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    • 6. 发明专利
    • 熱處理方法及熱處理裝置
    • 热处理方法及热处理设备
    • TW201709337A
    • 2017-03-01
    • TW105121619
    • 2016-07-07
    • 思可林集團股份有限公司SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
    • 青山敬幸AOYAMA, TAKAYUKI
    • H01L21/324H01J61/16
    • H01L21/67115H01L21/324H01L21/67248H01L22/10
    • 本發明提供一種不管基板之表面狀態如何均能以簡易之構成測定基板之表面溫度的熱處理方法及熱處理裝置。 自利用鹵素燈之預加熱階段至藉由閃光燈進行閃光照射時,利用放射溫度計測定半導體晶圓之背面之溫度,並求出於照射閃光時半導體晶圓之背面自預加熱溫度升溫之上升溫度△T。由於半導體晶圓之比熱為預設值,上升溫度△T與藉由閃光照射而賦予至半導體晶圓之表面之能量的大小成比例,故可根據閃光照射時之半導體晶圓之背面的上升溫度△T計算半導體晶圓之表面達到溫度。
    • 本发明提供一种不管基板之表面状态如何均能以简易之构成测定基板之表面温度的热处理方法及热处理设备。 自利用卤素灯之预加热阶段至借由闪光灯进行闪光照射时,利用放射温度计测定半导体晶圆之背面之温度,并求出于照射闪光时半导体晶圆之背面自预加热温度升温之上升温度△T。由于半导体晶圆之比热为默认值,上升温度△T与借由闪光照射而赋予至半导体晶圆之表面之能量的大小成比例,故可根据闪光照射时之半导体晶圆之背面的上升温度△T计算半导体晶圆之表面达到温度。
    • 8. 发明专利
    • 熱處理方法及熱處理裝置
    • 热处理方法及热处理设备
    • TW201947665A
    • 2019-12-16
    • TW108136572
    • 2016-07-07
    • 日商思可林集團股份有限公司SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
    • 青山敬幸AOYAMA, TAKAYUKI
    • H01L21/324H01J61/16
    • 本發明提供一種不管基板之表面狀態如何均能以簡易之構成測定基板之表面溫度的熱處理方法及熱處理裝置。 自利用鹵素燈之預加熱階段至藉由閃光燈進行閃光照射時,利用放射溫度計測定半導體晶圓之背面之溫度,並求出於照射閃光時半導體晶圓之背面自預加熱溫度升溫之上升溫度ΔT。由於半導體晶圓之比熱為預設值,上升溫度ΔT與藉由閃光照射而賦予至半導體晶圓之表面之能量的大小成比例,故可根據閃光照射時之半導體晶圓之背面的上升溫度ΔT計算半導體晶圓之表面達到溫度。
    • 本发明提供一种不管基板之表面状态如何均能以简易之构成测定基板之表面温度的热处理方法及热处理设备。 自利用卤素灯之预加热阶段至借由闪光灯进行闪光照射时,利用放射温度计测定半导体晶圆之背面之温度,并求出于照射闪光时半导体晶圆之背面自预加热温度升温之上升温度ΔT。由于半导体晶圆之比热为默认值,上升温度ΔT与借由闪光照射而赋予至半导体晶圆之表面之能量的大小成比例,故可根据闪光照射时之半导体晶圆之背面的上升温度ΔT计算半导体晶圆之表面达到温度。
    • 10. 发明专利
    • 摻雜物導入方法及熱處裡方法
    • 掺杂物导入方法及热处里方法
    • TW201834028A
    • 2018-09-16
    • TW106136479
    • 2017-10-24
    • 日商斯庫林集團股份有限公司SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
    • 谷村英昭TANIMURA, HIDEAKI青山敬幸AOYAMA, TAKAYUKI布施和彦FUSE, KAZUHIKO山田隆泰YAMADA, TAKAHIRO
    • H01L21/225H01L21/26
    • 本發明提供一種可高效率地使摻雜物擴散於半導體基板中之摻雜物導入方法及熱處理方法。 於半導體晶圓之表面成膜作為包含磷作為摻雜物之二氧化矽之薄膜之PSG膜。於包含氫之氛圍中藉由源自鹵素燈之光照射使成膜有PSG膜之半導體晶圓於加熱溫度T1維持1秒以上而使摻雜物自PSG膜擴散至半導體晶圓之表面。進而,以未達1秒之照射時間自閃光燈向該半導體晶圓照射閃光將半導體晶圓之表面加熱至目標溫度T2而使摻雜物活化。若於包含氫之氛圍中PSG膜升溫,則PSG膜所含之摻雜物之擴散係數變高,故而可使摻雜物高效率地自PSG膜擴散至半導體晶圓並活化。
    • 本发明提供一种可高效率地使掺杂物扩散于半导体基板中之掺杂物导入方法及热处理方法。 于半导体晶圆之表面成膜作为包含磷作为掺杂物之二氧化硅之薄膜之PSG膜。于包含氢之氛围中借由源自卤素灯之光照射使成膜有PSG膜之半导体晶圆于加热温度T1维持1秒以上而使掺杂物自PSG膜扩散至半导体晶圆之表面。进而,以未达1秒之照射时间自闪光灯向该半导体晶圆照射闪光将半导体晶圆之表面加热至目标温度T2而使掺杂物活化。若于包含氢之氛围中PSG膜升温,则PSG膜所含之掺杂物之扩散系数变高,故而可使掺杂物高效率地自PSG膜扩散至半导体晶圆并活化。