专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI609106B 雙摻雜閃爍晶體製作方法有权
简体标题：双掺杂闪烁晶体制作方法
公开(公告)号：TWI609106B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW104132027
申请日：2015-09-25
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：周明奇
IPC分类号： C30B29/34 , C30B15/00 , C30B33/02
CPC分类号： C30B33/02 , C30B15/04 , C30B29/34 , G01T1/2023

2. 发明专利

TW201712170A 雙摻雜閃爍晶體製作方法审中-公开
简体标题：双掺杂闪烁晶体制作方法
公开(公告)号：TW201712170A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104132027
申请日：2015-09-25
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：周明奇
IPC分类号： C30B29/34 , C30B15/00 , C30B33/02
CPC分类号： C30B33/02 , C30B15/04 , C30B29/34 , G01T1/2023
摘要：一種雙摻雜閃爍晶體製作方法，係利用柴式提拉法(Czochralski,Cz)生長一雙摻雜鈰與一鈣或一鎂元素稀土矽酸鹽單晶棒，利用摻雜鈣或鎂元素產生電荷補償效應(Charge Compensation)，使其中之鈣或鎂與鈰正四價(Ce+4)發生電荷補償，以產生鈰正三價(Ce+3)，形成一鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或一鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒，再將其放置於一高溫設備中進行熱退火(thermal annealing)處理，將該鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或該鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒從室溫加熱至1400~1600℃之間後持溫一反應時間，之後進行降溫步驟。藉此，本發明在大氣下進行熱退火處理，利用熱退火可大量減少晶體在加工時所產生之碎裂，並能提高晶體切磨拋之後，像素(pixel)樣品之良率，具有製程成本低、良率高、晶體碎裂少、放光強度高及衰減時間(decaying time)短等優點。
简体摘要：一种双掺杂闪烁晶体制作方法，系利用柴式提拉法(Czochralski,Cz)生长一双掺杂铈与一钙或一镁元素稀土硅酸盐单晶棒，利用掺杂钙或镁元素产生电荷补偿效应(Charge Compensation)，使其中之钙或镁与铈正四价(Ce+4)发生电荷补偿，以产生铈正三价(Ce+3)，形成一钙铈双掺稀土硅酸盐单晶棒或一镁铈双掺稀土硅酸盐单晶棒，再将其放置于一高温设备中进行热退火(thermal annealing)处理，将该钙铈双掺稀土硅酸盐单晶棒或该镁铈双掺稀土硅酸盐单晶棒从室温加热至1400~1600℃之间后持温一反应时间，之后进行降温步骤。借此，本发明在大气下进行热退火处理，利用热退火可大量减少晶体在加工时所产生之碎裂，并能提高晶体切磨抛之后，像素(pixel)样品之良率，具有制程成本低、良率高、晶体碎裂少、放光强度高及衰减时间(decaying time)短等优点。

3. 发明专利

TWI443235B ＳｉＣ單晶之製造方法及製造裝置有权
简体标题：ＳｉＣ单晶之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TWI443235B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100127014
申请日：2011-07-29
申请人：豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA , 新日鐵住金股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION
发明人：大黑寬典 , DAIKOKU, HIRONORI , 龜井一人 , KAMEI, KAZUHITO
IPC分类号： C30B29/34 , H01L31/0312 , H01L21/67
CPC分类号： C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032

4. 发明专利

TW201346024A 清潔劑及碳化矽單晶基板之製造方法审中-公开
简体标题：清洁剂及碳化硅单晶基板之制造方法
公开(公告)号：TW201346024A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101146727
申请日：2012-12-11
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：吉田伊織 , YOSHIDA, IORI , 宮谷克明 , MIYATANI, KATSUAKI
IPC分类号： C11D7/26 , H01L21/304 , H01L31/0312 , C30B29/34
CPC分类号： H01L21/30625 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C11D7/267 , C11D11/0047 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , H01L29/1608
摘要：本發明提供一種清潔劑，其對利用含有錳化合物之研磨劑進行研磨後之碳化矽單晶基板利用安全且簡便之方法有效清潔殘留、附著於基板表面上之錳成分。本發明係關於一種清潔劑，其係用以清潔藉由含有錳化合物之研磨劑而研磨之碳化矽單晶基板者，並且其含有抗壞血酸與異抗壞血酸中之至少一者，且pH值為6以下。
简体摘要：本发明提供一种清洁剂，其对利用含有锰化合物之研磨剂进行研磨后之碳化硅单晶基板利用安全且简便之方法有效清洁残留、附着于基板表面上之锰成分。本发明系关于一种清洁剂，其系用以清洁借由含有锰化合物之研磨剂而研磨之碳化硅单晶基板者，并且其含有抗坏血酸与异抗坏血酸中之至少一者，且pH值为6以下。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式