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    • 5. 发明专利
    • 具有用於將碳污染物與表面氧化物自半導體基板去除的處理腔室之真空平臺
    • 具有用于将碳污染物与表面氧化物自半导体基板去除的处理腔室之真空平台
    • TW201801232A
    • 2018-01-01
    • TW106115538
    • 2017-05-11
    • 應用材料股份有限公司APPLIED MATERIALS, INC.
    • 勞 建邦LO, KIN PONG諸 紹芳CHU, SCHUBERT S.
    • H01L21/677H01L21/48
    • 本揭露的實施一般係關於改良的真空處理系統。在一個實施中,真空處理系統包括第一移送腔室、第二移送腔室、過渡站、第一電漿清洗腔室和裝載閘腔室,該第一移送腔室耦接至至少一個磊晶處理腔室,該過渡站設置在該第一移送腔室和該第二移送腔室之間,該第一電漿清洗腔室耦接至該第二移送腔室以用於將氧化物自基板的表面去除,該裝載閘腔室耦接至該第二移送腔室。過渡站連接到第一移送腔室和第二移送腔室,及過渡站包括第二電漿清洗腔室,該第二電漿清洗腔室用於將含碳污染物自基板的表面去除。
    • 本揭露的实施一般系关于改良的真空处理系统。在一个实施中,真空处理系统包括第一移送腔室、第二移送腔室、过渡站、第一等离子清洗腔室和装载闸腔室,该第一移送腔室耦接至至少一个磊晶处理腔室,该过渡站设置在该第一移送腔室和该第二移送腔室之间,该第一等离子清洗腔室耦接至该第二移送腔室以用于将氧化物自基板的表面去除,该装载闸腔室耦接至该第二移送腔室。过渡站连接到第一移送腔室和第二移送腔室,及过渡站包括第二等离子清洗腔室,该第二等离子清洗腔室用于将含碳污染物自基板的表面去除。