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1. 发明专利

TWI688005B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI688005B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106145087
申请日：2016-07-25
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA,TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI,HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA,MASASHI , 布施和彥 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477

2. 发明专利

TW201812920A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201812920A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106145087
申请日：2016-07-25
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA,TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI,HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA,MASASHI , 布施和彥 , FUSE,KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA,HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO,SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
摘要：本發明提供一種能夠抑制矽化物之高電阻化之熱處理方法及熱處理裝置。本發明於矽之半導體晶圓之表面成膜有金屬膜。於將該半導體晶圓收容於腔室內之後，將腔室內減壓至較大氣壓低之氣壓P1。其後，對腔室內供給氮氣而使之恢復壓力至常壓Ps，對半導體晶圓之表面照射閃光而形成金屬膜與矽之化合物即矽化物。由於將腔室內暫時減壓至較大氣壓低之氣壓P1之後再恢復壓力，故而可顯著地降低執行矽化物形成處理時之腔室內之氧濃度，從而可抑制因腔室內氛圍氣體中之氧進入至金屬膜與基材之界面附近之缺陷所導致的矽化物之高電阻化。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制硅化物之高电阻化之热处理方法及热处理设备。本发明于硅之半导体晶圆之表面成膜有金属膜。于将该半导体晶圆收容于腔室内之后，将腔室内减压至较大气压低之气压P1。其后，对腔室内供给氮气而使之恢复压力至常压Ps，对半导体晶圆之表面照射闪光而形成金属膜与硅之化合物即硅化物。由于将腔室内暂时减压至较大气压低之气压P1之后再恢复压力，故而可显着地降低运行硅化物形成处理时之腔室内之氧浓度，从而可抑制因腔室内氛围气体中之氧进入至金属膜与基材之界面附近之缺陷所导致的硅化物之高电阻化。

3. 发明专利

TW201712755A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201712755A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123475
申请日：2016-07-25
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
摘要：本發明提供一種能夠抑制矽化物之高電阻化之熱處理方法及熱處理裝置。本發明於矽之半導體晶圓之表面成膜有金屬膜。於將該半導體晶圓收容於腔室內之後，將腔室內減壓至較大氣壓低之氣壓P1。其後，對腔室內供給氮氣而使之恢復壓力至常壓Ps，對半導體晶圓之表面照射閃光而形成金屬膜與矽之化合物即矽化物。由於將腔室內暫時減壓至較大氣壓低之氣壓P1之後再恢復壓力，故而可顯著地降低執行矽化物形成處理時之腔室內之氧濃度，從而可抑制因腔室內氛圍氣體中之氧進入至金屬膜與基材之界面附近之缺陷所導致的矽化物之高電阻化。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制硅化物之高电阻化之热处理方法及热处理设备。本发明于硅之半导体晶圆之表面成膜有金属膜。于将该半导体晶圆收容于腔室内之后，将腔室内减压至较大气压低之气压P1。其后，对腔室内供给氮气而使之恢复压力至常压Ps，对半导体晶圆之表面照射闪光而形成金属膜与硅之化合物即硅化物。由于将腔室内暂时减压至较大气压低之气压P1之后再恢复压力，故而可显着地降低运行硅化物形成处理时之腔室内之氧浓度，从而可抑制因腔室内氛围气体中之氧进入至金属膜与基材之界面附近之缺陷所导致的硅化物之高电阻化。

4. 发明专利

TWI698936B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI698936B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108136572
申请日：2016-07-07
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01J61/16

5. 发明专利

TW201712756A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201712756A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105125204
申请日：2016-08-08
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268
摘要：本發明提供一種能夠抑制高介電常數膜之基底之氧化矽膜之膜厚增大的熱處理方法及熱處理裝置。於矽之半導體晶圓之表面隔著作為界面層膜之氧化矽膜而成膜高介電常數膜。於將該半導體晶圓收容於腔體內後，使腔體內減壓至低於大氣壓之氣壓P1。其後，向腔體內供給氨氣與氮氣之混合氣體而復壓至常壓Ps，對半導體晶圓之表面照射閃光而執行高介電常數膜之成膜後熱處理。由於使腔體內暫時減壓至低於大氣壓之氣壓P1後復壓，故而能夠顯著降低執行成膜後熱處理時之腔體內之氧濃度，而能夠抑制於成膜後熱處理中高介電常數膜之基底之氧化矽膜吸入氧而膜厚增大。
简体摘要：本发明提供一种能够抑制高介电常数膜之基底之氧化硅膜之膜厚增大的热处理方法及热处理设备。于硅之半导体晶圆之表面隔着作为界面层膜之氧化硅膜而成膜高介电常数膜。于将该半导体晶圆收容于腔体内后，使腔体内减压至低于大气压之气压P1。其后，向腔体内供给氨气与氮气之混合气体而复压至常压Ps，对半导体晶圆之表面照射闪光而运行高介电常数膜之成膜后热处理。由于使腔体内暂时减压至低于大气压之气压P1后复压，故而能够显着降低运行成膜后热处理时之腔体内之氧浓度，而能够抑制于成膜后热处理中高介电常数膜之基底之氧化硅膜吸入氧而膜厚增大。

6. 发明专利

TW201709337A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201709337A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105121619
申请日：2016-07-07
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01J61/16
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/324 , H01L21/67248 , H01L22/10
摘要：本發明提供一種不管基板之表面狀態如何均能以簡易之構成測定基板之表面溫度的熱處理方法及熱處理裝置。自利用鹵素燈之預加熱階段至藉由閃光燈進行閃光照射時，利用放射溫度計測定半導體晶圓之背面之溫度，並求出於照射閃光時半導體晶圓之背面自預加熱溫度升溫之上升溫度△T。由於半導體晶圓之比熱為預設值，上升溫度△T與藉由閃光照射而賦予至半導體晶圓之表面之能量的大小成比例，故可根據閃光照射時之半導體晶圓之背面的上升溫度△T計算半導體晶圓之表面達到溫度。
简体摘要：本发明提供一种不管基板之表面状态如何均能以简易之构成测定基板之表面温度的热处理方法及热处理设备。自利用卤素灯之预加热阶段至借由闪光灯进行闪光照射时，利用放射温度计测定半导体晶圆之背面之温度，并求出于照射闪光时半导体晶圆之背面自预加热温度升温之上升温度△T。由于半导体晶圆之比热为默认值，上升温度△T与借由闪光照射而赋予至半导体晶圆之表面之能量的大小成比例，故可根据闪光照射时之半导体晶圆之背面的上升温度△T计算半导体晶圆之表面达到温度。

7. 发明专利

TWI682463B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI682463B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW105121619
申请日：2016-07-07
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01J61/16

8. 发明专利

TW201947665A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201947665A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108136572
申请日：2016-07-07
申请人：日商思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01J61/16
摘要：本發明提供一種不管基板之表面狀態如何均能以簡易之構成測定基板之表面溫度的熱處理方法及熱處理裝置。自利用鹵素燈之預加熱階段至藉由閃光燈進行閃光照射時，利用放射溫度計測定半導體晶圓之背面之溫度，並求出於照射閃光時半導體晶圓之背面自預加熱溫度升溫之上升溫度ΔT。由於半導體晶圓之比熱為預設值，上升溫度ΔT與藉由閃光照射而賦予至半導體晶圓之表面之能量的大小成比例，故可根據閃光照射時之半導體晶圓之背面的上升溫度ΔT計算半導體晶圓之表面達到溫度。
简体摘要：本发明提供一种不管基板之表面状态如何均能以简易之构成测定基板之表面温度的热处理方法及热处理设备。自利用卤素灯之预加热阶段至借由闪光灯进行闪光照射时，利用放射温度计测定半导体晶圆之背面之温度，并求出于照射闪光时半导体晶圆之背面自预加热温度升温之上升温度ΔT。由于半导体晶圆之比热为默认值，上升温度ΔT与借由闪光照射而赋予至半导体晶圆之表面之能量的大小成比例，故可根据闪光照射时之半导体晶圆之背面的上升温度ΔT计算半导体晶圆之表面达到温度。

9. 发明专利

TWI614810B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI614810B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105123475
申请日：2016-07-25
申请人：思可林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 河原崎光 , KAWARAZAKI, HIKARU , 古川雅志 , FURUKAWA, MASASHI , 布施和彥 , FUSE, KAZUHIKO , 谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 加藤慎一 , KATO, SHINICHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477

10. 发明专利

TW201834028A 摻雜物導入方法及熱處裡方法审中-公开
简体标题：掺杂物导入方法及热处里方法
公开(公告)号：TW201834028A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106136479
申请日：2017-10-24
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：谷村英昭 , TANIMURA, HIDEAKI , 青山敬幸 , AOYAMA, TAKAYUKI , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO , 山田隆泰 , YAMADA, TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/26
摘要：本發明提供一種可高效率地使摻雜物擴散於半導體基板中之摻雜物導入方法及熱處理方法。於半導體晶圓之表面成膜作為包含磷作為摻雜物之二氧化矽之薄膜之PSG膜。於包含氫之氛圍中藉由源自鹵素燈之光照射使成膜有PSG膜之半導體晶圓於加熱溫度T1維持1秒以上而使摻雜物自PSG膜擴散至半導體晶圓之表面。進而，以未達1秒之照射時間自閃光燈向該半導體晶圓照射閃光將半導體晶圓之表面加熱至目標溫度T2而使摻雜物活化。若於包含氫之氛圍中PSG膜升溫，則PSG膜所含之摻雜物之擴散係數變高，故而可使摻雜物高效率地自PSG膜擴散至半導體晶圓並活化。
简体摘要：本发明提供一种可高效率地使掺杂物扩散于半导体基板中之掺杂物导入方法及热处理方法。于半导体晶圆之表面成膜作为包含磷作为掺杂物之二氧化硅之薄膜之PSG膜。于包含氢之氛围中借由源自卤素灯之光照射使成膜有PSG膜之半导体晶圆于加热温度T1维持1秒以上而使掺杂物自PSG膜扩散至半导体晶圆之表面。进而，以未达1秒之照射时间自闪光灯向该半导体晶圆照射闪光将半导体晶圆之表面加热至目标温度T2而使掺杂物活化。若于包含氢之氛围中PSG膜升温，则PSG膜所含之掺杂物之扩散系数变高，故而可使掺杂物高效率地自PSG膜扩散至半导体晶圆并活化。

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