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1. 发明专利

TWI701790B 晶片封裝結構與其形成方法有权
简体标题：芯片封装结构与其形成方法
公开(公告)号：TWI701790B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106109694
申请日：2017-03-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/522

2. 发明专利

TW201822330A 晶片封裝結構审中-公开
简体标题：芯片封装结构
公开(公告)号：TW201822330A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106109694
申请日：2017-03-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/522
摘要：提供晶片封裝結構。晶片封裝結構包含再佈線基板。晶片封裝結構包含第一晶片結構，其位於再佈線基板上。晶片封裝結構包含第一焊料凸塊，其配置於再佈線基板與第一晶片結構之間，並電性連接再佈線基板與第一晶片結構。晶片封裝結構包含第一成型層，其圍繞第一晶片結構。第一成型層與第一晶片結構以及再佈線基板之間隔有第一焊料凸塊，以定義間隙於第一成型層與第一晶片結構以及再佈線基板之間。晶片封裝結構包含第二晶片結構，其位於第一晶片結構上。晶片封裝結構包含第二成型層，其圍繞第二晶片結構。晶片封裝結構包含第三成型層，其圍繞第一成型層、第二成型層、與第一焊料凸塊，並填入間隙中。
简体摘要：提供芯片封装结构。芯片封装结构包含再布线基板。芯片封装结构包含第一芯片结构，其位于再布线基板上。芯片封装结构包含第一焊料凸块，其配置于再布线基板与第一芯片结构之间，并电性连接再布线基板与第一芯片结构。芯片封装结构包含第一成型层，其围绕第一芯片结构。第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间隔有第一焊料凸块，以定义间隙于第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间。芯片封装结构包含第二芯片结构，其位于第一芯片结构上。芯片封装结构包含第二成型层，其围绕第二芯片结构。芯片封装结构包含第三成型层，其围绕第一成型层、第二成型层、与第一焊料凸块，并填入间隙中。

3. 发明专利

TW201813017A 晶片封裝結構审中-公开
简体标题：芯片封装结构
公开(公告)号：TW201813017A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106116075
申请日：2017-05-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24145 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/97 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06582 , H01L2225/06596 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/83
摘要：一種晶片封裝結構，晶片封裝結構包括：一第一晶片、一第二晶片及一第三晶片。第二晶片位於第一晶片與第三晶片之間。此晶片封裝結構包括一第一模塑層圍繞第一晶片。此晶片封裝結構包括一第二模塑層圍繞第二晶片。此晶片封裝結構包括一第三模塑層圍繞第三晶片、第一模塑層及第二模塑層。
简体摘要：一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片。第二芯片位于第一芯片与第三芯片之间。此芯片封装结构包括一第一模塑层围绕第一芯片。此芯片封装结构包括一第二模塑层围绕第二芯片。此芯片封装结构包括一第三模塑层围绕第三芯片、第一模塑层及第二模塑层。

5. 发明专利

TWI701773B 晶片封裝結構及其製造方法有权
简体标题：芯片封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI701773B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106116075
申请日：2017-05-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/28

7. 发明专利

TW201701440A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201701440A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104139226
申请日：2015-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49894 , H01L21/76841 , H01L21/7685 , H01L21/76852 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/5329 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2221/1073 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種封裝結構，包含晶粒、封裝材料、連通孔、第一介電層、導線結構、附著增進層、第二介電層和連接器。封裝材料形成於晶粒旁邊。連通孔形成於晶粒旁邊並貫穿封裝材料。第一介電層形成於晶粒、封裝材料和連通孔旁邊。導線結構包含位於第一介電層之上的焊墊。附著增進層覆蓋焊墊之上表面的第一部分、焊墊的側邊以及覆蓋第一介電層。連接器接觸焊墊之上表面的第二部分。焊墊之上表面的第二部分暴露於附著增進層。
简体摘要：一种封装结构，包含晶粒、封装材料、连通孔、第一介电层、导线结构、附着增进层、第二介电层和连接器。封装材料形成于晶粒旁边。连通孔形成于晶粒旁边并贯穿封装材料。第一介电层形成于晶粒、封装材料和连通孔旁边。导线结构包含位于第一介电层之上的焊垫。附着增进层覆盖焊垫之上表面的第一部分、焊垫的侧边以及覆盖第一介电层。连接器接触焊垫之上表面的第二部分。焊垫之上表面的第二部分暴露于附着增进层。

8. 发明专利

TW201701378A 元件封裝及其形成方法审中-公开
简体标题：组件封装及其形成方法
公开(公告)号：TW201701378A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104139735
申请日：2015-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 謝正賢 , HSIEH, CHENG HSIEN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/76885 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/02166 , H01L2224/02245 , H01L2224/02251 , H01L2224/02255 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/024 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03472 , H01L2224/03622 , H01L2224/03828 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05012 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05575 , H01L2224/11334 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/73267 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要：一種元件封裝包含晶粒、扇出重新分配層以及球下金屬層。扇出重新分配層位於晶粒上方。球下金屬層位於扇出重新分配層上方。球下金屬層包含導電墊部位與環繞導電墊部位的溝槽。元件封裝更包含連接器。設置於球下金屬層的導電墊部位上。扇出重新分配層將連接器與球下金屬層電性連接至晶粒。
简体摘要：一种组件封装包含晶粒、扇出重新分配层以及球下金属层。扇出重新分配层位于晶粒上方。球下金属层位于扇出重新分配层上方。球下金属层包含导电垫部位与环绕导电垫部位的沟槽。组件封装更包含连接器。设置于球下金属层的导电垫部位上。扇出重新分配层将连接器与球下金属层电性连接至晶粒。

10. 发明专利

TW201316471A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201316471A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101129469
申请日：2012-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN HUA , 張宏賓 , CHANG, HUNG PIN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 吳倉聚 , WU, TSANG JIUH , 邱文智 , CHIOU, WEN CHIH , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/492
CPC分类号： H01L23/293 , H01L23/3192 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/10126 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要：本發明揭示一種半導體裝置，包括一凸塊結構，位於一後鈍化護層內連（post-passivation interconnect,PPI）線上，且被一保護結構所圍繞。保護結構包括一高分子層及至少一介電層。介電層可形成於高分子層的上表面上、位於高分子層的下方、夾設於凸塊結構與高分子層之間、夾設於後鈍化護層內連線與高分子層之間、覆蓋該高分子層的外側壁或其組合。
简体摘要：本发明揭示一种半导体设备，包括一凸块结构，位于一后钝化护层内连（post-passivation interconnect,PPI）在线，且被一保护结构所围绕。保护结构包括一高分子层及至少一介电层。介电层可形成于高分子层的上表面上、位于高分子层的下方、夹设于凸块结构与高分子层之间、夹设于后钝化护层内连接与高分子层之间、覆盖该高分子层的外侧壁或其组合。

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