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1. 发明专利

TW343358B 製程中檢驗工作件之方法和裝置失效
简体标题：制程中检验工作件之方法和设备
公开(公告)号：TW343358B
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：TW086109935
申请日：1997-07-15
申请人：史必發艾比克公司
发明人：艾倫 , 霍勒費爾 , 巴泰斯 , 林衛倫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/0053 , B24B37/04 , B24B49/04 , B24B49/12 , G05B19/401 , G05B19/402 , G05B2219/23231 , G05B2219/36372 , G05B2219/37002 , G05B2219/37117 , G05B2219/37125 , G05B2219/37266 , G05B2219/37283 , G05B2219/37286 , G05B2219/37573 , G05B2219/45232
摘要：用於化學機械磨平(CMP)系統之裝置，包含光源，發生詢問信號，並將詢問信號導向拋光墊，其構造在"於CMP製程中處理工作件。因應詢問信號產生的反射信號，由檢波器所接收，而反射信號的光學特性即經處理和分析，以確定在拋光墊的面積內、是否有異物存在。裝置可採用另類光源和處理技術，以便聯合具有不同物理特性的各種拋光墊有利操作。
简体摘要：用于化学机械磨平(CMP)系统之设备，包含光源，发生询问信号，并将询问信号导向抛光垫，其构造在"于CMP制程中处理工作件。因应询问信号产生的反射信号，由检波器所接收，而反射信号的光学特性即经处理和分析，以确定在抛光垫的面积内、是否有异物存在。设备可采用另类光源和处理技术，以便联合具有不同物理特性的各种抛光垫有利操作。

2. 发明专利

TW486770B 半導體晶圓處理機器之分配控制系統有权
简体标题：半导体晶圆处理机器之分配控制系统
公开(公告)号：TW486770B
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：TW088109173
申请日：1999-06-03
申请人：史必發艾比克公司
发明人：艾倫 , 喬爾敦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B19/414 , Y02P90/18 , Y02P90/20
摘要：一種半導體晶圓處理機器之分配控制系統，含有主控制模組和複數應用控制模組。各應用控制模組和主控制模組可獨立自主操作。主控制模組調整應用控制模組的操作，而應用控制模組管制由晶圓處理機器進行的許多副程序。副程序是由各處理方略管制，由主控制模組經由網路鏈結構卸載於應用控制模組。
简体摘要：一种半导体晶圆处理机器之分配控制系统，含有主控制模块和复数应用控制模块。各应用控制模块和主控制模块可独立自主操作。主控制模块调整应用控制模块的操作，而应用控制模块管制由晶圆处理机器进行的许多副进程。副进程是由各处理方略管制，由主控制模块经由网络链结构卸载于应用控制模块。

3. 发明专利

TW386276B 製程中檢測膜層之方法和裝置失效
简体标题：制程中检测膜层之方法和设备
公开(公告)号：TW386276B
公开(公告)日：2000-04-01
申请号：TW086110571
申请日：1997-07-25
申请人：史必發艾比克公司
发明人：霍勒費爾 , 艾倫 , 林衛倫 , 舒如特 , 卡爾斯魯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01B11/0625 , B24B37/013 , B24B49/00 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：本發明提供方法和裝置，可在製程中、原位、實質上即時測量工作件，例如半導體晶圓表面層的實際厚度。設在CMP上拋光墊外周附近的探針，在晶圓一部份延伸超拋光墊外周時，可與晶圓表面達成光接觸。可裝設噴嘴，對檢驗中的碟面施以壓縮空氣流，以便從檢驗中的工作件局部區域除去過量漿液。採用寬帶光源，聯合光纖電纜，導光至晶圓表面。採用分叉探針，使施加於工作件表面的光反射，回到被連接至光纖電纜的相對應光感測器所截取。被接收感測器和光纖電纜總成所接收的截取反射光，施加於光譜計上，將反射光加以分析。光譜計的輸出信號傳送到處理器，後者含有智慧型演算機構，其構造在於計算表面層的厚度。另外，半導體層的反射特性會影反射信號的性能;可檢測反射信號內的改變，表示金屬層何時已從氧化物層除去。
简体摘要：本发明提供方法和设备，可在制程中、原位、实质上实时测量工作件，例如半导体晶圆表面层的实际厚度。设在CMP上抛光垫外周附近的探针，在晶圆一部份延伸超抛光垫外周时，可与晶圆表面达成光接触。可装设喷嘴，对检验中的碟面施以压缩空气流，以便从检验中的工作件局部区域除去过量浆液。采用宽带光源，联合光纤电缆，导光至晶圆表面。采用分叉探针，使施加于工作件表面的光反射，回到被连接至光纤电缆的相对应光传感器所截取。被接收传感器和光纤电缆总成所接收的截取反射光，施加于光谱计上，将反射光加以分析。光谱计的输出信号发送到处理器，后者含有智能型演算机构，其构造在于计算表面层的厚度。另外，半导体层的反射特性会影反射信号的性能;可检测反射信号内的改变，表示金属层何时已从氧化物层除去。

4. 发明专利

TW434658B 在潮溼環境中於晶圓清洗器上之自動晶圓測描之裝置和方法有权
简体标题：在潮湿环境中于晶圆清洗器上之自动晶圆测描之设备和方法
公开(公告)号：TW434658B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW088120283
申请日：1999-11-19
申请人：史必發艾比克公司
发明人：米特茲 , 艾倫 , 喬爾敦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67265 , H01L21/681
摘要：一種晶圓描圖方法和裝置，可供自動決定工件在工件處理工具內之位置和導向。設有照明元件，把光指向工件邊緣，並利用目視域系統接受和處力由光在工件邊緣反射所得影像。
简体摘要：一种晶圆描图方法和设备，可供自动决定工件在工件处理工具内之位置和导向。设有照明组件，把光指向工件边缘，并利用目视域系统接受和处力由光在工件边缘反射所得影像。

5. 发明专利

TW432446B 化學機械磨平和晶圓清理共用裝置及相關方法失效
简体标题：化学机械磨平和晶圆清理共享设备及相关方法
公开(公告)号：TW432446B
公开(公告)日：2001-05-01
申请号：TW087115107
申请日：1998-09-11
申请人：史必發艾比克公司
发明人：喬納雷馬丁 , 卡爾斯魯 , 艾倫 , 喬爾敦 , 霍維德 , 哈梅爾 , 康納恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B24B37/04 , B24B41/005
摘要：一種半導體晶圓等工作件拋光、清理、淋洗、乾燥之整合機械。裝料/卸料站具有複數平台，以承受要加工處理的晶圓卡匣。機器人的乾端效應器從卡匣取出晶圓，並傳送到分度。具有晶圓架元件的傳送裝置從分度檢拾晶圓，把晶圓移動至拋光以供拋光，並把晶圓回送到分度供進一步加工。搬料器把拋光晶圓移至清理站，清理站包含清洗站、淋洗站和旋乾站，以及晶圓軌道的連接系統。機器人的濕端效應器把淋洗過晶圓移到旋乾站。機器人的乾端效應器把乾晶圓從旋乾站運回到原始卡匣。
简体摘要：一种半导体晶圆等工作件抛光、清理、淋洗、干燥之集成机械。装料/卸料站具有复数平台，以承受要加工处理的晶圆卡匣。机器人的干端效应器从卡匣取出晶圆，并发送到分度。具有晶圆架组件的发送设备从分度检十晶圆，把晶圆移动至抛光以供抛光，并把晶圆回送到分度供进一步加工。搬料器把抛光晶圆移至清理站，清理站包含清洗站、淋洗站和旋干站，以及晶圆轨道的连接系统。机器人的湿端效应器把淋洗过晶圆移到旋干站。机器人的干端效应器把干晶圆从旋干站运回到原始卡匣。

6. 发明专利

TW399307B 具備持有複數碟狀工作件而包含傾斜機構之卡匣的碟狀工作件處理方法和裝置失效
简体标题：具备持有复数碟状工作件而包含倾斜机构之卡匣的碟状工作件处理方法和设备
公开(公告)号：TW399307B
公开(公告)日：2000-07-21
申请号：TW087108689
申请日：1998-06-03
申请人：史必發艾比克公司
发明人：艾倫 , 傑爾敦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67781 , H01L21/67775 , Y10S414/135 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/138 , Y10S414/14
摘要：定期性將卡匣傾斜用之傾斜機構，其造型在於保持複數晶圓或工作件，使晶圓或工作件變成對卡匣的後部以重力加載。傾斜機構完全安裝在CMP的工作或其他處理機的上方，並包括罩，容納具有螺旋凹溝的圓形凸輪。傾斜臂桿樞裝於罩，在鄰接凸輪的下端和固定在支持保存複數工作件的卡匣之平台的上端間垂直延伸。凸輪從動件附設在臂桿下端，突入凹溝內。凸輪轉動遂行傾斜臂桿樞動，從而進行支持平台和卡匣傾斜。
简体摘要：定期性将卡匣倾斜用之倾斜机构，其造型在于保持复数晶圆或工作件，使晶圆或工作件变成对卡匣的后部以重力加载。倾斜机构完全安装在CMP的工作或其他处理机的上方，并包括罩，容纳具有螺旋凹沟的圆形凸轮。倾斜臂杆枢装于罩，在邻接凸轮的下端和固定在支持保存复数工作件的卡匣之平台的上端间垂直延伸。凸轮从动件附设在臂杆下端，突入凹沟内。凸轮转动遂行倾斜臂杆枢动，从而进行支持平台和卡匣倾斜。

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