专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI482311B 三族氮化物量子井結構及其製造方法有权
简体标题：三族氮化物量子井结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI482311B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101138778
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L27/156 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/42

2. 发明专利

TWI540752B 具有三族氮化物量子井結構的發光體有权
简体标题：具有三族氮化物量子井结构的发光体
公开(公告)号：TWI540752B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103133789
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04

3. 发明专利

TW201543711A 發光元件之磊晶結構审中-公开
简体标题：发光组件之磊晶结构
公开(公告)号：TW201543711A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103116856
申请日：2014-05-13
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325
摘要：本發明揭示一種發光元件之磊晶結構，用於解決白光發光元件的製造問題，該發光元件之磊晶結構包含：一氮化鎵基體，具有一氮化鎵緩衝層、一氮化鎵角柱及一氮化鎵角錐，該氮化鎵角柱由該氮化鎵緩衝層沿一軸向延伸，該氮化鎵角錐由該氮化鎵角柱沿該軸向漸擴形成一截頭六角錐體；一N型氮化鎵層，設置於該氮化鎵基體之氮化鎵角錐；一量子井單體，具有一氮化銦鎵層及一氮化鎵層，該氮化銦鎵層設置於該N型氮化鎵層，該氮化鎵層設置於該氮化銦鎵層；及一P型氮化鎵層，設置於該量子井單體之氮化鎵層。藉此，得以確實解決上述問題。
简体摘要：本发明揭示一种发光组件之磊晶结构，用于解决白光发光组件的制造问题，该发光组件之磊晶结构包含：一氮化镓基体，具有一氮化镓缓冲层、一氮化镓角柱及一氮化镓角锥，该氮化镓角柱由该氮化镓缓冲层沿一轴向延伸，该氮化镓角锥由该氮化镓角柱沿该轴向渐扩形成一截头六角锥体；一N型氮化镓层，设置于该氮化镓基体之氮化镓角锥；一量子井单体，具有一氮化铟镓层及一氮化镓层，该氮化铟镓层设置于该N型氮化镓层，该氮化镓层设置于该氮化铟镓层；及一P型氮化镓层，设置于该量子井单体之氮化镓层。借此，得以确实解决上述问题。

4. 发明专利

TWI456094B 閃鋅礦結構三族氮化物之製造方法及具有閃鋅礦結構三族氮化物之磊晶結構有权
简体标题：闪锌矿结构三族氮化物之制造方法及具有闪锌矿结构三族氮化物之磊晶结构
公开(公告)号：TWI456094B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101136739
申请日：2012-10-04
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI
IPC分类号： C30B29/40 , C30B23/02 , H01L33/32

5. 发明专利

TWI416762B 同質異相量子井有权
简体标题：同质异相量子井
公开(公告)号：TWI416762B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099128136
申请日：2010-08-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 謝佳和 , HSIEH, CHIA HO , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/16 , H01S5/34
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02609 , H01L33/0066 , H01L33/16

6. 发明专利

TWI533467B 發光元件之磊晶結構有权
简体标题：发光组件之磊晶结构
公开(公告)号：TWI533467B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW103116856
申请日：2014-05-13
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325

7. 发明专利

TW201417336A 三族氮化物量子井結構、其製造方法及具有三族氮化物量子井結構的發光體审中-公开
简体标题：三族氮化物量子井结构、其制造方法及具有三族氮化物量子井结构的发光体
公开(公告)号：TW201417336A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW101138778
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L27/156 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/42
摘要：本發明揭示一種三族氮化物量子井結構，係包含：一氮化鎵基體，具有一氮化鎵緩衝層、一氮化鎵角柱及一氮化鎵角錐，該氮化鎵角柱係由該氮化鎵緩衝層沿一軸向延伸，該氮化鎵角錐係由該氮化鎵角柱沿該軸向漸擴形成一設置面；一氮化銦鎵層，其二相對表面形成一第一結合面及一第二結合面，該第一結合面結合該氮化鎵基體之設置面；及一氮化鎵覆蓋層，其二相對表面形成一第一接合面及一第二接合面，該第一接合面接合該氮化銦鎵層之第二結合面。本發明另揭示該三族氮化物量子井結構的製造方法及具有該三族氮化物量子井結構的發光體。
简体摘要：本发明揭示一种三族氮化物量子井结构，系包含：一氮化镓基体，具有一氮化镓缓冲层、一氮化镓角柱及一氮化镓角锥，该氮化镓角柱系由该氮化镓缓冲层沿一轴向延伸，该氮化镓角锥系由该氮化镓角柱沿该轴向渐扩形成一设置面；一氮化铟镓层，其二相对表面形成一第一结合面及一第二结合面，该第一结合面结合该氮化镓基体之设置面；及一氮化镓覆盖层，其二相对表面形成一第一接合面及一第二接合面，该第一接合面接合该氮化铟镓层之第二结合面。本发明另揭示该三族氮化物量子井结构的制造方法及具有该三族氮化物量子井结构的发光体。

8. 发明专利

TW201507196A 具有三族氮化物量子井結構的發光體审中-公开
简体标题：具有三族氮化物量子井结构的发光体
公开(公告)号：TW201507196A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103133789
申请日：2012-10-19
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： H01L33/04
摘要：本發明揭示一種具有三族氮化物量子井結構的發光體，係用以改善發光效率，該發光體包含：一本體；及數個發光單元，係共平面設置於該本體，且該數個發光單元相互聚集；其中，各發光單元設有一氮化鎵基體、一氮化銦鎵層、一氮化鎵覆蓋層及一導電層，該氮化鎵基體含有沿一軸向漸擴形成之錐體，該氮化鎵基體、該氮化銦鎵層與該氮化鎵覆蓋層依序疊設，且共同埋設於該本體，該導電層設置於該氮化鎵覆蓋層。藉此，可確實解決上述問題。
简体摘要：本发明揭示一种具有三族氮化物量子井结构的发光体，系用以改善发光效率，该发光体包含：一本体；及数个发光单元，系共平面设置于该本体，且该数个发光单元相互聚集；其中，各发光单元设有一氮化镓基体、一氮化铟镓层、一氮化镓覆盖层及一导电层，该氮化镓基体含有沿一轴向渐扩形成之锥体，该氮化镓基体、该氮化铟镓层与该氮化镓覆盖层依序叠设，且共同埋设于该本体，该导电层设置于该氮化镓覆盖层。借此，可确实解决上述问题。

9. 发明专利

TW201414888A 閃鋅礦結構三族氮化物之製造方法及具有閃鋅礦結構三族氮化物之磊晶結構审中-公开
简体标题：闪锌矿结构三族氮化物之制造方法及具有闪锌矿结构三族氮化物之磊晶结构
公开(公告)号：TW201414888A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101136739
申请日：2012-10-04
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 施政宏 , SHIH, CHENG HUNG , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI
IPC分类号： C30B29/40 , C30B23/02 , H01L33/32
摘要：一種閃鋅礦結構三族氮化物之製造方法，其步驟係包含：備妥一γ相三氧化二鎵基材；及控制製程溫度小於420度，且周圍環境中三族元素與氮之比值小於2.0，使一閃鋅礦結構三族氮化物層磊晶成長於該γ相三氧化二鎵基材。另，一種具有閃鋅礦結構三族氮化物之磊晶結構，包含：一γ相三氧化二鎵基材，具有一成長表面；及一閃鋅礦結構三族氮化物層，係設於該γ相三氧化二鎵基材之成長表面。
简体摘要：一种闪锌矿结构三族氮化物之制造方法，其步骤系包含：备妥一γ相三氧化二镓基材；及控制制程温度小于420度，且周围环境中三族元素与氮之比值小于2.0，使一闪锌矿结构三族氮化物层磊晶成长于该γ相三氧化二镓基材。另，一种具有闪锌矿结构三族氮化物之磊晶结构，包含：一γ相三氧化二镓基材，具有一成长表面；及一闪锌矿结构三族氮化物层，系设于该γ相三氧化二镓基材之成长表面。

10. 发明专利

TWI398558B 氮化鎵立體磊晶結構及其製作方法有权
简体标题：氮化镓三維磊晶结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI398558B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW098107912
申请日：2009-03-11
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：羅奕凱 , LO, I KAI , 謝佳和 , HSIEH, CHIA HO , 徐鈺淇 , HSU, YU CHI , 龐文淵 , PANG, WEN YUAN , 周明奇 , CHOU, MING CHI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/02 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B29/406 , C30B29/60 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , Y10T117/1016 , Y10T117/102

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式