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1. 发明专利

TW201822246A 用於在次7奈米CMOS製造中控制砷釋氣的紫外線輻射系統與方法审中-公开
简体标题：用于在次7奈米CMOS制造中控制砷释气的紫外线辐射系统与方法
公开(公告)号：TW201822246A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106130086
申请日：2017-09-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：燕春 , YAN, CHUN , 鮑新宇 , BAO, XINYU , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要：本文揭示的實施例相關於用於在磊晶處理之後，控制有害氣體的基板釋氣的方法。在一個實施例中，方法包含將包含磊晶層的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有設置為鄰接移送腔室頂板的紫外線(UV)燈模組，使含氧氣體經過移送腔室的氣體線流入移送腔室，使不反應氣體經過移送腔室的氣體線流入移送腔室，啟用UV燈模組以將在基板的表面上的殘留物或物質氧化以在基板的表面上形成釋氣阻障層，使含氧氣體與含氮氣體停止流入移送腔室，幫浦抽吸移送腔室，以及停用UV燈模組。
简体摘要：本文揭示的实施例相关于用于在磊晶处理之后，控制有害气体的基板释气的方法。在一个实施例中，方法包含将包含磊晶层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，激活UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成释气阻障层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，帮浦抽吸移送腔室，以及停用UV灯模块。

2. 发明专利

TW202015103A 鬆弛矽鍺緩衝層之結構及其形成方法與設備审中-公开
简体标题：松弛硅锗缓冲层之结构及其形成方法与设备
公开(公告)号：TW202015103A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108129436
申请日：2016-07-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 潘根用 , BAN, KEUN-YONG , 鮑新宇 , BAO, XINYU
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36
摘要：本發明的實施例提供用於製造像是使用以放大或切換電子訊號之電晶體的半導體元件之方法與設備。具體地，本發明的實施例大體上關於具有薄膜疊層之半導體元件，此薄膜疊層包括在主動元件層底下的半導體材料介層與半導體材料緩衝層。在各種實施例中，介層可包括形成在矽基基板之第一表面與緩衝層之間的III-V族半導體材料。在某些實施例中，緩衝層可包含IV族半導體材料。介層可具有設計以緩和IV族緩衝層與矽基基板間之晶格失配的晶格常數。緩衝層可提供主動元件層之改良整合以改善完成元件之效能。
简体摘要：本发明的实施例提供用于制造像是使用以放大或切换电子信号之晶体管的半导体组件之方法与设备。具体地，本发明的实施例大体上关于具有薄膜叠层之半导体组件，此薄膜叠层包括在主动组件层底下的半导体材料介层与半导体材料缓冲层。在各种实施例中，介层可包括形成在硅基基板之第一表面与缓冲层之间的III-V族半导体材料。在某些实施例中，缓冲层可包含IV族半导体材料。介层可具有设计以缓和IV族缓冲层与硅基基板间之晶格失配的晶格常数。缓冲层可提供主动组件层之改良集成以改善完成组件之性能。

3. 发明专利

TWI680495B 用於腔室間處理的方法有权
简体标题：用于腔室间处理的方法
公开(公告)号：TWI680495B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW106103609
申请日：2017-02-03
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 潘根用 , BAN, KEUN-YONG
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/67

4. 发明专利

TW201824436A 用於晶圓釋氣控制的方法與設備审中-公开
简体标题：用于晶圆释气控制的方法与设备
公开(公告)号：TW201824436A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106130087
申请日：2017-09-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 燕春 , YAN, CHUN , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677
摘要：本文所揭示的具體實施例，大抵相關於用於控制基板釋氣的方法與設備，以在對基板執行Si:As處理之後且在額外的處理之前，將有害的氣體從基板表面除去。設備包含淨化站，淨化站包含外殼、氣體供應器、排氣幫浦、第一淨化氣體通口、第一管道、第二淨化氣體通口、以及第二管道，氣體供應器耦接至外殼，排氣幫浦耦接至外殼，第一淨化氣體通口形成於外殼內，第一管道的第一端可操作地連接至氣體供應器而第二端可操作地連接至第一淨化氣體通口，第二淨化氣體通口形成於外殼中，且第二管道的第三端可操作地連接至第二淨化氣體通口而第四端可操作地連接至排氣幫浦。第一管道包含粒子濾除器、加熱器、以及流量控制器。第二管道包含乾洗滌器(dry scrubber)。
简体摘要：本文所揭示的具体实施例，大抵相关于用于控制基板释气的方法与设备，以在对基板运行Si:As处理之后且在额外的处理之前，将有害的气体从基板表面除去。设备包含净化站，净化站包含外壳、气体供应器、排气帮浦、第一净化气体通口、第一管道、第二净化气体通口、以及第二管道，气体供应器耦接至外壳，排气帮浦耦接至外壳，第一净化气体通口形成于外壳内，第一管道的第一端可操作地连接至气体供应器而第二端可操作地连接至第一净化气体通口，第二净化气体通口形成于外壳中，且第二管道的第三端可操作地连接至第二净化气体通口而第四端可操作地连接至排气帮浦。第一管道包含粒子滤除器、加热器、以及流量控制器。第二管道包含干洗涤器(dry scrubber)。

5. 发明专利

TW201824386A 減少晶圓釋氣的整合方法审中-公开
简体标题：减少晶圆释气的集成方法
公开(公告)号：TW201824386A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106121752
申请日：2017-06-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：燕春 , YAN, CHUN , 鮑新宇 , BAO, XINYU , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本文所揭示的實施例與控制基板釋氣的方法有關。在一個實施例中，所述方法可包括下列步驟：於電感耦合電漿腔室中，從基板的被暴露表面移除氧化物；於磊晶沉積腔室中，在基板的被暴露表面上形成磊晶層；以及藉由以下步驟進行基板之釋氣控制：於電感耦合電漿腔室中，在第一腔室壓力下使基板經受第一電漿，第一電漿形成自第一蝕刻前驅物，其中第一蝕刻前驅物包含有含氫前驅物、含氯前驅物及惰性氣體；以及於電感耦合電漿腔室中，在高於第一腔室壓力之第二腔室壓力下，使基板經受第二電漿，第二電漿形成自第二蝕刻前驅物，其中第二蝕刻前驅物包含有含氫前驅物及惰性氣體。
简体摘要：本文所揭示的实施例与控制基板释气的方法有关。在一个实施例中，所述方法可包括下列步骤：于电感耦合等离子腔室中，从基板的被暴露表面移除氧化物；于磊晶沉积腔室中，在基板的被暴露表面上形成磊晶层；以及借由以下步骤进行基板之释气控制：于电感耦合等离子腔室中，在第一腔室压力下使基板经受第一等离子，第一等离子形成自第一蚀刻前驱物，其中第一蚀刻前驱物包含有含氢前驱物、含氯前驱物及惰性气体；以及于电感耦合等离子腔室中，在高于第一腔室压力之第二腔室压力下，使基板经受第二等离子，第二等离子形成自第二蚀刻前驱物，其中第二蚀刻前驱物包含有含氢前驱物及惰性气体。

6. 发明专利

TWI673788B 用於晶圓釋氣控制的方法有权
简体标题：用于晶圆释气控制的方法
公开(公告)号：TWI673788B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106118301
申请日：2017-06-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：燕春 , YAN, CHUN , 鮑新宇 , BAO, XINYU
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065

7. 发明专利

TW201829819A 用於CMOS接觸及阻障層之方法與材料审中-公开
简体标题：用于CMOS接触及阻障层之方法与材料
公开(公告)号：TW201829819A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106123779
申请日：2017-07-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 燕春 , YAN, CHUN , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K.
IPC分类号： C23C16/00 , C30B29/52 , H01L21/8234 , H01L21/02
摘要：本案揭露內容大體上關於用於在半導體元件上形成磊晶層的方法，包括形成拉張加壓矽銻層之方法。該方法包括下述步驟：加熱配置在處理腔室內的基材，其中該基材包括矽；以及將該基材之表面暴露至氣體混合物，以在該表面上形成矽銻合金，該氣體混合物包括含矽前驅物與含銻前驅物，該矽銻合金具有每立方公分5x1020至5x1021個原子或更大的銻濃度。
简体摘要：本案揭露内容大体上关于用于在半导体组件上形成磊晶层的方法，包括形成拉张加压硅锑层之方法。该方法包括下述步骤：加热配置在处理腔室内的基材，其中该基材包括硅；以及将该基材之表面暴露至气体混合物，以在该表面上形成硅锑合金，该气体混合物包括含硅前驱物与含锑前驱物，该硅锑合金具有每立方公分5x1020至5x1021个原子或更大的锑浓度。

8. 发明专利

TWI679296B 用於半導體磊晶成長的注射器有权
简体标题：用于半导体磊晶成长的注射器
公开(公告)号：TWI679296B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105115483
申请日：2016-05-19
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 劉樹坤 , LAU, SHU-KWAN , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/205

9. 发明专利

TWI674641B 用於晶圓釋氣控制的方法與設備有权
简体标题：用于晶圆释气控制的方法与设备
公开(公告)号：TWI674641B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW106130087
申请日：2017-09-04
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：鮑新宇 , BAO, XINYU , 燕春 , YAN, CHUN , 仲華 , CHUNG, HUA , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677

10. 发明专利

TWI672732B 鬆弛矽鍺緩衝層之結構及其形成方法與設備有权
简体标题：松弛硅锗缓冲层之结构及其形成方法与设备
公开(公告)号：TWI672732B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW105123027
申请日：2016-07-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 桑契斯愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 潘根用 , BAN, KEUN-YONG , 鮑新宇 , BAO, XINYU
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36

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