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1. 发明专利

TW201712756A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201712756A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105125204
申请日：2016-08-08
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268
摘要：本發明提供一種能夠抑制高介電常數膜之基底之氧化矽膜之膜厚增大的熱處理方法及熱處理裝置。於矽之半導體晶圓之表面隔著作為界面層膜之氧化矽膜而成膜高介電常數膜。於將該半導體晶圓收容於腔體內後，使腔體內減壓至低於大氣壓之氣壓P1。其後，向腔體內供給氨氣與氮氣之混合氣體而復壓至常壓Ps，對半導體晶圓之表面照射閃光而執行高介電常數膜之成膜後熱處理。由於使腔體內暫時減壓至低於大氣壓之氣壓P1後復壓，故而能夠顯著降低執行成膜後熱處理時之腔體內之氧濃度，而能夠抑制於成膜後熱處理中高介電常數膜之基底之氧化矽膜吸入氧而膜厚增大。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制高介电常数膜之基底之氧化硅膜之膜厚增大的热处理方法及热处理设备。于硅之半导体晶圆之表面隔着作为界面层膜之氧化硅膜而成膜高介电常数膜。于将该半导体晶圆收容于腔体内后，使腔体内减压至低于大气压之气压P1。其后，向腔体内供给氨气与氮气之混合气体而复压至常压Ps，对半导体晶圆之表面照射闪光而运行高介电常数膜之成膜后热处理。由于使腔体内暂时减压至低于大气压之气压P1后复压，故而能够显着降低运行成膜后热处理时之腔体内之氧浓度，而能够抑制于成膜后热处理中高介电常数膜之基底之氧化硅膜吸入氧而膜厚增大。

2. 发明专利

TWI614810B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI614810B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105123475
申请日：2016-07-25
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477

3. 发明专利

TWI650039B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI650039B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW105106577
申请日：2016-03-03
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H05B3/00 , F27D11/12 , F27B17/00 , H01L21/26

4. 发明专利

TW201712755A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201712755A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123475
申请日：2016-07-25
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
摘要：本發明提供一種能夠抑制矽化物之高電阻化之熱處理方法及熱處理裝置。本發明於矽之半導體晶圓之表面成膜有金屬膜。於將該半導體晶圓收容於腔室內之後，將腔室內減壓至較大氣壓低之氣壓P1。其後，對腔室內供給氮氣而使之恢復壓力至常壓Ps，對半導體晶圓之表面照射閃光而形成金屬膜與矽之化合物即矽化物。由於將腔室內暫時減壓至較大氣壓低之氣壓P1之後再恢復壓力，故而可顯著地降低執行矽化物形成處理時之腔室內之氧濃度，從而可抑制因腔室內氛圍氣體中之氧進入至金屬膜與基材之界面附近之缺陷所導致的矽化物之高電阻化。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制硅化物之高电阻化之热处理方法及热处理设备。本发明于硅之半导体晶圆之表面成膜有金属膜。于将该半导体晶圆收容于腔室内之后，将腔室内减压至较大气压低之气压P1。其后，对腔室内供给氮气而使之恢复压力至常压Ps，对半导体晶圆之表面照射闪光而形成金属膜与硅之化合物即硅化物。由于将腔室内暂时减压至较大气压低之气压P1之后再恢复压力，故而可显着地降低运行硅化物形成处理时之腔室内之氧浓度，从而可抑制因腔室内氛围气体中之氧进入至金属膜与基材之界面附近之缺陷所导致的硅化物之高电阻化。

5. 发明专利

TW201705811A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201705811A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106577
申请日：2016-03-03
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：阿部誠 , ABE, MAKOTO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H05B3/00 , F27D11/12 , F27B17/00
CPC分类号： H05B3/0047 , F27B17/0025 , F27D11/12 , H01L21/67115
摘要：本發明提供一種可使基板之面內溫度分佈均勻之熱處理裝置。自複數個鹵素燈HL對腔室內由保持部保持之半導體晶圓W照射鹵素光而進行加熱。於鹵素燈HL與半導體晶圓W之間，設置由不透明石英形成之圓筒形狀之遮光體21及圓環形狀之遮光構件25。遮光構件25之外徑小於遮光體21之內徑。自鹵素燈HL出射並透過遮光體21之內壁面與遮光構件25之外周之間所產生之間隙的光被照射至容易產生溫度下降之半導體晶圓W之周緣部。另一方面，朝向過熱區域之光被遮光構件25遮蔽，上述過熱區域係於僅設置遮光體21時產生於半導體晶圓W之面內且溫度較其他區域更高。
简体摘要：本发明提供一种可使基板之面内温度分布均匀之热处理设备。自复数个卤素灯HL对腔室内由保持部保持之半导体晶圆W照射卤素光而进行加热。于卤素灯HL与半导体晶圆W之间，设置由不透明石英形成之圆筒形状之遮光体21及圆环形状之遮光构件25。遮光构件25之外径小于遮光体21之内径。自卤素灯HL出射并透过遮光体21之内壁面与遮光构件25之外周之间所产生之间隙的光被照射至容易产生温度下降之半导体晶圆W之周缘部。另一方面，朝向过热区域之光被遮光构件25屏蔽，上述过热区域系于仅设置遮光体21时产生于半导体晶圆W之面内且温度较其他区域更高。

6. 发明专利

TWI671804B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI671804B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106117212
申请日：2017-05-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/683

7. 发明专利

TW201824363A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201824363A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106117212
申请日：2017-05-24
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/683
摘要：本發明的課題在於提供一種能以簡易的構成將光線照射時的基板面內的溫度分布設成均勻之熱處理裝置。本發明用以解決課題的手段為基板支撐銷77係由光吸收材料所形成；該基板支撐銷77係立設於石英的保持板75的上表面，用以直接地支撐半導體晶圓W；該光吸收材料係吸收從鹵素燈所照射的光線而升溫。於藉由鹵素燈進行加熱時，從鹵素燈所射出的光線係穿透保持板75且該光線的一部分係被基板支撐銷77吸收，基板支撐銷77係升溫。藉此，能抑制基板支撐銷77與半導體晶圓W之間的接觸部位附近中的溫度降低，而能將藉由鹵素燈進行加熱時的半導體晶圓W的面內溫度分布設成均勻。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种能以简易的构成将光线照射时的基板面内的温度分布设成均匀之热处理设备。本发明用以解决课题的手段为基板支撑销77系由光吸收材料所形成；该基板支撑销77系立设于石英的保持板75的上表面，用以直接地支撑半导体晶圆W；该光吸收材料系吸收从卤素灯所照射的光线而升温。于借由卤素灯进行加热时，从卤素灯所射出的光线系穿透保持板75且该光线的一部分系被基板支撑销77吸收，基板支撑销77系升温。借此，能抑制基板支撑销77与半导体晶圆W之间的接触部位附近中的温度降低，而能将借由卤素灯进行加热时的半导体晶圆W的面内温度分布设成均匀。

8. 发明专利

TWI646602B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI646602B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106117496
申请日：2017-05-26
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 近藤泰章 , KONDO, YASUAKI , 宮脇真治 , MIYAWAKI, SHINJI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/687

9. 发明专利

TW201804534A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201804534A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106115137
申请日：2017-05-08
申请人：斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/31 , H01L29/78
摘要：一種熱處理方法及熱處理裝置，其可以在已將氧極力排出後的狀態下進行閃光加熱處理。在已將收容有成為處理對象的半導體晶圓的腔室內部減壓至比大氣壓更低的氣壓P1的狀態下，將半導體晶圓加熱至100℃以上200℃以下的第一預備加熱溫度T1。其次，在已將腔室內部復壓至氣壓P2為止的狀態下，將半導體晶圓升溫至500℃以上700℃以下的第二預備加熱溫度T2並進行預備加熱之後，從閃光燈對半導體晶圓的表面照射閃光。藉由將半導體晶圓加熱至比較低溫的第一預備加熱溫度T1，就可以使已微量吸附於半導體晶圓之表面的水分等從該表面脫離，且可以在已將起源於如此吸附水分等的氧極力排出後的狀態下進行閃光加熱處理。
简体摘要：一种热处理方法及热处理设备，其可以在已将氧极力排出后的状态下进行闪光加热处理。在已将收容有成为处理对象的半导体晶圆的腔室内部减压至比大气压更低的气压P1的状态下，将半导体晶圆加热至100℃以上200℃以下的第一预备加热温度T1。其次，在已将腔室内部复压至气压P2为止的状态下，将半导体晶圆升温至500℃以上700℃以下的第二预备加热温度T2并进行预备加热之后，从闪光灯对半导体晶圆的表面照射闪光。借由将半导体晶圆加热至比较低温的第一预备加热温度T1，就可以使已微量吸附于半导体晶圆之表面的水分等从该表面脱离，且可以在已将起源于如此吸附水分等的氧极力排出后的状态下进行闪光加热处理。

10. 发明专利

TWI663655B 熱處理裝置及熱處理方法有权
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TWI663655B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105136998
申请日：2016-11-14
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/66 , G01J5/00

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