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    • 2. 发明专利
    • 晶片封裝結構
    • 芯片封装结构
    • TW201822330A
    • 2018-06-16
    • TW106109694
    • 2017-03-23
    • 台灣積體電路製造股份有限公司TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
    • 陳威宇CHEN, WEI YU黃立賢HUANG, LI HSIEN蘇安治SU, AN JHIH陳憲偉CHEN, HSIEN WEI
    • H01L23/522
    • 提供晶片封裝結構。晶片封裝結構包含再佈線基板。晶片封裝結構包含第一晶片結構,其位於再佈線基板上。晶片封裝結構包含第一焊料凸塊,其配置於再佈線基板與第一晶片結構之間,並電性連接再佈線基板與第一晶片結構。晶片封裝結構包含第一成型層,其圍繞第一晶片結構。第一成型層與第一晶片結構以及再佈線基板之間隔有第一焊料凸塊,以定義間隙於第一成型層與第一晶片結構以及再佈線基板之間。晶片封裝結構包含第二晶片結構,其位於第一晶片結構上。晶片封裝結構包含第二成型層,其圍繞第二晶片結構。晶片封裝結構包含第三成型層,其圍繞第一成型層、第二成型層、與第一焊料凸塊,並填入間隙中。
    • 提供芯片封装结构。芯片封装结构包含再布线基板。芯片封装结构包含第一芯片结构,其位于再布线基板上。芯片封装结构包含第一焊料凸块,其配置于再布线基板与第一芯片结构之间,并电性连接再布线基板与第一芯片结构。芯片封装结构包含第一成型层,其围绕第一芯片结构。第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间隔有第一焊料凸块,以定义间隙于第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间。芯片封装结构包含第二芯片结构,其位于第一芯片结构上。芯片封装结构包含第二成型层,其围绕第二芯片结构。芯片封装结构包含第三成型层,其围绕第一成型层、第二成型层、与第一焊料凸块,并填入间隙中。