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1. 发明专利

TW201806091A 半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TW201806091A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW105134441
申请日：2016-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 黃立賢 , HUANG, LI HSIEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 陳威宇 , CHEN, WEI YU , 陳英儒 , CHEN, YING JU
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06582
摘要：一種半導體封裝包含至少一第一半導體元件、第一封膠物、介電層、至少一第一導電特徵與至少一補償結構。第一封膠物係設置於第一半導體元件之至少一側壁上。介電層係設置於第一封膠物與第一半導體元件上。第一導電特徵係至少部分地設置於介電層中，且電性連接第一半導體元件。補償結構係至少部分地設置於介電層中，且補償結構係一體成形地連接第一封膠物。
简体摘要：一种半导体封装包含至少一第一半导体组件、第一封胶物、介电层、至少一第一导电特征与至少一补偿结构。第一封胶物系设置于第一半导体组件之至少一侧壁上。介电层系设置于第一封胶物与第一半导体组件上。第一导电特征系至少部分地设置于介电层中，且电性连接第一半导体组件。补偿结构系至少部分地设置于介电层中，且补偿结构系一体成形地连接第一封胶物。

2. 发明专利

TW201801328A 接點曝露蝕刻停止件审中-公开
简体标题：接点曝露蚀刻停止件
公开(公告)号：TW201801328A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106110602
申请日：2017-03-29
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：葛瑞姆丹恩 , GRIMM, DAN , 迪克斯喬葛瑞 , DIX, GREGORY , 斯洛德勞德尼 , SCHROEDER, RODNEY
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/482 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/76829 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/4824 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/088 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/78 , H01L2224/48137 , H01L2225/06506 , H01L2225/06582 , H01L2924/13091
摘要：本發明係關於半導體裝置且其教示可以金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)來體現。某些實施例可包含具有電晶體單元之一功率MOSFET，每一單元包括：一源極區及一汲極區；一第一介電質層，其安置於該等電晶體單元頂部；一富矽氧化物層，其在該第一介電質層上；凹槽，其穿過多層介電質，每一凹槽在一各別源極區或汲極區上面且填充有一導電材料；一第二介電質層，其在該多層介電質頂部；開口，其在該第二介電質層中，每一開口曝露該複數個凹槽中之一者之一接點區域；及一金屬層，其安置於該第二介電質層頂部且填充該等開口。該金屬層可形成至少一個汲極金屬導線及至少一個源極金屬導線。該至少一個汲極金屬導線可透過各別凹槽來連接兩個汲極區。該至少一個源極金屬導線可透過各別凹槽來連接兩個源極區。每一凹槽具有在一毗鄰對中自該至少一個汲極金屬導線延伸至該至少一個源極金屬導線之一長度。
简体摘要：本发明系关于半导体设备且其教示可以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)来体现。某些实施例可包含具有晶体管单元之一功率MOSFET，每一单元包括：一源极区及一汲极区；一第一介电质层，其安置于该等晶体管单元顶部；一富硅氧化物层，其在该第一介电质层上；凹槽，其穿过多层介电质，每一凹槽在一各别源极区或汲极区上面且填充有一导电材料；一第二介电质层，其在该多层介电质顶部；开口，其在该第二介电质层中，每一开口曝露该复数个凹槽中之一者之一接点区域；及一金属层，其安置于该第二介电质层顶部且填充该等开口。该金属层可形成至少一个汲极金属导线及至少一个源极金属导线。该至少一个汲极金属导线可透过各别凹槽来连接两个汲极区。该至少一个源极金属导线可透过各别凹槽来连接两个源极区。每一凹槽具有在一毗邻对中自该至少一个汲极金属导线延伸至该至少一个源极金属导线之一长度。

3. 发明专利

TW201740538A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201740538A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105137690
申请日：2016-11-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳憲偉 , CHEN, HSIEN-WEI , 陳潔 , CHEN, JIE
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06537 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06582 , H01L2225/06593 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/14 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：一種半導體裝置包含一半導體晶粒、一絕緣層、一導電構件及一屏蔽體。該絕緣層圍繞該半導體晶粒，且該絕緣層具有彼此相對之一第一表面及一第二表面。該導電構件從該絕緣層之該第一表面延伸至該第二表面近端，且該導電構件具有藉由該絕緣層之該第一表面暴露之一第一端。該屏蔽體覆蓋該絕緣層之該第一表面且透過該導電構件中藉由該絕緣層之該第一表面暴露之該第一端接地。
简体摘要：一种半导体设备包含一半导体晶粒、一绝缘层、一导电构件及一屏蔽体。该绝缘层围绕该半导体晶粒，且该绝缘层具有彼此相对之一第一表面及一第二表面。该导电构件从该绝缘层之该第一表面延伸至该第二表面近端，且该导电构件具有借由该绝缘层之该第一表面暴露之一第一端。该屏蔽体覆盖该绝缘层之该第一表面且透过该导电构件中借由该绝缘层之该第一表面暴露之该第一端接地。

4. 发明专利

TW201737415A 封裝基板的製作方法审中-公开
简体标题：封装基板的制作方法
公开(公告)号：TW201737415A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105111841
申请日：2016-04-15
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：胡竹青 , HU, CHU CHIN , 許詩濱 , HSU, SHIH PING , 許哲瑋 , HSU, CHE WEI , 劉晉銘 , LIU, CHIN MING , 楊智貴 , YANG, CHIH KUAI
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/4832 , H01L21/4857 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/81 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/08238 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06534 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434
摘要：本發明揭示一種封裝基板的製作方法，其包含：提供一第一承載板；形成一第一導電線路與一第一連接單元於該第一承載板上；形成一第一介電材料層於該第一承載板上，使得該第一介電材料層圍繞該第一導電線路與該第一連接單元，並露出該第一連接單元的一端面；黏接一第二承載板於該第一介電材料層，並移除該第一承載板；設置一第一電路晶片並形成一第二連接單元於該第一導電線路上；形成一第二介電材料層於該第二承載板上，使得該第二介電材料層圍繞該第一電路晶片與該第二連接單元，並露出該第二連接單元的一端面；形成一第二導電線路於該第二介電材料層上；設置一第二電路晶片於該第二導電線路上；形成一第三介電材料層於該第二承載板上；以及移除該第二承載板。
简体摘要：本发明揭示一种封装基板的制作方法，其包含：提供一第一承载板；形成一第一导电线路与一第一连接单元于该第一承载板上；形成一第一介电材料层于该第一承载板上，使得该第一介电材料层围绕该第一导电线路与该第一连接单元，并露出该第一连接单元的一端面；黏接一第二承载板于该第一介电材料层，并移除该第一承载板；设置一第一电路芯片并形成一第二连接单元于该第一导电线路上；形成一第二介电材料层于该第二承载板上，使得该第二介电材料层围绕该第一电路芯片与该第二连接单元，并露出该第二连接单元的一端面；形成一第二导电线路于该第二介电材料层上；设置一第二电路芯片于该第二导电线路上；形成一第三介电材料层于该第二承载板上；以及移除该第二承载板。

5. 发明专利

TWI602275B 封裝結構及其製作方法有权
简体标题：封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI602275B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105133328
申请日：2016-10-14
申请人：恆勁科技股份有限公司 , PHOENIX PIONEER TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：許詩濱 , HSU, SHIH PING
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/5386 , H01L24/16 , H01L24/18 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2221/68372 , H01L2224/16237 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/32237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/83951 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06582 , H01L2924/181 , H01L2924/00012

6. 发明专利

TW201735304A 具有複製晶粒接合墊及相關聯裝置封裝件之半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：具有复制晶粒接合垫及相关联设备封装件之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201735304A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106101128
申请日：2017-01-13
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：席洛卡那森 J , SIROCKA, NATHAN J. , 塔納迪崔麥達偉 , TANADI, TRISMARDAWI , 波斯修德安德魯 D , PROESCHOLDT, ANDREW D.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L25/065 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2225/06506 , H01L2225/06517 , H01L2225/06582 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本文中揭示具有複製晶粒接合墊及相關聯裝置封裝件之半導體裝置及其製造方法。在一項實施例中，一半導體裝置封裝件包含複數個封裝接觸件及一半導體晶粒，該半導體晶粒具有複數個第一晶粒接合墊、複數個第二晶粒接合墊，及具有與該等第一晶粒接合墊相同之接針指派的複數個複製晶粒接合墊。該半導體晶粒進一步包含一積體電路，該積體電路係經由該複數個第一晶粒接合墊及該等第二晶粒接合墊或該等複製晶粒接合墊(但非兩者)而可操作地耦合至該等封裝接觸件。該積體電路經組態以程式化成以下狀態之一者：(1)一第一墊狀態，其中該等第一晶粒接合墊及該等第二晶粒接合墊經啟用以與該等封裝接觸件一起使用；及(2)一第二墊狀態，其中該等第一晶粒接合墊及該等複製晶粒接合墊經啟用以與該等封裝接觸件一起使用。
简体摘要：本文中揭示具有复制晶粒接合垫及相关联设备封装件之半导体设备及其制造方法。在一项实施例中，一半导体设备封装件包含复数个封装接触件及一半导体晶粒，该半导体晶粒具有复数个第一晶粒接合垫、复数个第二晶粒接合垫，及具有与该等第一晶粒接合垫相同之接针指派的复数个复制晶粒接合垫。该半导体晶粒进一步包含一集成电路，该集成电路系经由该复数个第一晶粒接合垫及该等第二晶粒接合垫或该等复制晶粒接合垫(但非两者)而可操作地耦合至该等封装接触件。该集成电路经组态以进程化成以下状态之一者：(1)一第一垫状态，其中该等第一晶粒接合垫及该等第二晶粒接合垫经激活以与该等封装接触件一起使用；及(2)一第二垫状态，其中该等第一晶粒接合垫及该等复制晶粒接合垫经激活以与该等封装接触件一起使用。

7. 发明专利

TWI582917B 以封膠體取代基板核心之多晶片封裝構造有权
简体标题：以封胶体取代基板内核之多芯片封装构造
公开(公告)号：TWI582917B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104124602
申请日：2015-07-29
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：張家維 , CHANG, CHIA WEI , 林國鼎 , LIN, KUO TING
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/50 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/04042 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2225/06506 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2924/181 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201705386A 以封膠體取代基板核心之多晶片封裝構造审中-公开
简体标题：以封胶体取代基板内核之多芯片封装构造
公开(公告)号：TW201705386A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104124602
申请日：2015-07-29
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：張家維 , CHANG, CHIA WEI , 林國鼎 , LIN, KUO TING
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/50 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/04042 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2225/06506 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：揭示一種以封膠體取代基板核心之多晶片封裝構造，包含晶片堆疊體、內重配置線路層、晶片互連元件、在內重配置線路層上之金屬柱、密封晶片堆疊體與晶片互連元件之封膠體、外重配置線路層以及複數個設置封膠體周邊之縱向導通機構。內重配置線路層形成於晶片堆疊體之一主動面上，晶片互連元件具有一超過主動面之線弧段，外重配置線路層完整形成於封膠體之平坦面上。封膠體具有一覆蓋於內重配置線路層之覆線厚度，藉以密封線弧段與金屬柱並使金屬柱之端面顯露於平坦面，達到省略基板厚度之超薄型晶片堆疊並可應用於封裝堆疊裝置之功效。
简体摘要：揭示一种以封胶体取代基板内核之多芯片封装构造，包含芯片堆栈体、内重配置线路层、芯片互连组件、在内重配置线路层上之金属柱、密封芯片堆栈体与芯片互连组件之封胶体、外重配置线路层以及复数个设置封胶体周边之纵向导通机构。内重配置线路层形成于芯片堆栈体之一主动面上，芯片互连组件具有一超过主动面之线弧段，外重配置线路层完整形成于封胶体之平坦面上。封胶体具有一覆盖于内重配置线路层之覆线厚度，借以密封线弧段与金属柱并使金属柱之端面显露于平坦面，达到省略基板厚度之超薄型芯片堆栈并可应用于封装堆栈设备之功效。

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