专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI689998B 半導體封裝及其製造方法有权
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI689998B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107119359
申请日：2018-06-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI-YU , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 黃立賢 , HUANG, LI-HSIEN , 葉名世 , YEH, MING-SHIH
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L23/498

2. 发明专利

TW201828373A 半導體封裝結構的製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装结构的制造方法
公开(公告)号：TW201828373A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106108031
申请日：2017-03-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳集錫 , WU, CHI-HSI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 黃立賢 , HUANG, LI-HSIEN , 楊天中 , YANG, TIEN-CHUNG
IPC分类号： H01L21/56
摘要：一種半導體封裝結構的製造方法至少包括以下步驟。形成第一半導體裝置。第一半導體裝置包括頂表面及底表面。第一半導體裝置包括金屬層，且金屬層具有暴露出的第一表面。在第一半導體裝置的頂表面及側壁上形成電磁干擾（Electromagnetic Interference；EMI）膜，且電磁干擾膜與金屬層的暴露出的第一表面電性接觸。在電磁干擾膜上形成模塑化合物。
简体摘要：一种半导体封装结构的制造方法至少包括以下步骤。形成第一半导体设备。第一半导体设备包括顶表面及底表面。第一半导体设备包括金属层，且金属层具有暴露出的第一表面。在第一半导体设备的顶表面及侧壁上形成电磁干扰（Electromagnetic Interference；EMI）膜，且电磁干扰膜与金属层的暴露出的第一表面电性接触。在电磁干扰膜上形成模塑化合物。

3. 发明专利

TW201822330A 晶片封裝結構审中-公开
简体标题：芯片封装结构
公开(公告)号：TW201822330A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106109694
申请日：2017-03-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/522
摘要：提供晶片封裝結構。晶片封裝結構包含再佈線基板。晶片封裝結構包含第一晶片結構，其位於再佈線基板上。晶片封裝結構包含第一焊料凸塊，其配置於再佈線基板與第一晶片結構之間，並電性連接再佈線基板與第一晶片結構。晶片封裝結構包含第一成型層，其圍繞第一晶片結構。第一成型層與第一晶片結構以及再佈線基板之間隔有第一焊料凸塊，以定義間隙於第一成型層與第一晶片結構以及再佈線基板之間。晶片封裝結構包含第二晶片結構，其位於第一晶片結構上。晶片封裝結構包含第二成型層，其圍繞第二晶片結構。晶片封裝結構包含第三成型層，其圍繞第一成型層、第二成型層、與第一焊料凸塊，並填入間隙中。
简体摘要：提供芯片封装结构。芯片封装结构包含再布线基板。芯片封装结构包含第一芯片结构，其位于再布线基板上。芯片封装结构包含第一焊料凸块，其配置于再布线基板与第一芯片结构之间，并电性连接再布线基板与第一芯片结构。芯片封装结构包含第一成型层，其围绕第一芯片结构。第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间隔有第一焊料凸块，以定义间隙于第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间。芯片封装结构包含第二芯片结构，其位于第一芯片结构上。芯片封装结构包含第二成型层，其围绕第二芯片结构。芯片封装结构包含第三成型层，其围绕第一成型层、第二成型层、与第一焊料凸块，并填入间隙中。

4. 发明专利

TW201822329A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201822329A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106112737
申请日：2017-04-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/065 , H01L25/10
摘要：本發明實施例提供一種封裝結構，包括基板及形成於基板上的裝置晶粒。裝置晶粒有第一高度。封裝結構包括虛置晶粒，形成於基板上且鄰近裝置晶粒，其中虛置晶粒有第二高度。第二高度低於第一高度。封裝結構也包括封裝層，形成於裝置晶粒及虛置晶粒間。
简体摘要：本发明实施例提供一种封装结构，包括基板及形成于基板上的设备晶粒。设备晶粒有第一高度。封装结构包括虚置晶粒，形成于基板上且邻近设备晶粒，其中虚置晶粒有第二高度。第二高度低于第一高度。封装结构也包括封装层，形成于设备晶粒及虚置晶粒间。

5. 发明专利

TWI701790B 晶片封裝結構與其形成方法有权
简体标题：芯片封装结构与其形成方法
公开(公告)号：TWI701790B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106109694
申请日：2017-03-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/522

6. 发明专利

TW201804589A 封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201804589A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105137441
申请日：2016-11-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 曾華偉 , TSENG, HUA-WEI , 黃立賢 , HUANG, LI-HSIEN
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/12105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2224/83 , H01L2924/00012
摘要：一實施例為一種結構，包含：第一晶粒；模製化合物，至少側向地密封第一晶粒；第一重佈線結構，包含在第一晶粒及模製化合物上方延伸的金屬化圖案；第一導電連接件，包括耦接至第一重佈線結構的焊球及凸塊下金屬化物；以及積體被動元件，藉由微型凸塊接合接頭接合至第一重佈線結構中的第一金屬化圖案，積體被動元件鄰近第一導電連接件。
简体摘要：一实施例为一种结构，包含：第一晶粒；模制化合物，至少侧向地密封第一晶粒；第一重布线结构，包含在第一晶粒及模制化合物上方延伸的金属化图案；第一导电连接件，包括耦接至第一重布线结构的焊球及凸块下金属化物；以及积体被动组件，借由微型凸块接合接头接合至第一重布线结构中的第一金属化图案，积体被动组件邻近第一导电连接件。

7. 发明专利

TWI701773B 晶片封裝結構及其製造方法有权
简体标题：芯片封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI701773B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106116075
申请日：2017-05-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳威宇 , CHEN, WEI YU , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/28

8. 发明专利

TW201830635A 半導體封裝中的重佈線層及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体封装中的重布线层及其形成方法
公开(公告)号：TW201830635A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106113987
申请日：2017-04-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃立賢 , HUANG, LI-HSIEN , 蘇安治 , SU, AN-JHIH , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 葉德強 , YEH, DER-CHYANG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/60
摘要：一種示例封裝包括：第一積體電路晶粒；包封體，圍繞所述第一積體電路晶粒；導線，將第一導電介層窗電性連接至第二導電介層窗，所述導線包括第一區段以及第二區段，所述第一區段位於所述第一積體電路晶粒之上且具有第一寬度，所述第二區段位於所述第一積體電路晶粒之上且具有較所述第一寬度大的第二寬度，所述第二區段在所述第一積體電路晶粒與所述包封體之間的第一邊界之上延伸。
简体摘要：一种示例封装包括：第一集成电路晶粒；包封体，围绕所述第一集成电路晶粒；导线，将第一导电介层窗电性连接至第二导电介层窗，所述导线包括第一区段以及第二区段，所述第一区段位于所述第一集成电路晶粒之上且具有第一宽度，所述第二区段位于所述第一集成电路晶粒之上且具有较所述第一宽度大的第二宽度，所述第二区段在所述第一集成电路晶粒与所述包封体之间的第一边界之上延伸。

10. 发明专利

TWI492346B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI492346B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW102120256
申请日：2013-06-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳碩懋 , CHEN, SHUO MAO , 葉德強 , YEH, DER CHYANG , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76801 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/525 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式