱元件，以及設置在複數個第一加熱元件之上方的一或多個高能量輻射源組件。一或多個高能量輻射源組件係用以在處理期間對設置在基板支撐件上的基板上的多個冷區域提供局部加熱。基板的局部加熱改善溫度輪廓，如此又改善了沉積均勻性。
简体摘要：本揭露书的实施例一般关于用于半导体处理的设备和方法，更特定地，关于热制程腔室。热制程腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的复数个第一加热组件，以及设置在复数个第一加热组件之上方的一或多个高能量辐射源组件。一或多个高能量辐射源组件系用以在处理期间对设置在基板支撑件上的基板上的多个冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，如此又改善了沉积均匀性。

5. 发明专利

TW201824436A 用於晶圓釋氣控制的方法與設備审中-公开
简体标题：用于晶圆释气控制的方法与设备
公开(公告)号：TW201824436A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106130087
申请日：2017-09-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 燕春 , YAN, CHUN , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677
摘要：本文所揭示的具體實施例，大抵相關於用於控制基板釋氣的方法與設備，以在對基板執行Si:As處理之後且在額外的處理之前，將有害的氣體從基板表面除去。設備包含淨化站，淨化站包含外殼、氣體供應器、排氣幫浦、第一淨化氣體通口、第一管道、第二淨化氣體通口、以及第二管道，氣體供應器耦接至外殼，排氣幫浦耦接至外殼，第一淨化氣體通口形成於外殼內，第一管道的第一端可操作地連接至氣體供應器而第二端可操作地連接至第一淨化氣體通口，第二淨化氣體通口形成於外殼中，且第二管道的第三端可操作地連接至第二淨化氣體通口而第四端可操作地連接至排氣幫浦。第一管道包含粒子濾除器、加熱器、以及流量控制器。第二管道包含乾洗滌器(dry scrubber)。
简体摘要：本文所揭示的具体实施例，大抵相关于用于控制基板释气的方法与设备，以在对基板运行Si:As处理之后且在额外的处理之前，将有害的气体从基板表面除去。设备包含净化站，净化站包含外壳、气体供应器、排气帮浦、第一净化气体通口、第一管道、第二净化气体通口、以及第二管道，气体供应器耦接至外壳，排气帮浦耦接至外壳，第一净化气体通口形成于外壳内，第一管道的第一端可操作地连接至气体供应器而第二端可操作地连接至第一净化气体通口，第二净化气体通口形成于外壳中，且第二管道的第三端可操作地连接至第二净化气体通口而第四端可操作地连接至排气帮浦。第一管道包含粒子滤除器、加热器、以及流量控制器。第二管道包含干洗涤器(dry scrubber)。

6. 发明专利

TW201824386A 減少晶圓釋氣的整合方法审中-公开
简体标题：减少晶圆释气的集成方法
公开(公告)号：TW201824386A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106121752
申请日：2017-06-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：燕春 , YAN, CHUN , 鮑新宇 , BAO, XINYU , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本文所揭示的實施例與控制基板釋氣的方法有關。在一個實施例中，所述方法可包括下列步驟：於電感耦合電漿腔室中，從基板的被暴露表面移除氧化物；於磊晶沉積腔室中，在基板的被暴露表面上形成磊晶層；以及藉由以下步驟進行基板之釋氣控制：於電感耦合電漿腔室中，在第一腔室壓力下使基板經受第一電漿，第一電漿形成自第一蝕刻前驅物，其中第一蝕刻前驅物包含有含氫前驅物、含氯前驅物及惰性氣體；以及於電感耦合電漿腔室中，在高於第一腔室壓力之第二腔室壓力下，使基板經受第二電漿，第二電漿形成自第二蝕刻前驅物，其中第二蝕刻前驅物包含有含氫前驅物及惰性氣體。
简体摘要：本文所揭示的实施例与控制基板释气的方法有关。在一个实施例中，所述方法可包括下列步骤：于电感耦合等离子腔室中，从基板的被暴露表面移除氧化物；于磊晶沉积腔室中，在基板的被暴露表面上形成磊晶层；以及借由以下步骤进行基板之释气控制：于电感耦合等离子腔室中，在第一腔室压力下使基板经受第一等离子，第一等离子形成自第一蚀刻前驱物，其中第一蚀刻前驱物包含有含氢前驱物、含氯前驱物及惰性气体；以及于电感耦合等离子腔室中，在高于第一腔室压力之第二腔室压力下，使基板经受第二等离子，第二等离子形成自第二蚀刻前驱物，其中第二蚀刻前驱物包含有含氢前驱物及惰性气体。

7. 发明专利

TW201824337A 用於砷相關處理的除氣腔室审中-公开
简体标题：用于砷相关处理的除气腔室
公开(公告)号：TW201824337A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106121502
申请日：2017-06-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 燕春 , YAN, CHUN , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/67
摘要：本案揭露內容之實施型態大體上關於積體電路之製造。更詳言之，本文揭露的實施型態關於用於減少基材釋氣的設備、系統與方法。在磊晶沉積腔室中處理基材，之後將該基材移送至除氣腔室，該磊晶沉積腔室用於在基材上沉積含砷材料，該除氣腔室用於減少該基材上砷的釋氣。該除氣腔室包括氣體分配盤、基材支撐件、泵、及至少一個加熱機構，該氣體分配盤用於將氫、氮、及氧與氯化氫或氯氣體供應至該腔室。將殘餘或逃逸的砷從基材移除，使得該基材可從該除氣腔室移除而不使砷散播到周圍環境中。
简体摘要：本案揭露内容之实施型态大体上关于集成电路之制造。更详言之，本文揭露的实施型态关于用于减少基材释气的设备、系统与方法。在磊晶沉积腔室中处理基材，之后将该基材移送至除气腔室，该磊晶沉积腔室用于在基材上沉积含砷材料，该除气腔室用于减少该基材上砷的释气。该除气腔室包括气体分配盘、基材支撑件、泵、及至少一个加热机构，该气体分配盘用于将氢、氮、及氧与氯化氢或氯气体供应至该腔室。将残余或逃逸的砷从基材移除，使得该基材可从该除气腔室移除而不使砷散播到周围环境中。

8. 发明专利

TW201921548A 與高選擇性氧化物移除及高溫汙染物移除整合的磊晶系統审中-公开
简体标题：与高选择性氧化物移除及高温污染物移除集成的磊晶系统
公开(公告)号：TW201921548A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128748
申请日：2018-08-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：華瑞恰克拉拉 , HAWRYLCHAK, LARA , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 聖契茲艾羅C , SANCHEZ, ERROL C. , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 曼德瑞卡圖沙爾 , MANDREKAR, TUSHAR
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要：在一個實施方案中，處理系統包括第一轉移腔室、第二轉移腔室、過渡站、第一電漿腔室、及裝載閘腔室，第一轉移腔室耦接到至少一個磊晶處理腔室，過渡站係設置於第一轉移腔室與第二轉移腔室之間，第一電漿腔室耦接至第二轉移腔室，以用於從基板的表面移除氧化物，裝載閘腔室耦接至第二轉移腔室。過渡站係連接到第一轉移腔室與第二轉移腔室，並且過渡站包括用於從基板的表面移除污染物的第二電漿腔室。
简体摘要：在一个实施方案中，处理系统包括第一转移腔室、第二转移腔室、过渡站、第一等离子腔室、及装载闸腔室，第一转移腔室耦接到至少一个磊晶处理腔室，过渡站系设置于第一转移腔室与第二转移腔室之间，第一等离子腔室耦接至第二转移腔室，以用于从基板的表面移除氧化物，装载闸腔室耦接至第二转移腔室。过渡站系连接到第一转移腔室与第二转移腔室，并且过渡站包括用于从基板的表面移除污染物的第二等离子腔室。

9. 发明专利

TW201839798A 用於選擇性磊晶之方法及設備审中-公开
简体标题：用于选择性磊晶之方法及设备
公开(公告)号：TW201839798A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107100164
申请日：2018-01-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李學斌 , LI, XUEBIN , 仲華 , CHUNG, HUA , 張芳松 , CHANG, FLORA FONG-SONG , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , C23C16/38
摘要：在具有矽表面和介電表面的基板上形成膜的方法包括以下步驟：預清洗基板；將抑制劑物質施加於介電表面；以及在保持小於約攝氏600度的溫度同時將基板暴露於前驅物。
简体摘要：在具有硅表面和介电表面的基板上形成膜的方法包括以下步骤：预清洗基板；将抑制剂物质施加于介电表面；以及在保持小于约摄氏600度的温度同时将基板暴露于前驱物。

10. 发明专利

TW201724202A 用於選擇性沉積之設備及方法审中-公开
简体标题：用于选择性沉积之设备及方法
公开(公告)号：TW201724202A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105129726
申请日：2016-09-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 卡契潔西卡S , KACHIAN, JESSICA S. , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID , 安瑟斯傑佛瑞 , ANTHIS, JEFFREY
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/04
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/04 , C23C16/45544 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32522 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/02049 , H01L21/02057 , H01L21/0217 , H01L21/02172 , H01L21/02175 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/32 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67745
摘要：本案描述用於處理基板的方法與設備。鈍化介電材料的方法包括：在介電材料的暴露表面上形成烷基矽基部分。形成烷基矽基部分的合適前驅物包括：(三甲基矽基) 四氫吡咯、胺基矽烷、二氯二甲基矽烷，等等。在介電材料鈍化之後，覆蓋層可選擇性沉積在源極/汲極材料上。執行本發明所述方法的設備包括平臺，此平臺包括：移送腔室、預清洗腔室、磊晶沉積腔室、鈍化腔室與原子層沉積腔室。
简体摘要：本案描述用于处理基板的方法与设备。钝化介电材料的方法包括：在介电材料的暴露表面上形成烷基硅基部分。形成烷基硅基部分的合适前驱物包括：(三甲基硅基) 四氢吡咯、胺基硅烷、二氯二甲基硅烷，等等。在介电材料钝化之后，覆盖层可选择性沉积在源极/汲极材料上。运行本发明所述方法的设备包括平台，此平台包括：移送腔室、预清洗腔室、磊晶沉积腔室、钝化腔室与原子层沉积腔室。

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