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1. 发明专利

TW201417336A 三族氮化物量子井結構、其製造方法及具有三族氮化物量子井結構的發光體审中-公开
简体标题：三族氮化物量子井结构、其制造方法及具有三族氮化物量子井结构的发光体
公开(公告)号：TW201417336A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101138778
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L27/156 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/42
摘要：本發明揭示一種三族氮化物量子井結構，係包含：一氮化鎵基體，具有一氮化鎵緩衝層、一氮化鎵角柱及一氮化鎵角錐，該氮化鎵角柱係由該氮化鎵緩衝層沿一軸向延伸，該氮化鎵角錐係由該氮化鎵角柱沿該軸向漸擴形成一設置面；一氮化銦鎵層，其二相對表面形成一第一結合面及一第二結合面，該第一結合面結合該氮化鎵基體之設置面；及一氮化鎵覆蓋層，其二相對表面形成一第一接合面及一第二接合面，該第一接合面接合該氮化銦鎵層之第二結合面。本發明另揭示該三族氮化物量子井結構的製造方法及具有該三族氮化物量子井結構的發光體。
简体摘要：本发明揭示一种三族氮化物量子井结构，系包含：一氮化镓基体，具有一氮化镓缓冲层、一氮化镓角柱及一氮化镓角锥，该氮化镓角柱系由该氮化镓缓冲层沿一轴向延伸，该氮化镓角锥系由该氮化镓角柱沿该轴向渐扩形成一设置面；一氮化铟镓层，其二相对表面形成一第一结合面及一第二结合面，该第一结合面结合该氮化镓基体之设置面；及一氮化镓覆盖层，其二相对表面形成一第一接合面及一第二接合面，该第一接合面接合该氮化铟镓层之第二结合面。本发明另揭示该三族氮化物量子井结构的制造方法及具有该三族氮化物量子井结构的发光体。

2. 发明专利

TWI540752B 具有三族氮化物量子井結構的發光體有权
简体标题：具有三族氮化物量子井结构的发光体
公开(公告)号：TWI540752B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103133789
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04

3. 发明专利

TWI416762B 同質異相量子井有权
简体标题：同质异相量子井
公开(公告)号：TWI416762B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099128136
申请日：2010-08-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 謝佳和 , HSIEH, CHIA HO , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/16 , H01S5/34
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02609 , H01L33/0066 , H01L33/16

4. 发明专利

TW200722376A 鋁酸鋰晶體之拋光方法审中-公开
简体标题：铝酸锂晶体之抛光方法
公开(公告)号：TW200722376A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW094142689
申请日：2005-12-02
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY , 中美矽晶製品股份有限公司
发明人：周明奇 , 黃信介
IPC分类号： C01D
摘要：一種鋁酸鋰晶體之拋光方法,可藉由不同粗細度之砂紙、不同顆粒之氧化鋁粉末(Al2O3)分別與去離子水混合、及二氧化矽(SiO2)懸浮液體,分別於鋁酸鋰晶體(LiAlO2)之表面進行拋光,並在室溫條件下浸泡於各種不同酸,例如:鹽酸(HCl)、硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4)、醋酸(HCOOH)及氫氟酸(HF)溶液中,蝕刻拋光鋁酸鋰晶體之表面,藉以達到去除鋁酸鋰晶體表面薄膜、刮痕及得到低於1.0 nm均方根(rms)以下之表面平均粗糙度。
简体摘要：一种铝酸锂晶体之抛光方法,可借由不同粗细度之砂纸、不同颗粒之氧化铝粉末(Al2O3)分别与去离子水混合、及二氧化硅(SiO2)悬浮液体,分别于铝酸锂晶体(LiAlO2)之表面进行抛光,并在室温条件下浸泡于各种不同酸,例如:盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4)、醋酸(HCOOH)及氢氟酸(HF)溶液中,蚀刻抛光铝酸锂晶体之表面,借以达到去除铝酸锂晶体表面薄膜、刮痕及得到低于1.0 nm均方根(rms)以下之表面平均粗糙度。

5. 实用新型

TWM265757U 氧化物晶圓的長晶裝置失效
简体标题：氧化物晶圆的长晶设备
公开(公告)号：TWM265757U
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW093214410
申请日：2004-09-10
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY , 中美矽晶製品股份有限公司
发明人：周明奇 , 徐文慶
IPC分类号： H01L
摘要：本創作係一種氧化物晶圓的長晶裝置，其包括：一第一腔體係為氧化鋁管，而內壁係設置有氧化鋯毯；一設置於第一腔體內之第二腔體，係以多數氧化鋯磚繞設為一環體，並將各環體加以堆疊至適當而成，而該各相鄰之氧化鋯磚之間係具有間隙；多數設置於第一、二腔體間之氧化鋯空心球；一設置於第二腔體內之坩堝，其底部係設置有氧化鋯板，並於氧化鋯板下方設置有多數氧化鋯空心球；一繞設於第一腔體外部之感應式加熱線圈。藉此，可使該氧化物於長晶時提供穩定之製程與溫度，且可達到降低製造成本之功效。
简体摘要：本创作系一种氧化物晶圆的长晶设备，其包括：一第一腔体系为氧化铝管，而内壁系设置有氧化锆毯；一设置于第一腔体内之第二腔体，系以多数氧化锆砖绕设为一环体，并将各环体加以堆栈至适当而成，而该各相邻之氧化锆砖之间系具有间隙；多数设置于第一、二腔体间之氧化锆空心球；一设置于第二腔体内之坩埚，其底部系设置有氧化锆板，并于氧化锆板下方设置有多数氧化锆空心球；一绕设于第一腔体外部之感应式加热线圈。借此，可使该氧化物于长晶时提供稳定之制程与温度，且可达到降低制造成本之功效。

6. 发明专利

TWI609106B 雙摻雜閃爍晶體製作方法有权
简体标题：双掺杂闪烁晶体制作方法
公开(公告)号：TWI609106B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW104132027
申请日：2015-09-25
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：周明奇
IPC分类号： C30B29/34 , C30B15/00 , C30B33/02
CPC分类号： C30B33/02 , C30B15/04 , C30B29/34 , G01T1/2023

7. 发明专利

TW201507196A 具有三族氮化物量子井結構的發光體审中-公开
简体标题：具有三族氮化物量子井结构的发光体
公开(公告)号：TW201507196A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103133789
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04
摘要：本發明揭示一種具有三族氮化物量子井結構的發光體，係用以改善發光效率，該發光體包含：一本體；及數個發光單元，係共平面設置於該本體，且該數個發光單元相互聚集；其中，各發光單元設有一氮化鎵基體、一氮化銦鎵層、一氮化鎵覆蓋層及一導電層，該氮化鎵基體含有沿一軸向漸擴形成之錐體，該氮化鎵基體、該氮化銦鎵層與該氮化鎵覆蓋層依序疊設，且共同埋設於該本體，該導電層設置於該氮化鎵覆蓋層。藉此，可確實解決上述問題。
简体摘要：本发明揭示一种具有三族氮化物量子井结构的发光体，系用以改善发光效率，该发光体包含：一本体；及数个发光单元，系共平面设置于该本体，且该数个发光单元相互聚集；其中，各发光单元设有一氮化镓基体、一氮化铟镓层、一氮化镓覆盖层及一导电层，该氮化镓基体含有沿一轴向渐扩形成之锥体，该氮化镓基体、该氮化铟镓层与该氮化镓覆盖层依序叠设，且共同埋设于该本体，该导电层设置于该氮化镓覆盖层。借此，可确实解决上述问题。

8. 发明专利

TWI398558B 氮化鎵立體磊晶結構及其製作方法有权
简体标题：氮化镓三維磊晶结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI398558B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098107912
申请日：2009-03-11
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 謝佳和 , HSIEH, CHIA HO , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/02 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B29/406 , C30B29/60 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , Y10T117/1016 , Y10T117/102

9. 发明专利

TWI266748B 鋁酸鋰晶體之拋光方法有权
简体标题：铝酸锂晶体之抛光方法
公开(公告)号：TWI266748B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW094142689
申请日：2005-12-02
申请人：國立中山大學 NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY , 中美矽晶製品股份有限公司
发明人：周明奇 , 徐文慶 , 李奇澤 , 黃信介
IPC分类号： C01D , B24B
摘要：一種鋁酸鋰晶體之拋光方法，可藉由不同粗細度之砂紙、不同顆粒之氧化鋁粉末(Al2O3)分別與去離子水混合、及二氧化矽(SiO2)懸浮液體，分別於鋁酸鋰晶體(LiAlO2)之表面進行拋光，並在室溫條件下浸泡於各種不同酸，例如：鹽酸(HCl)、硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4)、醋酸(HCOOH)及氫氟酸(HF)溶液中，蝕刻拋光鋁酸鋰晶體之表面，藉以達到去除鋁酸鋰晶體表面薄膜、刮痕及得到低於1.0 nm均方根(rms)以下之表面平均粗糙度。
简体摘要：一种铝酸锂晶体之抛光方法，可借由不同粗细度之砂纸、不同颗粒之氧化铝粉末(Al2O3)分别与去离子水混合、及二氧化硅(SiO2)悬浮液体，分别于铝酸锂晶体(LiAlO2)之表面进行抛光，并在室温条件下浸泡于各种不同酸，例如：盐酸(HCl)、硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4)、醋酸(HCOOH)及氢氟酸(HF)溶液中，蚀刻抛光铝酸锂晶体之表面，借以达到去除铝酸锂晶体表面薄膜、刮痕及得到低于1.0 nm均方根(rms)以下之表面平均粗糙度。

10. 发明专利

TWI682053B 氮化銦鎵／氮化鎵量子井倒角錐的製造方法有权
简体标题：氮化铟镓／氮化镓量子井倒角锥的制造方法
公开(公告)号：TWI682053B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107146512
申请日：2018-12-21
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 蔡承達 , TSAI, CHEAG DA , 王映傑 , WANG, YING CHIEH , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32

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